Mehr Kollektorstrom durch Parallelschaltung

[Markenzwieback (Gast)]

Hi,

ich möchte einen durch einen BC547 gepufferten Spannungsteiler bauen. 
Der Transistor verträgt einen Kollektorstrom von max. 100mA. Ist es zu 
einfach gedacht, den zulässigen Strom durch Parallelschalten eines 
weiteren Transistors zu erhöhen? Auf dem Steckbrett funktioniert die 
Schaltung. Ich möchte die Dinger nur nicht unnötig durch Ausprobieren 
kaputtmachen.

Ansonsten hätte ich noch eine Frage zu Stabilisierungselkos bei einer 
solchen Schaltung. Ist ein Elko über die gesamte Eingangsspannung 
ausreichend oder nimmt man besser einen pro Teilspannung? Falls 
letzteres, schließt man diese an die Teiler-Widerstände oder am 
Pufferausgang an? Ich vermute, Pufferausgang, weil dieser ja belastet 
wird.

Gruß

[Paul Baumann (Gast)]

Du müßtest extra Emitterwiderstände für die Transistoren vorsehen.
Nimm doch lieber einen, der den Strom alleine verträgt.

MfG Paul

[Markenzwieback (Gast)]

Paul Baumann schrieb:
> Du müßtest extra Emitterwiderstände für die Transistoren vorsehen.
> Nimm doch lieber einen, der den Strom alleine verträgt.

würde ich bei einer praktischen Anwendung auch tun. In diesem Fall ist 
die Schaltung aber rein experimentell, nur zum Selbststudium. Ich möchte 
gerne wissen, ob man prinzipiell so vorgehen kann und falls nicht, 
verstehen wo die Probleme stecken.

[MaWin (Gast)]

> Ist es zu einfach gedacht, den zulässigen Strom durch
> Parallelschalten eines weiteren Transistors zu erhöhen?

Ja, der Strom verteilt sich nicht gleichmässig.

Weil der interne Spannungsabfall im Transistor nciht gleich ist.

Der eine hat bei 66mA Kollektorstrom vielleicht 0.68V zwischen Emitter 
und Baiss, der andere erreicht die 0.68V erst bei 134mA. Und schon 
fliessen 2/3 des Stromes durch einen, zu viel für ihn.

Daher die Widerstände im Emitteranschluss. Fliesst mehr Strom, entsteht 
mehr Spannungsabfall, bleibt weniger Spannung für die Basis übrig, 
fliesst weniger Strom.

Aber das braucht man beim BC547 nicht, Da nimmt man einfach einen 
dickeren Transistor. BC338, BC368, BD135, BD241, BD249, es gibt viele 
stärkere. Die Leistung müssen sie ja auch aushalten.

[Michael (Gast)]

MaWin schrieb:
> Die Leistung müssen sie ja auch aushalten.

Die Leistung müssen sie am besten gleich wieder über einen passenden 
Kühlkörper abgeben. Aussitzen hilft da wenig.

[aGast (Gast)]

Selbst wenn sich die Ströme am Anfang so aufteilen das sie noch in der 
Spezifikation sind, so ist das noch keine Garantie dass es auch 
weiterhin so bleibt. Der (bipolare) Transistor hat leider die 
Eigenschaft, dass bei zunehmender Erwärmung ein höherer Strom fließt.
Beitrag "Temperaturabhängigkeit eines (Bipolar-)Transistors"
Dadurch wird der Transistor noch etwas wärmer und übernimmt mehr Strom 
währen der andere wegen des geringeren Stroms dadurch kühler bleibt. Mit 
dem mehr an Strom wird der Transistor dann auch wieder wärmer was dann 
zu noch mehr Strom über den Transistor führt. Das geht dann so lange bis 
der Transistor kaputt geht, dann muss der andere Transistor den Strom 
mit übernehmen und der stirbt dann auch.
Deshalb muss dem entgegengewirkt werden. Das geschieht (wie oben 
geschrieben) durch einen Emitterwiderstand.

[Markenzwieback (Gast)]

aGast schrieb:
> Selbst wenn sich die Ströme am Anfang so aufteilen das sie noch in der
> Spezifikation sind, so ist das noch keine Garantie dass es auch
> weiterhin so bleibt. Der (bipolare) Transistor hat leider die
> Eigenschaft, dass bei zunehmender Erwärmung ein höherer Strom fließt.
> Beitrag "Temperaturabhängigkeit eines (Bipolar-)Transistors"
> Dadurch wird der Transistor noch etwas wärmer und übernimmt mehr Strom
> währen der andere wegen des geringeren Stroms dadurch kühler bleibt. Mit
> dem mehr an Strom wird der Transistor dann auch wieder wärmer was dann
> zu noch mehr Strom über den Transistor führt. Das geht dann so lange bis
> der Transistor kaputt geht, dann muss der andere Transistor den Strom
> mit übernehmen und der stirbt dann auch.
> Deshalb muss dem entgegengewirkt werden. Das geschieht (wie oben
> geschrieben) durch einen Emitterwiderstand.

Ist so ein Verhalten eigentlich auch beim Parallelschalten von LEDs zu 
erwarten?

[4asgq34g (Gast)]

Ja, diese Problemnatik kommt immer bei Parallelschaltungen
von Dioden, bipolaren Transistoren und MOSFETs auf.

[MaWin (Gast)]

> Ja, diese Problemnatik kommt immer bei Parallelschaltungen von

Halbleitern

> auf.

[Axel S. (a-za-z0-9)]

Markenzwieback schrieb:
> aGast schrieb:

>> Beitrag "Temperaturabhängigkeit eines (Bipolar-)Transistors"

> Ist so ein Verhalten eigentlich auch beim Parallelschalten von LEDs zu
> erwarten?

Alle Halbleiterbauelemente sind mehr oder weniger temperaturabhängig. 
Weswegen man ja z.B. Temperatursensoren aus Halbleitermaterial baut.

Ob der Temperaturkoeffizient dabei für oder gegen einen arbeitet, 
hängt aber von der Schaltung und dem Bauelement ab. Beispielsweise hat 
der R_ds_on eines voll durchgesteuerten MOSFET einen positiven 
Temperaturkoeffizienten. D.h. der MOSFET übernimmt bei Erwärmung weniger 
Strom. Deswegen kann man MOSFETs in Schalt(!)anwendungen auch ohne 
weitere Maßnahmen parallel schalten.

Es kommt also immer auf die jeweilige Situation an.


XL