Jakov K. schrieb:
> 1. Vboot = Vs+10V ( bis max Vs+20V)
>
> durch die Diode liegen an Vb ja nur 12 Volt an..
Wenn an Vcc 12V anliegen, liegen an Vb (nach der Diode) 12V-V_F
(Durchlassspannung der Diode) an.
Bei Hochspannungsdioden normalerweise mehr als die üblichen 0,7V.
Damit hättest Du igendwas um die 11V an der Versorgung des oberen
Treibers, für meinen Geschmack zu wenig für die Ansteuerung der IGBTs.
Infineon empfiehlt 13V.
Jakov K. schrieb:
> !? d.h da gibt es
>
> bereits eine "verstoß" gegen das datenblatt
Nein, zwischen Vb und Vs darf alles zwischen 10 und 20 Volt liegen, der
Chip schaltet frühestens bei 9V zwischen Vb uns Vs ab, spätestens bei
7,4V.
Jakov K. schrieb:
> 2. folgend stellt sich die Frage : wie berechnet, bzw findet man Vs
>
> heraus, wenn ich 310V an dem HighIGBT anliegen habe?
An Vs liegt entweder Positive Versorgungsspannung minus Uce des Igbt
(also etwa 308V) wenn der obere IGBT an ist oder Null plus Uce des
unteren IGBT (wenn der untere durchgeschaltet ist) an.
Jakov K. schrieb:
> 3. ist dieses IC für diese Anwendung überhaupt geeignet ?
Welche Schaltfrequenz hast Du?
Hohe Schaltfrequenzen können die IR-Bausteine prinzipbedingt durch ihren
Hochspannungs-Mosfet-Levelshifter nicht, die werden dann schnell sehr
heiß (wir hatten sie mal in einen LLC-Reonanzwandler eingebaut, die
Chips hatten hinterher bei 25°C Umgebeungstemperatur 105°C auf dem
Gehäuse).
Was für ein IGBT?
=> Kann der Treiber überhaupt von der Treiberleistung her das IGBT
ansteuern?
