Hallo liebe Freunde, ich habe mir eine recht einfache Einschaltverzögerung mit dem NE555 aufgebaut. Hier ist ein Foto von der Schaltung: http://www.elektronik-kompendium.de/forum/upload/20050424163600.gif Ich hab das Relais weggelassen, weil ich keine großen Leistungen schalten will. Dahinter kommt ein Verbraucher, der maximal 100mA zieht, wenn überhaupt. Dafür reicht mir ja der pnp-Transistor aus, also der BC557. Aus Platzgründen, will ich mir statt des TO-92-Gehäuses lieber etwas feines in SMD-Bauform aufbauen. Habt ihr irgendwelche Empfehlungen? Gleichermaßen suche ich auch einen SMD-Ersatz für einen npn-Transistor, wie den BC550. Für den pnp habe ich den BC857 gefunden und für den npn den BC847. Beide unterscheiden sich laut Datenblatt so ziemlich nur bei den Verlustleistungen. Was genau ist denn damit jetzt eigentlich gemeint? Verlustleistung ist doch nur das, was er an Wärme nach außen abgibt, oder hab ich das falsch verstanden? Heißt das, dass der SMD-Baustein schneller heiß wird? Wäre ja anzunehmen, wo er doch kleiner ist. Oder täusche ich mich? Liebe Grüße, euer Meter!
der Transistor nimmt doch keinen Platz weg. Da müstest du alles in SMD ausführen und der Elko bleibt das gröste Bauteil.
> Heißt das, dass der SMD-Baustein > schneller heiß wird? Der SMD ist ja auch kleiner, natürlich wird der bei gleicher Verlustleistung heißer und verträgt daher weniger. Für echte 100mA sind die aufgeführten Transistoren alle ein wenig schwach, die 100mA vom Datenblatt sind ein theoretisches Maximum. Wenn du schalten willst, nimm besser einen p-Kanal-MOSFET, Reichelt & Co haben genügend zur Auswahl. Bei 5V Betriebsspannung und weniger schau nach dem Stichwort "Logic-Level", das bedeutet dass man weniger als 10V Gate Spannung benötigt um den MOSFET voll einzuschalten.
> Dahinter kommt ein Verbraucher, der maximal 100mA zieht, > wenn überhaupt. Dafür reicht mir ja der pnp-Transistor aus, 100mA kann der NE555 diretk liefern, du brauchst gar keinen Transistor. BC560 in SMD: BC850 BC557 in SMD: BC857 Und richtig. Die kleine Dinger schaffen trotz gleicme Chip innendrin nicht so viel wie die grossen. Das ist ja wohl auch logisch.
Manfred G. schrieb: > der Transistor nimmt doch keinen Platz weg. Da müstest du alles in SMD > ausführen und der Elko bleibt das gröste Bauteil Solche Elkos gibt es auch schon recht klein in SMD-Ausführung. asd schrieb: > Wenn du schalten willst, nimm besser einen p-Kanal-MOSFET Puh, damit habe ich mich noch nicht wirklich auseinander gesetzt. Ja, der hat statt Basis ein Gate und auch die anderen Anschlüsse heißen anders. Aber kann ich denn den einfach dort, wo vorher der bipolare Transistor drinnen war, einfach den MOSFET einsetzen? MaWin schrieb: > 100mA kann der NE555 diretk liefern, du brauchst gar keinen Transistor. > Das stimmt, der kann sogar 200mA. Aber bei der Einschaltverzögerung oben schaltet der Ausgang ja nach Ablauf der Zeit von 5V auf 0V. Damit kann ich ja auch nichts versorgen. MaWin schrieb: > Und richtig. Die kleine Dinger schaffen trotz gleicme Chip innendrin > nicht so viel wie die grossen. Das ist auch logisch. Aber was genau heißt das jetzt? Den gleichen Strom können sie ja laut Datenblatt liefern. Was schaffen sie denn jetzt aber weniger?
asd schrieb: > Für echte 100mA sind die aufgeführten Transistoren alle ein wenig > schwach, die 100mA vom Datenblatt sind ein theoretisches Maximum. Ach und weil ich jetzt noch mal ein Strommessgerät in meinen lustigen Steckbrettaufbau gebastelt habe. Ich verbrauche allermaximalstens 75mA.
Meter Paffay schrieb: > Was schaffen sie denn jetzt aber weniger? Die maximal zulässige Verlustleistung ist nur halb so groß. Die sollte aber bei weniger als 100mA im Schaltbetrieb keine Rolle spielen.
Du solltest mal das Datenblatt des NE555 befragen. Das sagt dir dann ob du für 100 mA einen externen Transistor brauchst. Gruss
Meter Paffay schrieb: > asd schrieb: >> Wenn du schalten willst, nimm besser einen p-Kanal-MOSFET > > Puh, damit habe ich mich noch nicht wirklich auseinander gesetzt. p-Kanal-MOSFETs sind cool! Gruß Schlaudia Ciffer
Obacht beim NE555 mit direkt angeschlossener induktiver Last (Relais). Das macht nicht wirklich Spass.
Verlustleistung erzeugt Wärme. Jetzt ist die Frage, wie gut bekommt man die Wärme aus dem Gehäuse, damit die Sperrschicht ihre maximale Temperatur (beim BCx57 150°C) nicht überschreitet. Dazu gibt es die Angabe "Thermal Resistance" (Rth) im Datenblatt (z.B. bei NXP). Für den BC557 steht dort 250K/W Junction-to-Ambient, für den BC857 500K/W. Bedeutet, dass bei der in der Datenblatt angegebenen max. Verlustleistung von 500mW (BC557) bzw. 250mW (BC857) sich die Sperrschicht bei einer Umgebungstemperatur von 25°C auf 150°C erwärmt. Betreibst Du den Transistor allerdings bei 65°C Umgebungstemperatur, so beträgt die max. Verlustleistung an den Transistoren (150°C-65°C)/Rth), also 340mW bzw. 170mW.
> Das stimmt, der kann sogar 200mA. Aber bei der Einschaltverzögerung oben > schaltet der Ausgang ja nach Ablauf der Zeit von 5V auf 0V. Damit kann > ich ja auch nichts versorgen. Natürlich doch, zwischen Ausgang und Plus. Minimales Mitdenken ist manchmal von Vorteil, wenn auch nicht mehr in Mode. > Obacht beim NE555 mit direkt angeschlossener induktiver Last (Relais). > Das macht nicht wirklich Spass. Induktive Lasten stattet man mit Freilaufdioden aus, dann hat auch den NE555 damit keinen Probleme.
MaWin schrieb: > Minimales Mitdenken ist manchmal von Vorteil, wenn auch nicht mehr in > Mode. Oha. Da geb ich dir natürlich recht :) A. K. schrieb: > Obacht beim NE555 mit direkt angeschlossener induktiver Last (Relais). > Das macht nicht wirklich Spass. Dafür gibts ja die Freilaufdiode. Aber ich will eh kein Relais schalten. Darum ist alles okay.
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