Ich möchte mich vergewissern, das ich Transistoren richtig verstanden habe. Emitter Cut-off Current, meint doch, dass unterhalb dieses Stromes der Transistor nicht mehr leitet, also die Kollektor-Emitter Strecke gesperrt ist , richtig? Base-Emitter Saturation Voltage, meint doch, das mindestens die angegeben Spannung fließen muss, damit der Transistor vollständig durchschaltet und nicht "halb" leitend ist, richtig? DC Current Gain (hFE), bezeichnet doch das Verhältnis der Ströme zwischen Basis-Emitter und Kollektor-Emitter oder? Wenn also über die Basis-Emitter Strecke 100mA fließt und im Datenblatt bei diesem Wert ein Verhältnis von 100 angegeben ist, dann kann auf der Kollektor-Emitter Strecke maximal 10A fließen ohne das es raucht, oder? Ist es dann nicht sinnvoll, den Basis-Emitter Strom immer so hoch wie möglich zu wählen um über die Kollektor-Emitter Strecke maximal viel Strom fließen zu lassen? Wie verhält sich hFE, wenn die Spannung zwischen der Kollektor-Emitter-Strecke vier mal so hoch ist wie der Referenzwert für hFE im Datenblatt? Kann ich eine Einschaltverzögerung für einen PNP-Transistor mit einer Z-Diode zwischen Basis und Emitter realisieren?
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Marcel Hohn schrieb: > Emitter Cut-off Current, meint doch, dass unterhalb dieses Stromes der > Transistor nicht mehr leitet, also die Kollektor-Emitter Strecke > gesperrt ist , richtig? Ja, wobei das natürlich eine Definitionsfrage ist. Ist also eher eine Vorgabe des Anwenders, bei welchem Strom er den Transistor als nicht mehr leitend ansieht. > Base-Emitter Saturation Voltage, meint doch, das mindestens die > angegeben Spannung fließen muss, damit der Transistor vollständig > durchschaltet und nicht "halb" leitend ist, richtig? Den Begriff kenne ich so nicht, und da Bipolartransistoren stromgesteuert sind, kann ich den auch nicht sinnvoll einsortieren. > DC Current Gain (hFE), bezeichnet doch das Verhältnis der Ströme > zwischen Basis-Emitter und Kollektor-Emitter oder? Ja, die Stromverstärkung in Emitterschaltung. > Wenn also über die > Basis-Emitter Strecke 100mA fließt und im Datenblatt bei diesem Wert ein > Verhältnis von 100 angegeben ist, dann kann auf der Kollektor-Emitter > Strecke maximal 10A fließen ohne das es raucht, oder? Nein, mit Grenzwerten hat das gar nichts zu tun. h21e (oder hFE) ist einfach nur ein Richtwert, mit welchem Basisstrom man ins Rennen gehen muss, um einen bestimmten Kollektorstrom fließen zu lassen. > Ist es dann nicht sinnvoll, den Basis-Emitter Strom immer so hoch wie > möglich zu wählen um über die Kollektor-Emitter Strecke maximal viel > Strom fließen zu lassen? Im Schalterbetrieb: im Prinzip ja. Allerdings ist viel mehr Strom als nötig natürlich immer noch unsinnig verheizte Leistung. Deshalb wird man im Schalterbetrieb normalerweise so viel Strom einspeisen, dass er mit Sicherheit (einschließlich Bauteiltoleranzen, schwankender Betriebsspannung usw.) sicher durchgeschaltet ist. > Wie verhält sich hFE, wenn die Spannung zwischen der > Kollektor-Emitter-Strecke vier mal so hoch ist wie der Referenzwert für > hFE im Datenblatt? Sowas kann man aus den Kennlinien ablesen. > Kann ich eine Einschaltverzögerung für einen PNP-Transistor mit einer > Z-Diode zwischen Basis und Emitter realisieren? Das ist 'ne völlig andere Frage. Die erste Antwortet: "nein", aber bitte starte einen separaten Thread dafür, sonst wird der hier völlig unübersichtlich.
Die Basis-Emiiter Säätigungsspannung ist einfach die maximale Spannung die sich an der Basis-Emitter Strecke beim maximalen zulässigen (bzw. dafür angegebenen Strom) einstellt. In der Regel wird der Basisstrom vorgegeben, und die Spannung stellt sich dann entsprechend der Kennlinie ein.
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