Da bin ich scho wieder beim Thema Mosfet und damit GUTEN ABEND . Ich möchte mit einem N-Kanal-Mosfet eine Last mit 13,5V/120A beschalten. Wobei 120A nur kurzfristig und 50A Dauerstrom gezogen werden. Als Mosfet habe ich den IRLR3717PBF im Einsatz. Simulationstechnisch habe den Guten Mosi mit 10V Gatespannung durchgesteuert und mein Verbraucher macht, was er soll. Jetzt möchte ich gerne eine µC gesteuerte Schaltung realisieren, die bestimmte Schwellspannungen auswertet und den Mosfet dauerhaft ein- /ausschaltet. Also keine PWM. Ein großer Punkt soll hierbei auch die Verlustleistung sein sowie eine Feedbackschaltung, die stetig Istwerte liefert ob der Mosfet geschalten ist oder nicht. Welche Lösung / Chiplösungen schlagt Ihr mir für dieses Problem vor? Meine Gedanken dazu: High-Side-Treiber der bei -40°C - +125°C arbeitet. Kurzschlussfestigkeit soll er auch bieten. Meine ersten Anläufe begannen mit dem LT2127 aber führen mich irgendwie nicht ans Ziel. Mit einem Schaltplan darf gerne geholfen werden ;) Vielen Dank Euer Bernd
Na ich bin mal Mutig und frag mal: Wie kühlst du den? Unter der Annahme, dass die Datenblattkennwerte eingehalten werden verheizt der bei 50A 10W und die wollen abgeführt werden wenn man nicht Indianer spielen will. Und was ist ein LT2127?
HubschrauBernd schrieb: > Als Mosfet habe ich den IRLR3717PBF im Einsatz. SMD DPak und 4mOhm max. RDSon. Das gibt bei 50A 10W Verlustleistung! Bei 120A sinds knappe 60W --> das gibt ganz schnell Rauchzeichen ;-) --> Mehrere MOSFETs parallel oder dickere nehmen dann könnte es klappen.
Michael Köhler schrieb: > Und was ist ein LT2127? Wow, da habe ich in meinem Zahlenwirrwahr aber echt falsch rezitiert. Es ist ein LT1910 daneben standen Zwischenrechnungen...Peinlich :) Gekühlt wird über die Platine und einen dicken Kühlkörper. Wobei das nicht die letzte Entscheidung sein soll. Mac Gyver schrieb: > Mehrere MOSFETs parallel oder dickere nehmen dann könnte es klappen Wie stelle ich mir eine solche Verschaltung vor? Das ist ein guter Tipp.
HubschrauBernd schrieb: > Gekühlt wird über die Platine und einen dicken Kühlkörper. Wobei das > nicht die letzte Entscheidung sein soll. Es sollte nicht die letzte Entscheidung sein. Nimm lieber zwei oder drei FETs noch mit dazu. Mit dem LT1910 könntest du schon arbeiten, einfach die Schaltung von der Titelseite benutzen und den Sense-Widerstand an deinen Strom anpassen. OK, bei 1 Mosfet wirds hierbei recht kriminell, dann wird der Sense-Widerstand doch verdammt klein. HubschrauBernd schrieb: > Wie stelle ich mir eine solche Verschaltung vor? Das ist ein guter Tipp. Na ganz einfach: Gate an Gate, Drain an Drain Source an Source...wäre das Einfachste und so ist wahrscheinlich dein Mosfet intern eh schon aufgebaut, dass wird nicht nur einer sein ;) Das "Problem" dabei: Der Fet mit der geringsten Tempertur wird den höchsten Strom tragen (Achtung: Das gilt nur für den Schaltbetrieb, im Linearbetrieb ists umgedreht). Deshalb wirst du hierbei auch keine Source-Balance-Widerstände brauchen.
Angehängte Dateien:
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79 KB
Michael Köhler schrieb: > Mit dem LT1910 könntest du schon arbeiten, einfach die Schaltung von der > Titelseite benutzen und den Sense-Widerstand an deinen Strom anpassen. > OK, bei 1 Mosfet wirds hierbei recht kriminell, dann wird der > Sense-Widerstand doch verdammt klein. Komm nicht umhin nochmal zu fragen. Ich habe den LT1910 gemäß des Datenblatts verschalten und wenn ich mir nicht sicher war, habe ich die Samplefile von Linear herangezogen. Doch irgendwie Oszilliert die Schaltung nur und das was der Mosfet durchsteuern soll (minus geringer Spannungsabfall) kommt nicht an. Was mache ich falsch. Ein korrekter Schaltplan würde mein Herz höher schlagen lassen. ;)
HubschrauBernd schrieb: > Was mache ich falsch Ohne jetzt deinen Treiberchip im Detail zu kennen: Mosfet-Treiber sollen die Gate-Source Kapazität schnell umladen. Deshalb müssen Gate und Souce möglichst direkt, niederohmig, induktivitätsarm mit dem Treiber verbunden sein. Für Gate machst du das. Für Source nicht. => Last auf die andere Seite, Source an GND. Und, nebenbei: Bildformate. Ein JPEG kann man nicht durch Rückumwandeln in ein PNG reparieren, genausowenig wie man aus Rührei wieder ein Küken ausbrüten kann.
Vielleicht als alternativen Mosfet mal den IRLS3036 anschauen, mit max R_DS on von 1.9mOhm verbrät er bei 50A "nur" 4,75 Watt. Ist auch D2PAK und wird auf die Platine gelötet. Mit gutem passiven Kühlkörper sollte das dann schon tun (für den Dauerstrom!)
Was soll ein N-Fet an der highside ? Weshalb kann der nicht lowside sein ? Denn ein N-Fet muss das Gate hoeher als die Source haben, dramatisch hoeher. Das Ganze wird viel Einfachen mit dem n-Fet (pluse sense) an GND. Und die 120A wuerd ich ueber mind 5 Fet parallel lassen. Die dinger kosten ja nichts. Ich koennte da mal den IRFP064N oder einen moderneren empfehlen. Der hat noch 8 mOhm. Modernere, wie der IRLU8743, welcher noch 3mOhm hat.
Stimmt. Hatte das JPEG in PNG gewandelt. Was Du nicht alles merkst :) Das JPEG war grade mal 14kb groß und danach 80kb. Ich wollt ja nur die Regeln nicht brechen ;) Back to Topic. also soll ich den Mosfet drehen? Das bringt nämlich auch nichts. Sagen wir so. Es kommt zwar meine Spannung raus, aber wenn ich am Eingang "IN" die Spannungsquelle pulse (1,5s High [5V] und 1,5s Low [0V]) liegt am Ausgang noch immer saft an.
Viktor N. schrieb: > Was soll ein N-Fet an der highside ? Weshalb kann der nicht lowside sein > ? Denn ein N-Fet muss das Gate hoeher als die Source haben, dramatisch > hoeher. Herbert Danke für den Tipp. @ Viktor: Ich möchte ja quasi die Quelle an die Last schalten, welche fest mit Masse verbunden ist. Demnach der Griff zum Highside. Das Die Last fest auf Masse sitz, ist auch nicht veränderlich. > Das Ganze wird viel Einfachen mit dem n-Fet (pluse sense) an GND. > Und die 120A wuerd ich ueber mind 5 Fet parallel lassen. würdest Du mir bitte mit einem Schaltplan auf die Sprünge helfen? Wie die Mosfets parallel geschalten werden, bekommt das aufgeweichte Brötchen in meinem Kopf noch auf die Reihe. Aber danach wirds finster. Ich habe so einige Low/High-Side Schaltungen studiert, aber so recht wills noch nicht zünden. Danke derweil. Super Forum btw
Also, Wenn die Last auf Masse klebt, dann klebt sie eben an Masse. Der N-Fet muss dan oben drauf. Das Gat muss einfach 10V mehr wie die Source haben. Allenfalls mit einem Hilfssupply. Die 12.5V reich da nicht. Alternativ einen Satz P-Fet, denn die werden nach Masse angesteuert. Passende waehren zB IRF 4905 mit 20mOhm, die SI4401 mit 11mOhm. Von den Letztern dann 20 stueck parallel. Ja, die P-Fet haben mehr widerstand. Ist einfach so.
HubschrauBernd schrieb: > Doch irgendwie Oszilliert die > Schaltung nur und das was der Mosfet durchsteuern soll (minus geringer > Spannungsabfall) kommt nicht an. Hast du das so simuliert wie im Anhang? Also analysieren wir mal: Du hast eine 0.9 Ohm Last an die so round-about 12V geschaltet werden sollen. Wie hoch wird wohl der Strom dabei sein? Und für wieviel Strom ist dein Sense-Widerstand ausgelegt? ;) So wie in deinem Anhang ist der LT1910 im Kurzschlussbetrieb, der Sense-Widerstand ist für den Soll-Strom viel zu groß, mach den mal deutlich kleiner (faktor 0.5) ;)
Viktor N. schrieb: > Also, Wenn die Last auf Masse klebt, dann klebt sie eben an Masse. Der > N-Fet muss dan oben drauf. Das Gat muss einfach 10V mehr wie die Source > haben. Allenfalls mit einem Hilfssupply. Die 12.5V reich da nicht. > Alternativ einen Satz P-Fet, denn die werden nach Masse angesteuert. Also ich wünsch mir manchmal, dass der ein und andere auch erstmal ins Datenblatt schaut bevor er was schreibt, hier ins Datenblatt des LT1910. ;)
die 12,5V ist ja auch die Quellspannung, um diese geht es ja diese auch durchzusteuern. die gepulste Spannungsquelle am Eingang soll quasi den µC nachbilden und logisch high und low ausgeben. der Mosfet ist dann aber dauer durchgesteuert. Michael Köhler schrieb: > So wie in deinem Anhang ist der LT1910 im Kurzschlussbetrieb, der > Sense-Widerstand ist für den Soll-Strom viel zu groß, mach den mal > deutlich kleiner (faktor 0.5) ;) werd ich mal versuchen
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