eingebaute Suppressordiode im FET

[batman (Gast)]

Hallole,
es gibt doch FET mit eingebauten Suppressionsdioden als Gateschutz. Im 
Datenblatt vom 2SK2382 ist am Anfang eine eingezeichnet aber es steht 
dazu sonst nix drin. Braucht man dann also trotzdem noch eine externe 
Zener bei z.B. Vdd=30V oder was soll das?
http://datasheet.seekic.com/datasheet/TOSHIBA_[Toshiba_Semiconductor]_2SK2382.html

[Falk B. (falk)]

@ batman (Gast)

>es gibt doch FET mit eingebauten Suppressionsdioden als Gateschutz.

Ja.

> Im
>Datenblatt vom 2SK2382 ist am Anfang eine eingezeichnet aber es steht
>dazu sonst nix drin.

Sieht wohl so aus.

> Braucht man dann also trotzdem noch eine externe
>Zener bei z.B. Vdd=30V

Nö, wozu? Die eingebaute Suppressordiode macht das Gate deutlich 
ESD-resistenter. Und dass man die nicht wie eine 1500W Suppressordiode 
belasten kann, sollte klar sein. Aber ESD und ggf. ein paar leichte 
Transienten, die sich ans gate verlaufen haben, schluckt sie schon.

[batman (Gast)]

Ich meine, verträgt das Ding auch einen Pullup-Widerstand nach Vdd(30V), 
so daß ich den FET über einen Pulldown-Treibertransistor schalten kann?

[oszi40 (Gast)]

batman schrieb:
> verträgt das Ding

Was sagt DEIN Datenblatt? Wie hoch ist DEIN Widerstand? Bei MOhm hätte 
ich keine Bedenken bei 10 Ohm würde ich Rauch erwarten. Eine Schutzdiode 
ist keine Betriebsdiode, die man unendlich belasten kann. Sie sollte 
meist gegen statische Aufladung schützen.

[batman (Gast)]

Viel mehr als 50k Pullup hinterm Treiber wird i.a. keinen Sinn machen 
und da man nicht weiß, ob die Diode 0,2mA ab kann, schätz ich mal, sie 
will nicht als Pegelwandler arbeiten.

[Falk B. (falk)]

@ batman (Gast)

>Ich meine, verträgt das Ding auch einen Pullup-Widerstand nach Vdd(30V),
>so daß ich den FET über einen Pulldown-Treibertransistor schalten kann?

Naja, ist halt nix offiziell dokumentiert, aber ich glaub nicht, dass 
man so eine Diode mit einer handvoll mW kaputt kriegt. Ich würde erstmal 
die Klemmspannung messen und dann auf maximal 100mW, ggf. weniger den 
Pull Up dimensionieren.

[Kai K. (klaas)]

>es gibt doch FET mit eingebauten Suppressionsdioden als Gateschutz. Im
>Datenblatt vom 2SK2382 ist am Anfang eine eingezeichnet aber es steht
>dazu sonst nix drin.

Das ist eher eine Art bipolare Zenerdiode, um statische Aufladungen bei 
der Lagerung, dem Transport oder der Handhabung daran zu hindern 
gefährliche Feldstärken über der Isolierschicht zu erzeugen. Belastbar 
sind diese "Ableiter" mit vielleicht ein paar mA Dauerstrom. Als echte 
Schutzschaltung gegen ESD oder gar Surge taugen sie keinesfalls, es sei 
denn der Hersteller macht anderslautende Angaben dazu.