Hallo zusammen. Ich habe da mal eine Frage bzgl. der H-Brücken für BLDC-Motoren. Man kann ja den unteren Teil der H-Brücke mit einem N-Kanal MOSFET und den oberen Teil mit einem P-Kanal-MOSFET machen. Diese (sofern richtig ausgesucht) können dann über eine Versorgungsspannung geschaltet werden. P-Kanal-MOSFETs haben aber meist nicht so "gute Werte" wie N-Kanal MOSFETs, müssen also mehr Hitze verbraten/abkönnen und sind, wenn sie dennoch einigermaßen mit den N-Kanal MOSFETs mithalten sollen, teurer. Da hab ich mir gedacht, ich könnte ja mit einem StepUp-Wandler eine höhere Spannung machen und den oberen und unteren Teil der H-Brücke mit N-Kanal MOSFETs bestücken. Es sind dann die Gleichen (ggf Mengenrabatt, hauptsächlich aber wegen den Charakteristiken) und sollte ja auch funktionieren. Die Frage ist, was sich mehr lohnt. Es sollen 4 BLDCs gesteuert werden, daher 3*4=12 Halbbrücken. Für den StepUp-Wandler brauche ich noch ein paar Bauteile (aber auch nicht soo viele), dafür spar ich mir aber 12 mal höhere Wärme. Außerdem spare ich da sicherlich zwischen 5 und 10€, womit ein StepUp-Wandler + Hühnerfutter drin sein sollte. Jedoch, wenn man mal so im Internet rumguckt, sind ansich alle BLDC-Controller mit P-und N-Kanal MOSFETs bestückt, was ja auch nicht ohne Grund so sein kann. Die Frage ist nun, was ist sinnvoller/besser/ordentlicher/wirtschaftlicher? Danke schonmal für jeden Rat.
Hallo! Ich habe konkret noch nichts in diese Richtung umgesetzt, aber bewege mich gerade diffus in dieser Welt. Es gibt fertige Treiber-ICs (HIP4086 und viele andere) für diese 3fach-Brücken, die eingebaute Ladungspumpen für die "oberen" N-Mos haben. Da muss man nur noch passende Kondensatoren dranbasteln und fertig ist die Ansteuerung der Leistungs-FETs. Zusätzlich gibt's die gleich noch mit Kurzschluss- und Überstromsicherung, Opamps für die Phasenstrom-Shunts etc., alles was man so brauchen könnte. Und eigentlich habe ich bislang überhaupt nur solche Umsetzungen gesehen bislang... Die Variante mit P-Mos noch gar nicht Oo Viele Grüße!
Also es kommt ein wenig auf den Strom an, den du schalten willst. Ich habe es auch erst mit P-Mosfets versucht und bin einfach gnadenlos gescheitert, weil der P-Mosfet nicht das gemacht hat, was er eigentlich laut Datenblatt machen sollte. Nimm so einen IC mit Ladungspumpe, z.B. IR21xx, oder wie schon von Michael geschrieben: > HIP4086 Ist sicher nicht die billigste Variante, aber durchaus zuverlässig. Wobei du das Layout nicht unterschätzen solltest, damit steht und fällt so ein Regler, ist zumindest meine persönliche Erfahrung. Michael S. schrieb: > Und eigentlich habe ich bislang überhaupt nur solche Umsetzungen gesehen > bislang... Die Variante mit P-Mos noch gar nicht Naja, die bekanntesten Regler sollten die von Mikrokopter sein, und der benutzt einen N- und einen P-Mosfet. Aber genau die gleichen habe ich genutzt und bin nicht annähernd an ein vernünftiges Ergebnis gekommen. Der P-Mosfet hat einfach nicht schnell genug gesperrt, er ist nichtmal in die Nähe der Zeiten vom Datenblatt gekommen. Das Gate hatte ich ziemlich schnell umgeladen, das klappte, aber wenn er 1ms braucht, um zu sperren ist das einfach zu lang, ich habs einfach nicht in den Griff bekommen. Mit IR2101 gings dann aber wunderbar. Dennis
Oder du schaltest die hierfür notwendigen Bootstrap-Kondesatoren selbst, dann muss du aber höllisch aufpassen, dass die Gatespannung an den "oberen" Transistoren immer gut ausreichend ist. Sonst grillst Du die MOSFETs ganz schnell... Die beste Lösung sind sicherlich die fertigen Pre-Driver, wenn du nicht gerade in Tausender-Stückzahlen produzierst! Falls du sicherstellen kannst, dass immer >12V zur Verfügung stehen, schau doch auch mal den IRS2334 an, der ist für alle 3 Phasen.
Michael S. schrieb: > Die Variante mit P-Mos noch gar nicht Oo Hier ist z.B. sowas: https://raw.github.com/frank26080115/Frank-Synced-BLDC-ESC/master/circuit/ckt_preview.png Dennis H. schrieb: > Also es kommt ein wenig auf den Strom an, den du schalten willst. Ich > habe es auch erst mit P-Mosfets versucht und bin einfach gnadenlos > gescheitert, weil der P-Mosfet nicht das gemacht hat, was er eigentlich > laut Datenblatt machen sollte. Wie man bei 4 BLDCs erraten kann, steht "irgendwann" dahinter ein Quadrocopter, aber zuerst will ich einen Motor so laufen lassen können ;) Demnach wird auch der Strom benötigt (denke so ca 10-15 sollte er schon abkönnen sollen) Dennis H. schrieb: > Naja, die bekanntesten Regler sollten die von Mikrokopter sein, und der > benutzt einen N- und einen P-Mosfet. Aber genau die gleichen habe ich > genutzt und bin nicht annähernd an ein vernünftiges Ergebnis gekommen. > Der P-Mosfet hat einfach nicht schnell genug gesperrt, er ist nichtmal > in die Nähe der Zeiten vom Datenblatt gekommen. Ich auch.. Ich war aber so dämlich und habe gleich mit Power getestet.. Resultat: Ich hab Low-Side und High-Side MOSFET aller Halbbrücken auf Durchgang gesetzt, weil ich eine Einstellung falsch hatte ;) brushless schrieb: > Oder du schaltest die hierfür notwendigen Bootstrap-Kondesatoren selbst, > dann muss du aber höllisch aufpassen, dass die Gatespannung an den > "oberen" Transistoren immer gut ausreichend ist. Sonst grillst Du die > MOSFETs ganz schnell... Das hatte ich auch schonmal gesehen, doch da frag ich mich, ob das so zuverlässig ist.. Es sind dann im Enteffekt ja 12 FETs. Daher dachte ich an einen StepUp. Den kann man Strommäßig (mit Spule und C) gut genug auslegen und gleich für alle FETs benutzen. brushless schrieb: > Falls du sicherstellen kannst, dass immer >12V zur Verfügung stehen, > schau doch auch mal den IRS2334 an, der ist für alle 3 Phasen. Ich habe einen 7.4V Akku, da sollte ich entweder über Verdoppeln oder StepUp auf >12V kommen. Ich werde mir die ICs man ansehen. Ich hatte überlegt, statt den DPAK-FETs sowas wie TO220 zu nehmen, die an die Streben direkt unter den Propellern zu schrauben und somit gleich zu kühlen ;) Je mehr Strom die Motoren ziehen, desto schneller drehen sie sich, desto wärmer werden die FETs und desto mehr Luft kommt an die FETs. Obs das bringt weiß ich nicht, einfach probieren. Stell ich mir aber effektiever vor, als alle FETs als DPAK auf eine Platine in die Mitte Dicht an Dicht zu machen ohne groß Kühlfläche.
ich schrieb: > Demnach wird auch der Strom benötigt (denke so ca 10-15 sollte er schon > abkönnen sollen) Na da kannste PMOS sowieso vergessen! Wenn's klein (und leicht!) bleiben soll gibt es von NXP schöne Logic-Level Transistoren im Power-SO8 (LFPak) mit ca. 4mOhm (BUK9...). Die Einzeltransitoren sind nicht gebondet und haben daher eine hervorragende thermische Kopplung an die PCB. > Ich auch.. Ich war aber so dämlich und habe gleich mit Power getestet.. > Resultat: Ich hab Low-Side und High-Side MOSFET aller Halbbrücken auf > Durchgang gesetzt, weil ich eine Einstellung falsch hatte ;) Klar, die sind für die Leistung viel zu langsam / hochohmig. > Das hatte ich auch schonmal gesehen, doch da frag ich mich, ob das so > zuverlässig ist.. Es sind dann im Enteffekt ja 12 FETs. Daher dachte ich > an einen StepUp. Den kann man Strommäßig (mit Spule und C) gut genug > auslegen und gleich für alle FETs benutzen. Einen Push-Pull Predriver brauchst du hier sowieso. Also 6x Power-MOSFET, 6x Kleinsignal-Transistor (bipolar) für Push-Pull und 3x Kleinsignal-Transistor zum Schalten der Push-Pulls. Ein StepUp finde ich oversized. Wenn, dann lass vom µC einen Dauertakt klappern mit dem du eine zentrale Ladungspumpe betreibst. Dafür reicht auch noch ein Kleinsignaltransistor. > Ich habe einen 7.4V Akku, da sollte ich entweder über Verdoppeln oder > StepUp auf >12V kommen. Das reicht dem IRS2334 nicht. Der will mindestens 12V über dem Bootstrap-Kondensator sehen. Übrigens auch viele andere integrierte Predriver, die wollen oft >10V Vgs sicherstellen. > Ich werde mir die ICs man ansehen. Ich hatte überlegt, statt den > DPAK-FETs sowas wie TO220 zu nehmen, die an die Streben direkt unter den > Propellern zu schrauben und somit gleich zu kühlen ;) Je mehr Strom die > Motoren ziehen, desto schneller drehen sie sich, desto wärmer werden die > FETs und desto mehr Luft kommt an die FETs. Obs das bringt weiß ich > nicht, einfach probieren. Stell ich mir aber effektiever vor, als alle > FETs als DPAK auf eine Platine in die Mitte Dicht an Dicht zu machen > ohne groß Kühlfläche. Du kannst ja reichlich Thermovias setzen und die Rückseite der PCB mit deinem Rahmen kühlen.
brushless schrieb: > Die Einzeltransitoren sind nicht gebondet und haben > daher eine hervorragende thermische Kopplung an die PCB. Ich hatte mir auch mal welche angeguckt, doch bei 10A 0,4V Uds macht 4W. Bei Vishay steht bei einem Datenblatt mit D²PAK-Gehäuse (was ja so ähnlich wie LFPak ist) ein thermischer Widerstand von (junction-to-ambient, steady state, maximum) 40°/W.. Bei 4W sind das also 160° + Umgebungstemperatur.. Das ist zuviel, zumal das mit 1" x 1", also 2,54mm x 2,54mm Kühlfläche ist (mehr Platinenplatz heißt auch mehr kosten und mehr Gewicht, wenn auch nicht sooo viel, jedoch 24x). Ich hatte dort auch einen MOSFET gesehen: SiR812 DP: http://www.vishay.com/docs/63551/sir812dp.pdf Der ist evtl ein bisschen overkill mit 1mOhm, doch bei 10A hat der (abgelesen) nichtmal 0,05V Uds, was also 0,5W machen würde. Dieser hat bei gleicher Fläche 52°/W, was also 26° + Umgebungstemperatur bedeutet. Damit kann ich viel besser leben. "Problem" ist das Gehäuse, aber nichts ist unmöglich. Alternativ gäbe es noch den: SUM110N0: http://www.vishay.com/docs/69983/sum110n0.pdf Der hat ein etwas handlicheres Gehäuse. Noch handlicher ist: Si4136 DY: http://www.vishay.com/docs/64718/si4136dy.pdf Doch irgendwie trau ich dem nicht so;) Bei 4.5V Uds ein Rds,on von 2.5mOhm, 10A Ids und 80°/W sind das 1/4 Watt -> 20° + Umgebung... Sollte theoretisch klappen.. Ich glaub ich bestelle mir den mal und teste selber. brushless schrieb: > Ein StepUp finde ich oversized. Wenn, dann lass vom µC einen Dauertakt > klappern mit dem du eine zentrale Ladungspumpe betreibst. Dafür reicht > auch noch ein Kleinsignaltransistor. Ich dachte eher an einen kleinen IC wie LT1170, LT1372 oder MAX1771. Aber da bin ich mir noch nich so sicher. brushless schrieb: > Das reicht dem IRS2334 nicht. Der will mindestens 12V über dem > Bootstrap-Kondensator sehen. Übrigens auch viele andere integrierte > Predriver, die wollen oft >10V Vgs sicherstellen. IRS2334 Datenblatt: Wenn ich mir in dessen Datenblatt die Schaltung auf Seite 1 und die Recommended Conditions auf Seite 6 unten angucke, steht da Vcc 10..20V. Da sind doch 12 Volt gut drin!? Die 12V sind doch durch den Kondensator auch die Ugs, oder nicht?
Also ich kenne kaum ordentliche Brücken die mit P-Mosfets bestückt sind... Ein BLDC wird auch nicht mit einer H-Brücke sondern mit einer B6-Brücke angesteuert. Nur um die Begrifflichkeiten etwas aufzuklären. Eine H-Brücke besteht aus 4 Transistoren mit der Last dazwischen (deswegen H, weil es aussieht wie ein H ;) ) Schau dir doch mal die Brückentreiber von Infineon an. Gerade ein Standardtreiber wie der TLE7185 sollte genau das machen was du brauchst und noch mehr.
ich schrieb: > Bei Vishay steht bei einem Datenblatt mit D²PAK-Gehäuse (was ja so > ähnlich wie LFPak ist) ein thermischer Widerstand von > (junction-to-ambient, steady state, maximum) 40°/W. Nein, LFPak ist die NXP-Variante von PowerSO8. D2Pak ist TO220 als SMD. > Der hat ein etwas handlicheres Gehäuse. Noch handlicher ist: > Si4136 DY: http://www.vishay.com/docs/64718/si4136dy.pdf Der ist sehr schön, leider nur 20V - wäre mir zu wenig. Generell sind die Siliconix sehr schöne Transistoren (immer vorne dran was möglich ist), aber verhältnismäßig teuer. http://www.findchips.com/avail?part=Si4136DY Daher finde ich eben die NXP praktikabel: http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BUK9Y3R0-40E.pdf OK, aber immernoch besser als gar nicht "on stock": http://www.findchips.com/avail?part=BUK9Y3R0-40E Ggf. noch bei Inferno schauen, die können das auch recht gut. > Doch irgendwie trau ich dem nicht so;) Bei 4.5V Uds ein Rds,on von > 2.5mOhm, 10A Ids und 80°/W sind das 1/4 Watt -> 20° + Umgebung... Sollte > theoretisch klappen.. Ich glaub ich bestelle mir den mal und teste > selber. Passt schon. Die 2,5mOhm darfst du worst-case nochmal x1,4 rechnen (Temperatur), dagegen hast du aber auch nur 1/3-ON-time. Die meiste Wärme steckt dann noch in den Schaltflanken - da kommt's auf den Treiber an. > Ich dachte eher an einen kleinen IC wie LT1170, LT1372 oder MAX1771. > Aber da bin ich mir noch nich so sicher. Kommt noch dazu: Speicherspule, Dioden, Filter... > IRS2334 Datenblatt: > Wenn ich mir in dessen Datenblatt die Schaltung auf Seite 1 und die > Recommended Conditions auf Seite 6 unten angucke, steht da Vcc 10..20V. Seite 1 ist immer nur für Einkäufer gemacht, vergiss die. Zwischen 10,2V und 11,6V ist die Undervoltage-Detection aktiv (S.7). > Da sind doch 12 Volt gut drin!? Die 12V sind doch durch den Kondensator > auch die Ugs, oder nicht? Wenn du wirklich beides machen willst, pumpen PLUS Treiber-IC, dann hast du schon recht. Ich gehe von einem von beidem: Treiber-IC, der deine Vmin. kann und Logic-Level FETs <oder> Ladungspumpe und diskrete Push-Pull. blablub schrieb: > Nur um die Begrifflichkeiten etwas aufzuklären. Eine > H-Brücke besteht aus 4 Transistoren mit der Last dazwischen (deswegen H, > weil es aussieht wie ein H ;) ) Danke ;-)
blablub schrieb: > Ein BLDC wird auch nicht mit einer H-Brücke sondern mit einer B6-Brücke > angesteuert. Nur um die Begrifflichkeiten etwas aufzuklären. Eine > H-Brücke besteht aus 4 Transistoren mit der Last dazwischen (deswegen H, > weil es aussieht wie ein H ;) ) Mein fehler. Ich dachte das H steht für Halb.. Also Halbbrücke - halfbridge. brushless schrieb: >> Ich dachte eher an einen kleinen IC wie LT1170, LT1372 oder MAX1771. >> Aber da bin ich mir noch nich so sicher. > > Kommt noch dazu: Speicherspule, Dioden, Filter... Na klar, keine Frage ;) Ich liebäugle im Moment ein bisschen mit diesem hier: MC33937: http://www.freescale.com/webapp/sps/site/prod_summary.jsp?code=MC33937 Der macht, soweit ich das verstehe, gleich die Kommutierung und alles.. Der µC braucht ihn also nur mit Daten füttern. Und ob ich mir für 2,50€ das Stück so einen hole oder nen diskreten Treiber ist ja schon fast egal. Bei den FETs gucke ich nochmal.. brushless schrieb: > Nein, LFPak ist die NXP-Variante von PowerSO8. D2Pak ist TO220 als SMD. Sehen aber ähnlich aus ;) Naja das R-case-ambient ist abhängig von der Kühlfläche, das was doch Gehäusebedingt ist, ist das R-junction-case und das ist generell ja eher niedrig(er).
ich schrieb: > MC33937: > http://www.freescale.com/webapp/sps/site/prod_summ... > > Der macht, soweit ich das verstehe, gleich die Kommutierung und alles.. Schaut nicht so aus, will ja noch 3x PWM-Hi und 3x PWM-Lo vom µC haben. Der hat nur reichlich Peripherie für Strommessung und Fehlerdiagnose. Wenn du die (Block-)Kommutierung an den Treiber abgeben willst, schau den an: http://www.allegromicro.com/Products/Motor-Driver-And-Interface-ICs/Brushless-DC-Motor-Drivers/A4960.aspx > Sehen aber ähnlich aus ;) Naja das R-case-ambient ist abhängig von der > Kühlfläche, das was doch Gehäusebedingt ist, ist das R-junction-case und > das ist generell ja eher niedrig(er). ...im Vergleich zu Rth(ca) sogar vernachlässigbar ausser für sehr dynamische Erwärmung. Aber worauf willst du hinaus?
Also ich nutze den IR2101 zusammen mit IRLR 7843, die N-Mosfets vom Mikrokopter, haben 3mOhm RDSon, da gehen schon paar Strömlinge durch. Meine Erfahrung ist, das nicht das Programm dazu im Controller das schwierige ist, das ist, wenn man einmal das Prinzip verstanden hat, eher Nebensache, weil ziemlich einfach, zumindest bei Blockkommutierung. Aber eben das die Hardware auch wirklich das macht, was du willst und was sie laut DB machen sollte, ist schon bissel ne Herausforderung. Als Controller nutze ich den Mega88, damit kannst du auch ganz locker aktiven Freilauf machen, kannst dir also die Freilaufdioden sparen. ich schrieb: > Wie man bei 4 BLDCs erraten kann, steht "irgendwann" dahinter ein > Quadrocopter Das ist auch mein Vorhaben.. > Ich auch.. Ich war aber so dämlich und habe gleich mit Power getestet.. > Resultat: Ich hab Low-Side und High-Side MOSFET aller Halbbrücken auf > Durchgang gesetzt, weil ich eine Einstellung falsch hatte ;) > Ich hatte am Anfang auch kein Netzteil, habs auch immer gleich mit dem Lipo versucht. Naja, der schafft angeblich kurzzeitig bis 150A, wenn da auch nur für ein paar µS beide Mosfets durchschalten, gibt das einen Hieb, den kannst du dir gar nicht vorstellen, und jedesmal waren wieder Mosfets für über 1€ das Stück durch.... Kannst mir auch gern mal ne PN schicken, wenn du möchtest, klingt so, als wenn wir gerade an einer ähnlichen Stelle stehen.. Dennis
Sorry für die späte Antwort.. brushless schrieb: > Schaut nicht so aus, will ja noch 3x PWM-Hi und 3x PWM-Lo vom µC haben. Ich dachte, das ist nur die Reine PWM, die bei allen Eingängen gleichzeitig und Dauerhaft anliegt. Sprich, dass wenn er den Highside durchschaltet, nicht nur dauerhaft "anmacht" sondern eben mit der PWM die anliegt. Das gleiche mit dem Lowside-FET. brushless schrieb: > Wenn du die (Block-)Kommutierung an den Treiber abgeben willst, schau > den an: > http://www.allegromicro.com/Products/Motor-Driver-And-Interface-ICs/Brushless-DC-Motor-Drivers/A4960.aspx Den hab ich mir auch schonmal angeguckt und ist eigentlich der ideale IC, macht genau das, was er soll. Doch gibts dazu auch alternativen? Mit ~6,50€ bei Digikey (Bei Mouser, Fernell, Reichelt und Conrad nicht zu finden) und das ganze 4 mal, find ich schon relativ teuer. Da würde ich eher nen extra µC nehmen, der genau das Gleiche macht + Treiber.. Da komm ich bestimmt günstiger weg, muss aber auch noch das Programm schreiben. brushless schrieb: > ...im Vergleich zu Rth(ca) sogar vernachlässigbar ausser für sehr > dynamische Erwärmung. Aber worauf willst du hinaus? Ich weiß es auch nicht mehr ;) Ich glaube wegen der Ähnlichkeit der Gehäuse.. Aber da eben Rth(jc) vernachlässigbar ist und Rth(ca) von der Größe des Pads abhängt, ist es relativ egal, welches Gehäuse es ist. Gut zu löten wäre schön und natürlich ein schön kleinen Rds,on. Dennis H. schrieb: > Ich hatte am Anfang auch kein Netzteil, habs auch immer gleich mit dem > Lipo versucht. Naja, der schafft angeblich kurzzeitig bis 150A, wenn da > auch nur für ein paar µS beide Mosfets durchschalten, gibt das einen > Hieb, den kannst du dir gar nicht vorstellen, und jedesmal waren wieder > Mosfets für über 1€ das Stück durch.... Ich hatte ein Netzteil mit Kurzschluss-abschaltung, die aber anscheinend zu langsam war ;) Die Mosfets waren nicht mal so tragisch.. Aber es war eben ein DPAK-Gehäuse und ohne Hot-Air-Station oder ähnliches bekommt man die ganz bescheiden wieder runter. Also war die Platine quasi auch hin. Die kann/hab ich allerdings kostenfrei in der Fachhochschule fräsen. Doch es sind grad Semesterferien =( Das ein möglichst kleiner Rds,on von Vorteil ist, erkläre ich mir durch P=I²*R, also quasi 10²A² * 2,4mOhm (SUM110N0) = 240mW. Das ist ja erstmal thermisch gesehen eher nen Witz. Bei einem Rth(ja) von ca 42K/W sind das ja nur ~10°C über Umgebungstemperatur. Das, was jedoch auch Verlustleistung macht ist die Schaltzeit. Ist es daher nicht besser, als nächstes (oder erstes?) Kriterium die Rise-/Fall-Time vom FET zu vergleichen? Der SUM110N0 hat z.B. tr=11ns und tf=10ns. Der NTB5860NL von OnSemi hat tr=58ns und tf=144ns. Dadurch, dass das Einschalten 5mal so lange und das Ausschalten 14mal so lange dauert, müsste dort doch auch merkbar mehr Verlustleistung sein, oder? Oder spielt das da ansich nicht so die große Rolle, solange z.B. die Zeit unter x ns ist?
ich schrieb: > Die Mosfets waren nicht mal so tragisch.. Aber es war > eben ein DPAK-Gehäuse und ohne Hot-Air-Station oder ähnliches bekommt > man die ganz bescheiden wieder runter. Nuja, kann ich so nicht bestätigen. Ich hab auch welche im DPAK. Ich hab meine Lötstation auf über 400 Grad gestellt, und nach etwa 10 bis 15 Sekunden war der ganze Mosfet locker, ging eig ganz gut.. ich schrieb: > Ist es daher nicht besser, als > nächstes (oder erstes?) Kriterium die Rise-/Fall-Time vom FET zu > vergleichen? Naja, diese Zeiten wirst du in Realität wohl kaum hinkriegen. ich denke nicht, das diese geringen Unterschiede dieser Zeiten sich großartig auf die Verlustleistung auswirken, aber vielleicht gibts da noch jemanden, der davon mehr Ahnung hat, da lass ich mich gern belehren. Such einfach nach Mosfets, die der Hersteller als Hexfet ausgibt, die sind für genau solche Anwendungen konzipiert, also eher nicht für den linearen Betrieb geeignet, sondern mehr fürs komplett ein oder ausschalten. Dennis
ich schrieb: > Ich dachte, das ist nur die Reine PWM, die bei allen Eingängen > gleichzeitig und Dauerhaft anliegt. Sprich, dass wenn er den Highside > durchschaltet, nicht nur dauerhaft "anmacht" sondern eben mit der PWM > die anliegt. Das gleiche mit dem Lowside-FET. Naja, dafür würde ja 1 Pin ausreichen (siehe A4960). > Doch gibts dazu auch alternativen? Mit ~6,50€ bei Digikey... Sensorbehaftet gibt's jede Menge. Sensorless fällt mir jetzt nur noch Trinamic (TMC603) und ELMOS (Virtuhall) ein, dürfte aber teurer und schwerer zu beschaffen sein. Auf die Funktion betrachtet halte ich den Einzelpreis für recht günstig. Überleg' mal: OPA für BEMF-Signalaufbereitung, OPA für Strommessung/Überstromabschaltung und Push-Pull Driver kosten das schon fast. Der Zeitaufwand für eine eigene SW-Lösung, Debuggen, etc. ist dabei noch nicht mal berücksichtigt. Da musst du schon in rießigen Stückzahlen denken, damit sich das lohnt. > eben ein DPAK-Gehäuse und ohne Hot-Air-Station oder ähnliches bekommt > man die ganz bescheiden wieder runter. Kann ich, wie Dennis, ebenfalls nicht so sehen: Mit 'nem ordentlichem Lötkolben (80W+), Pb-Zinn und guter Flux-Paste geht das recht gut. > Das, was jedoch auch Verlustleistung macht ist die Schaltzeit Und wie! Eben hier kommt der Push-Pull Driver ins Spiel, der die Gate-Kapazität umladen muss. Bei all den niederohmigen MOSFET ist die recht groß (wg. Parallelschaltung vieler Einzeltransistoren im Die; übrigens: "HEXFET" ist nur die IR-Markenbezeichnung für deren hexagonal angeordnete Struktur). Hier solltest Du auf jeden Fall einen Gate-Serienwiderstand vorsehen, um die Belastung an den Treiber anpassen zu können. tr/tf alleine spielt wiederum die kleinere Rolle.
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