Gast
#3263410
Hallo zusammen. Ich muss gestehen, ich bin ein bisschen durcheinander grade. Durch ein bisschen lange Weile und Google bin ich u.a. auf ein Zitat aus dem Wikipedia-Artikel MOSFET gestoßen: > Im Gegensatz zu bipolaren Transistoren besitzt der Kanalwiderstand > der Drain-Source-Strecke des MOSFET einen positiven > Temperaturkoeffizienten. Das bedeutet, dass bei steigender Temperatur > auch der Widerstand steigt. Dadurch kann man in einigen > Anwendungen mehrere MOSFETs ohne zusätzliche symmetrierende > Maßnahmen parallelschalten, um die Stromtragfähigkeit zu erhöhen > und den Spannungsabfall zu verringern. Sobald einer der MOSFETs > durch zu viel Strom zu heiß wird, steigt sein Widerstand. > Dadurch teilt sich die Strombelastung der MOSFETs gleichmäßig auf. Da ich mir letztens einmal den MOSFET-Artikel hier auf der Seite angeguckt habe, war ich ein bisschen verwirrt. Denn "hier" steht: > Hier wirkt vielmehr der negative Temperaturkoeffizient (TK) > der Thresholdspannung U_{GS(thr)}, vergleichbar dem negativen > TK der Basis-Emitter-Spannung von Bipolartransistoren. > D.h. mit steigender Temperatur und konstanter Gate-Source-Spannung > steigt der Stromfluss der Drain-Source Strecke. In einer > Parallelschaltung von MOSFETs würde dies bedeuten, dass der > MOSFET mit dem geringfügig größeren Drainstrom (Fertigungstoleranzen) > wärmer wird, was zu einem weiter steigenden Drainstrom und damit > noch mehr Wärme führt. Damit ist die Schaltung thermisch instabil > und würde zum Durchbrennen der MOSFETs führen, einer nach dem Anderen. Das ist doch 100%ig wiedersprüchlich, oder? Ich habe mal in das Datenblatt vom IRL3103 geguckt: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl3103.pdf Dort auf Seite 2 steht ein (positiver) Koeffizient von 28mV/°C und auf Seite 3 zeigt Fig.4, dass bei steigender Temperatur der Widerstand steigt. Demnach scheint der Wikipedia-Eintrag korrekt und demnach der Eintrag hier falsch zu sein, oder nicht? Oder ist das ein anderer Koeffizient?