Hallo zusammen. Ich muss gestehen, ich bin ein bisschen durcheinander grade. Durch ein bisschen lange Weile und Google bin ich u.a. auf ein Zitat aus dem Wikipedia-Artikel MOSFET gestoßen: > Im Gegensatz zu bipolaren Transistoren besitzt der Kanalwiderstand > der Drain-Source-Strecke des MOSFET einen positiven > Temperaturkoeffizienten. Das bedeutet, dass bei steigender Temperatur > auch der Widerstand steigt. Dadurch kann man in einigen > Anwendungen mehrere MOSFETs ohne zusätzliche symmetrierende > Maßnahmen parallelschalten, um die Stromtragfähigkeit zu erhöhen > und den Spannungsabfall zu verringern. Sobald einer der MOSFETs > durch zu viel Strom zu heiß wird, steigt sein Widerstand. > Dadurch teilt sich die Strombelastung der MOSFETs gleichmäßig auf. Da ich mir letztens einmal den MOSFET-Artikel hier auf der Seite angeguckt habe, war ich ein bisschen verwirrt. Denn "hier" steht: > Hier wirkt vielmehr der negative Temperaturkoeffizient (TK) > der Thresholdspannung U_{GS(thr)}, vergleichbar dem negativen > TK der Basis-Emitter-Spannung von Bipolartransistoren. > D.h. mit steigender Temperatur und konstanter Gate-Source-Spannung > steigt der Stromfluss der Drain-Source Strecke. In einer > Parallelschaltung von MOSFETs würde dies bedeuten, dass der > MOSFET mit dem geringfügig größeren Drainstrom (Fertigungstoleranzen) > wärmer wird, was zu einem weiter steigenden Drainstrom und damit > noch mehr Wärme führt. Damit ist die Schaltung thermisch instabil > und würde zum Durchbrennen der MOSFETs führen, einer nach dem Anderen. Das ist doch 100%ig wiedersprüchlich, oder? Ich habe mal in das Datenblatt vom IRL3103 geguckt: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl3103.pdf Dort auf Seite 2 steht ein (positiver) Koeffizient von 28mV/°C und auf Seite 3 zeigt Fig.4, dass bei steigender Temperatur der Widerstand steigt. Demnach scheint der Wikipedia-Eintrag korrekt und demnach der Eintrag hier falsch zu sein, oder nicht? Oder ist das ein anderer Koeffizient?
Ein Artikel ist für den Digital-Schalt-Betrieb (ganz an oder ganz aus): Parallelschalten kein Problem. Der andere für den Linear-Betrieb (Ugs im Bereich von Ugsthr): Parallelschalten nicht so einfach. Also kein Widerspruch.
ich schrieb: > Das ist doch 100%ig wiedersprüchlich, oder? Nein, ist es nicht. Es handelt sich um verschiedene Effekte, die regelmäßig durcheinander gebracht werden. Das eine ist der ON-Widerstand (zwischen Drain und Source) des eingeschalteten Transistors und das andere ist die Eingangskennlinie also die die Abhängigkeit des Drainstromes von der Gate-Source-Spannung im Analogbetrieb.
ArnoR schrieb: > ich schrieb: >> Das ist doch 100%ig wiedersprüchlich, oder? > > Nein, ist es nicht. Es handelt sich um verschiedene Effekte, die > regelmäßig durcheinander gebracht werden. > > Das eine ist der ON-Widerstand (zwischen Drain und Source) des > eingeschalteten Transistors und das andere ist die Eingangskennlinie > also die die Abhängigkeit des Drainstromes von der Gate-Source-Spannung > im Analogbetrieb. Unabhängig davon gilt aber auch das hier: Εrnst B✶ schrieb: > Ein Artikel ist für den Digital-Schalt-Betrieb (ganz an oder ganz > aus): > Parallelschalten kein Problem. > Der andere für den Linear-Betrieb (Ugs im Bereich von Ugsthr): > Parallelschalten nicht so einfach. > > Also kein Widerspruch.
... parallelschalten, um die Stromtragfähigkeit zu erhöhen und den Spannungsabfall zu verringern. ... In wie fern soll sich denn der Spannungsabfall in einer Parallelschaltung verringern?
APTYP92 schrieb: > ... parallelschalten, um die Stromtragfähigkeit zu erhöhen und den > Spannungsabfall zu verringern. ... > > In wie fern soll sich denn der Spannungsabfall in einer > Parallelschaltung verringern? Dieser Threa dist zwar ur alt, aber.. Die Mosfets haben einen ON-Widerstand. Schaltest du mehrere in paralel ist das wie wenn du Widerstände in paralel schaltest. Das ergibt einen niedrigeren Widerstand und damit einen niedrigeren Spannungsabfall.
Achso geht um den Spannungsabfall im leitenden Zustand. Alles klar. Vielen Dank.
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