Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Fehler im MOSFET-Artikel?


von ich (Gast)


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Hallo zusammen. Ich muss gestehen, ich bin ein bisschen durcheinander 
grade.

Durch ein bisschen lange Weile und Google bin ich u.a. auf ein Zitat aus 
dem Wikipedia-Artikel MOSFET gestoßen:
> Im Gegensatz zu bipolaren Transistoren besitzt der Kanalwiderstand
> der Drain-Source-Strecke des MOSFET einen positiven
> Temperaturkoeffizienten. Das bedeutet, dass bei steigender Temperatur
> auch der Widerstand steigt. Dadurch kann man in einigen
> Anwendungen mehrere MOSFETs ohne zusätzliche symmetrierende
> Maßnahmen parallelschalten, um die Stromtragfähigkeit zu erhöhen
> und den Spannungsabfall zu verringern. Sobald einer der MOSFETs
> durch zu viel Strom zu heiß wird, steigt sein Widerstand.
> Dadurch teilt sich die Strombelastung der MOSFETs gleichmäßig auf.

Da ich mir letztens einmal den MOSFET-Artikel hier auf der Seite 
angeguckt habe, war ich ein bisschen verwirrt. Denn "hier" steht:
> Hier wirkt vielmehr der negative Temperaturkoeffizient (TK)
> der Thresholdspannung U_{GS(thr)}, vergleichbar dem negativen
> TK der Basis-Emitter-Spannung von Bipolartransistoren.
> D.h. mit steigender Temperatur und konstanter Gate-Source-Spannung
> steigt der Stromfluss der Drain-Source Strecke. In einer
> Parallelschaltung von MOSFETs würde dies bedeuten, dass der
> MOSFET mit dem geringfügig größeren Drainstrom (Fertigungstoleranzen)
> wärmer wird, was zu einem weiter steigenden Drainstrom und damit
> noch mehr Wärme führt. Damit ist die Schaltung thermisch instabil
> und würde zum Durchbrennen der MOSFETs führen, einer nach dem Anderen.

Das ist doch 100%ig wiedersprüchlich, oder? Ich habe mal in das 
Datenblatt vom IRL3103 geguckt:
http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irl3103.pdf

Dort auf Seite 2 steht ein (positiver) Koeffizient von 28mV/°C und auf 
Seite 3 zeigt Fig.4, dass bei steigender Temperatur der Widerstand 
steigt. Demnach scheint der Wikipedia-Eintrag korrekt und demnach der 
Eintrag hier falsch zu sein, oder nicht? Oder ist das ein anderer 
Koeffizient?

von Buna-Pelzer (Gast)


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Der Text in Wikipedia ist richtig.

gez. Buna-Pelzer

von Εrnst B. (ernst)


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Ein Artikel ist für den Digital-Schalt-Betrieb (ganz an oder ganz aus): 
Parallelschalten kein Problem.
Der andere für den Linear-Betrieb (Ugs im Bereich von Ugsthr): 
Parallelschalten nicht so einfach.

Also kein Widerspruch.

von ArnoR (Gast)


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ich schrieb:
> Das ist doch 100%ig wiedersprüchlich, oder?

Nein, ist es nicht. Es handelt sich um verschiedene Effekte, die 
regelmäßig durcheinander gebracht werden.

Das eine ist der ON-Widerstand (zwischen Drain und Source) des 
eingeschalteten Transistors und das andere ist die Eingangskennlinie 
also die die Abhängigkeit des Drainstromes von der Gate-Source-Spannung 
im Analogbetrieb.

von ich (Gast)


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aahhh.. Da hab ich nicht drauf geachtet. Danke

von sdfg (Gast)


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ArnoR schrieb:
> ich schrieb:
>> Das ist doch 100%ig wiedersprüchlich, oder?
>
> Nein, ist es nicht. Es handelt sich um verschiedene Effekte, die
> regelmäßig durcheinander gebracht werden.
>
> Das eine ist der ON-Widerstand (zwischen Drain und Source) des
> eingeschalteten Transistors und das andere ist die Eingangskennlinie
> also die die Abhängigkeit des Drainstromes von der Gate-Source-Spannung
> im Analogbetrieb.

Unabhängig davon gilt aber auch das hier:

Εrnst B✶ schrieb:
> Ein Artikel ist für den Digital-Schalt-Betrieb (ganz an oder ganz
> aus):
> Parallelschalten kein Problem.
> Der andere für den Linear-Betrieb (Ugs im Bereich von Ugsthr):
> Parallelschalten nicht so einfach.
>
> Also kein Widerspruch.

von APTYP92 (Gast)


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... parallelschalten, um die Stromtragfähigkeit zu erhöhen und den 
Spannungsabfall zu verringern. ...

In wie fern soll sich denn der Spannungsabfall in einer 
Parallelschaltung verringern?

von Alex G. (dragongamer)


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APTYP92 schrieb:
> ... parallelschalten, um die Stromtragfähigkeit zu erhöhen und den
> Spannungsabfall zu verringern. ...
>
> In wie fern soll sich denn der Spannungsabfall in einer
> Parallelschaltung verringern?
Dieser Threa dist zwar ur alt, aber..
Die Mosfets haben einen ON-Widerstand. Schaltest du mehrere in paralel 
ist das wie wenn du Widerstände in paralel schaltest. Das ergibt einen 
niedrigeren Widerstand und damit einen niedrigeren Spannungsabfall.

von APTYP92 (Gast)


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Achso geht um den Spannungsabfall im leitenden Zustand. Alles klar. 
Vielen Dank.

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