Wann bzw. Warum verwendet man Glas Dioden wie man sie in diesem Bild,
als 2. Diode von unten sehen kann?
http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Dioden2.jpg
Wäre es nicht besser, immer eine normale Diode in einem normalen AFAIK
Keramikgehäuse zu verwenden?
Die zweite von unten ist eine Germanium-Spitzediode,
in dem Glas ist ein Hohlraum in dem ein nadelförmiger federnder Draht
auf den Germaniumkristall drückt.
In Glas kann man Dioden einfacher einschmelzen als in Keramik, leider
sind Dioden lichtempfindlich, wogegen man sie schwarz lackieren kann
oder eben in dunkle Gehäuse einbaut.
Siliziumdioden werden ohne Spitze, sondern durch 2 zusammengepresste
Drähte gehalten, um die Glas kommt, welches dann beim abkühlen die
Drähte auf den Kristall drückt. Keramik habe ich nur ein mal gesehen,
normal ist Glas oder heute Epoxidharzplastik was natürlich nicht so viel
aushält.
Durch die Röhrentechnik erworbenes Know-how im Glaskapseln, wurde in der
Anfangszeit der Halbleiterfertigung auch bei Tansistor- und
Diodenfertigung weiterverwendet. Bei den Transistoren stellte man
relativ schnell auf Metallkapselung und schon bald auf Kunstoffgehäuse
um.
Bei den Dioden, vor allem welche Ende 1970er design wurden (z.B.
1N4148), wird bis heute die Glaskapselung beibehalten - warum auch
bewärte Produktionsstrassen einstampfen?
Ausserdem ist Glas nicht hygroskopisch und ein Superisolator.
Okay, das zeigt warum sie noch produziert wurde, aber warum werden sie
eingesetzt?
Hier repariert z.B. jemand seinen Samsung T220HD Monitor und tauscht
dort eine "Glas Diode" bzw. Germanium-Spitzediode aus (Das Video ist
übrigens der eigentliche Grund, der mich zu meiner obigen Threadfrage
führte)
http://youtu.be/cNcvdyjrkv4?t=1m50s
Der Monitor ist AFAIK aus dem Jahr 2008 und es sind an dieser Stelle
laut Aussagen des Videoerstellers zwei Dioden parallel geschaltet,
während aber nur eine davon eine Germanium-Spitzdiode ist, die andere
ist eine normale Silizoumdiode.
Warum wurden nicht zwei Baugleiche Siliziumdioden eingebaut?
Warum ist die eine eine Germanium-Spitzdiode?
Fertigungstechnisch ist das doch sicher teurer, wenn man zwei
verschiedene Dioden vorrätig halten und auch maschinell anlöten muss,
als wenn man einfach zwei Baugleiche Dioden nimmt und davon gleich die
aus Silizium im Plastikgehäuse, weil die etwas stabiler ist als Glas.
Grapfruit schrieb:> Der Monitor ist AFAIK aus dem Jahr 2008 und es sind an dieser Stelle> laut Aussagen des Videoerstellers zwei Dioden parallel geschaltet,> während aber nur eine davon eine Germanium-Spitzdiode ist, die andere> ist eine normale Silizoumdiode.
Und was macht dich so sicher, dass die Diode im Glas-Gehäuse eine
GE-Diode und keine gewöhnliche 1N4148 war? Das Jahr 2008 ist kein
Argument. Wenn es danach geht, könnte man fragen, warum nur Bauelemente
in THT eingesetzt sind.
Man wollte das Beste aus beiden Lagern kombinieren:
Die geringe Kapatität und die kleinere Vorwärtsspannung der
GE-Spitzendiode mit der grössern Strombelastbarkeit der Siliziumdiode -
In der Videotechnick (Fernsehen) werden viele "Zaubertricks" angewandt.
Also ich hab mal schnell in das Video reingeschaut...
Für mich sieht das nach 2 Gleichrichterdioden aus! Würde sagen das sind
billige Dioden vom Typ 1N400x.
Kann mich täuschen...
Wir haben in der Firma die Mitteilung bekommen, daß die ersten
Hersteller angefangen haben, Dioden im Glasgehäuse abzukündigen.
Beispielsweise NXP mit verschiedenen Minimelf-Typen. BAS85 zum Beispiel
oder verschiedene Z-Dioden aus der BZV55-Reihe. Als Begründung wurde das
Glasgehäuse als "veraltete und damit teure Technologie" bezeichnet. Bis
jetzt betrifft es nur ein paar Automotive-Typen, aber ich denke, es geht
damit weiter.
> Warum ist die eine eine Germanium-Spitzdiode?
War es bestimmt nicht, auch waren beide Dioden sicher nicht parallel
geschaltet, Samsung ist kein Elektronikanfänger. Das Video zeigt aber
nicht die alten Dioden, daher kann man wenig dazu sagen.
Es kann sein, daß es Z-Dioden waren, und der Youtube-Bastler das nicht
erkannt hat, genau so wenig wie er auf die benötigte Strombelastbarkeit
der ausgetauschten Elkos eingeht.
Tomate schrieb:> Grapfruit schrieb:>> Der Monitor ist AFAIK aus dem Jahr 2008 und es sind an dieser Stelle>> laut Aussagen des Videoerstellers zwei Dioden parallel geschaltet,>> während aber nur eine davon eine Germanium-Spitzdiode ist, die andere>> ist eine normale Silizoumdiode.>> Und was macht dich so sicher, dass die Diode im Glas-Gehäuse eine> GE-Diode und keine gewöhnliche 1N4148 war? Das Jahr 2008 ist kein> Argument. Wenn es danach geht, könnte man fragen, warum nur Bauelemente> in THT eingesetzt sind.
MaWins Aussage das so GE-Dioden aussehen.
Und beim Jahr bin ich mir relativ sicher, weil ich fast das gleiche
Modell habe, als T220, nur ohne HD.
isnah schrieb:> Man wollte das Beste aus beiden Lagern kombinieren:> Die geringe Kapatität und die kleinere Vorwärtsspannung der> GE-Spitzendiode mit der grössern Strombelastbarkeit der Siliziumdiode -> In der Videotechnick (Fernsehen) werden viele "Zaubertricks" angewandt.
Danke, das klingt plausibel.
Eine Diode wird nicht nach der Gehäusebauform sondern primär nach deren
elektrischen Eigenschaften ausgewählt (es gibt Ausnahmen, Platz,
Footprint, Ersatz usw.).
Ge hat niedrigere Schwellenspannung (AD152, AC187 im Autoradio der
70´er) und besondere Hf- und Sperreigenschaften. Ist heute auch mit
Schottky möglich.
http://www.suessbrich.info/elek/dioden/DiodenKennlinien.html
Ich habe noch Empfänger mit den AAxxx gebastelt...
Eine 1N4148 und die Zener ZP... sitzen auch im Glas, wieso denn bloß...?
Grapfruit schrieb:> Danke, das klingt plausibel.
Endlich hast du jemanden gefunden, der nach deinem Gefühl das richtige
sagt.
Aber das ist absoluter Unsinn.
In so einem Monitor sind mit Sicherheit keine Ge-Diode verbaut.
Hast du denn selbst so einen defekten Monitor?
Die 1N4148 gibt es sowohl in Glas, als auch in PVC.
PVC hatte zumindest früher die Eigenschaft, wasserdurchlässig zu sein.
Kann sein, daß man PVC heutzutage besser im Griff hat.
batman schrieb im Beitrag #3310807:
> Dioden in PET?
Nein, Bier.
DAs es die 4148 nicht in DO-41/DO-204 gibt liegt wohl schlicht daran das
die Abmessungen fuer ein bedrahtetes Bauteil unnoetig groesser sind.
Ist aber nur eine Vermutung.
Grapfruit schrieb:> MaWins Aussage das so GE-Dioden aussehen
Wie auf dem Wikioedia Bild, doch deine wird eine andere gewesen sein,
ohne Hohlraum, ohne Spitze, aber du warst zu faul das zu überprüfen.
Ge schrieb:> next schrieb:>> Als diese Diode auf den Markt kam...>> Na, und warum heute immer noch bedrahtet im Glas und nicht in "Plastik"?
Vielleicht weil der Prozess so steht. Möglicherweise dient der
Glaskörper auch als Kühlkörper sodass man jetzt noch einiges ändern
müsste würde man das Gehäuse verändern und das wäre wohl zu teuer. Genau
sagen kann uns das bestimmt nur ein Hersteller der 4148.
Michael Köhler schrieb:> Vielleicht weil der Prozess so steht. Möglicherweise dient der> Glaskörper auch als Kühlkörper sodass man jetzt noch einiges ändern
Sehr viele Spekulationen.
Die 1N-Typen sind in der Jedec genormt. (auch das Gehäuse).
Kühlung erfolgt in der Hauptsache über die Anschlußdrähte.
Die 1N4148 im SOT-23 Gehäuse heißt BAS16.
Die 1N4148 ist bei NXP mit 200 Grad maximal die BAS16 mit 150 Grad für
die Sperrschichttemperatur angegeben.
(oftmals wird ja die 1N4148 auch als Temperatursensor verwendet).
Außerdem ist die Langzeitstabilität beim Glas-Gehäuse besser als beim
Epoxy-Gehäuse das zudem noch Feuchtigkeit aus der Umgebung aufnehmen
kann.
Gruß Anja
Anja schrieb:> oftmals wird ja die 1N4148 auch als Temperatursensor verwendet
Aber bestimmt nicht weil sie dafür gebaut wurde.
Anja schrieb:> Die 1N-Typen sind in der Jedec genormt. (auch das Gehäuse).
Gibt ja auch 1N-Typen mit Epoxy-Gehäuse. Die Jedec könnte man anpassen.
Anja schrieb:> Sehr viele Spekulationen.
Deshalb schrieb ich ja, dass das wohl nur die Hersteller sagen können.
Michael_ schrieb:> Hast du denn selbst so einen defekten Monitor?
Nein, mein Monitor funktioniert noch, ich habe nur mal nachgesehen ob es
auch bei meinem Monitor typische Obsoleszenzfehler und dazu passende
Reparaturanleitungen gibt und bin dann auf dieses Video gestoßen.
Glas war 1955 mal das beste brauchbarste Material.
Ich habe sogar noch Transistoren im geschwärzten Glasgehäuse aus der
Zeit. Leider aus Recycling von Altgeräten, die tun es nicht mehr alle.
Mit den letzten Subminiaturröhren parallel bzw. kurz zuvor hatte man
aber schon eine Gehäuseherstellmethode.
Nur so neben bei, die seinerzeitige Umstellung von geschwärzten
Glasgehäusen für Transistoren auf Metallgehäuse wurde durch eine
Patentfrage beschleunigt.
Ein Postbeamter hatte sich den farbigen Überzug auf Glasgehäuse zur
Vermeidung von Photoeffekten so geschickt patentieren lassen, daß es
keine Möglichkeit gab, dieses zu umgehen.Jeder Hersteller müßtr daher
Lizenz zahlen.
Dadurch kam man seinerzeit auf den Trichter Metallgehäuse einzusetzen.
Edgar
Interessant, Edgar.
Der Postbeamte, nicht daß wir das falsch verstehen, war aber bestimmt
keiner am Postschalter, sondern ein höherer in der Forschung im FTZ,
oder?
Grapfruit schrieb:> Nein, mein Monitor funktioniert noch, ich habe nur mal nachgesehen ob es> auch bei meinem Monitor typische Obsoleszenzfehler und dazu passende> Reparaturanleitungen gibt und bin dann auf dieses Video gestoßen.
Bitte, bitte, schraub ihn auf und sag uns was für originale Dioden drin
sind.
Hm. Der typische Postbeamte wird aber DAMALS das Patent nicht in USA
angemeldet haben. Das war früher doch recht unüblich, gleich auch in den
Staaten aus DE anzumelden. Außerdem läuft das nur 20 Jahre!
Und ob das Bauelement durch Licht seine wesentlichen zugesicherten
Eigenschaften verändert, ist auch Ermessensspielraum.
Ich glaube, die Geschichte ist unvollständig!
Abdul K. schrieb:> Ich glaube, die Geschichte ist unvollständig!
Ehrlich, ich kann es mir auch nicht so recht vorstellen.
Wir brauchten da schon konkrete Nachweise, Belege.
Postbeamter:
Ich war in den 50 Jahren in der Halbleiterentwicklung tätig.
Es war ein Deutsches Patent und ich kann mich nur noch erinnern,
daß unsere Patentexperten vergeblich nach Möglichkeiten suchten, dieses
Patent zu umgehen. Für mein Projekt- Powerdiode- wurde wegen der
Wärmeableitung sowieso ein Metallgehäuse vewendet.
Das Interessante war, das damals die Halbleitertechnik Neuland war
und die Post (Fernmeldetechnik) damals damit noch nichts am Hut hatte,
sondern noch mit Weitverkehrsröhren arbeitete.
Zum anderen 20 Jahre sind in diesem Metier eine Ewigkeit.
Edgar
Ich hab mal einen OC77 aufgesägt.
Zu meiner Verblüffung war unter der Metallhülle ein Transistor komplett
im Glasröhrchen.
Er lies sich danach gut als Fototransistor verwenden.
Ge schrieb:
[1N4148 & Co]
> Na, und warum heute immer noch bedrahtet im Glas und nicht in "Plastik"?
Gegenfrage: warum denn nicht? Der Prozeß ist gut beherrscht und die
elektrisch/physikalischen Eigenschaften des Glasgehäuses sind praktisch
durchgängig besser als die von Epoxy. Und wer eine Didode mit
vergleichbaren elektrischen Daten sucht, der findet eine in jedem
x-beliebigen Gehäuse. Die heißt dann vielleicht nicht 1N4148, sondern
BAS16 ... aber was solls?
Wie andere Bauelemente auch werden Dioden vorrangig nach ihren
elektrischen Daten ausgesucht und nicht nach der Gehäusetechnologie. Es
sei denn natürlich, die elektrischen Daten sind so speziell, daß sie nur
durch ein bestimmtes Gehäuse garantiert werden können.
Oder das Bauelement läßt sich überhaupt nur mit einem bestimmten Gehäuse
fertigen. Letzteres trifft bspw. auf Germanium-Spitzendioden zu (außer
daß die m.W. seit Jahrzehnten nicht mehr produziert werden). Nicht aber
auf Planardioden wie die 1N4148. Die könnte man prinziell in jedes
Gehäuse packen.
Ich halte es noch nicht mal für ausgeschlossen, daß Hersteller die
sowohl BAS16 als auch 1N4148 fertigen, dafür die gleichen Kristalle
nehmen und die bloß unterschiedlich einhausen.
XL
Axel Schwenke schrieb:> Ich halte es noch nicht mal für ausgeschlossen, daß Hersteller die> sowohl BAS16 als auch 1N4148 fertigen, dafür die gleichen Kristalle> nehmen und die bloß unterschiedlich einhausen.
Bestimmt. Hast du mal nach dem Unterschied zwischen BC635 und BD135
gesucht?
Glas schrieb:> Wie steht es um die Temperaturen?> Eine 1N4148 kann 200° vertragen. Die Kunststoffgehäuse sind bei 150° zu> Ende.
Man sollte eine Schaltung keineswegs so designen, daß der Halbleiter
länger kocht. Nicht wegen des Gehäuses.
Wilhelm F. schrieb:> Man sollte eine Schaltung keineswegs so designen, daß der Halbleiter> länger kocht. Nicht wegen des Gehäuses.
??? Mal wieder ein typischer Ferkes. :-(
Es gibt unterschiedliche Bauelemente mit unterschiedlichen
Eigenschaften. Warum nur? Natürlich gibt es extreme Umgebungsbedingungen
bei denen die Spezifikationen ausgereizt werden.
Bei ICs gibt es Kunststoff und Keramik.
A. K. schrieb:> Axel Schwenke schrieb:>> Ich halte es noch nicht mal für ausgeschlossen, daß Hersteller die>> sowohl BAS16 als auch 1N4148 fertigen, dafür die gleichen Kristalle>> nehmen und die bloß unterschiedlich einhausen.>> Bestimmt. Hast du mal nach dem Unterschied zwischen BC635 und BD135> gesucht?
Hm. Du meinst die sind gleich, aber der 635 hat ein kleineres Gehäuse?
Nicht, daß ich nun länger geschaut hätte.
Nur wie kommt man von der einen Typenbezeichnung zur anderen?
Peter Dannegger schrieb:> Ich hab mal einen OC77 aufgesägt.> Zu meiner Verblüffung war unter der Metallhülle ein Transistor komplett> im Glasröhrchen.> Er lies sich danach gut als Fototransistor verwenden.
Ich habe mal in meiner Mottenkiste gekramt und unter anderem 2 Oldtimer
Transistoren gefunden: VALVO OC45 und VALVO OC71. Schätzungsweise um die
50 Jahre alt. Gehäuse: Glas schwarz lackiert 5mm Durchmesser x 15mm lang
Das hat mich jetzt an meine ersten Experimente erinnert. Aber damals
waren die Dinger eben standardmäßig aus Glas und schwarz lackiert.
Bernd K. schrieb:>…> Schätzungsweise um die> 50 Jahre alt.>…> Das hat mich jetzt an meine ersten Experimente erinnert. Aber damals> waren die Dinger eben standardmäßig aus Glas und schwarz lackiert.
Bist du aber alt duckundweg :D
Glas schrieb:> Wie steht es um die Temperaturen?> Eine 1N4148 kann 200° vertragen. Die Kunststoffgehäuse sind bei 150° zu> Ende.
Das Silizium selber degeneriert bei höheren Temperaturen. Man kann es
sich vereinfacht so vorstellen, daß die Diffusionsprozesse mit denen die
p- und n-Gebiete im Kristall bei der Herstellung erzeugt wurden, auch
bei niedrigeren Temperaturen noch weiter laufen. Ein Betrieb bei hoher
Temperatur wird also zumindest die Lebensdauer verkürzen.
Als Pi-mal-Daumen Wert habe ich 175°C für Silizium im Kopf (und 85°C für
Germanium). Daß das Epoxy-Gehäuse das nun auf 150°C begrenzt, dürfte
eher selten ein Problem darstellen.
XL
@ Martin Wende (Firma: fritzler-avr.de) (fritzler)
>Die 1N4148 gibts auch im SMD Glasgehäuse, is aber blöd die rollt immer>weg...
Es gibt die mittlerweise mit eckigen Endkappen, da rollte das nicht mehr
weg.
Michael Köhler schrieb:> Bist du aber alt duckundweg :D
Kannst wieder aus der Deckung herauskommen, ich bin 62 Jahre alt.
Und ja, wie Abdul bemerkte, ist da eine gelartige Substanz drin.
Kannten die damals schon Silikon-Implantate?
Am wahrscheinlichsten handelt es sich um eine wärmeleitende
Substanz, um die Wärme vom Chip an das Glas zu abzuleiten.
Axel Schwenke schrieb:> Das Silizium selber degeneriert bei höheren Temperaturen. Man kann es> sich vereinfacht so vorstellen, daß die Diffusionsprozesse mit denen die> p- und n-Gebiete im Kristall bei der Herstellung erzeugt wurden, auch> bei niedrigeren Temperaturen noch weiter laufen. Ein Betrieb bei hoher> Temperatur wird also zumindest die Lebensdauer verkürzen.>> Als Pi-mal-Daumen Wert habe ich 175°C für Silizium im Kopf (und 85°C für> Germanium). Daß das Epoxy-Gehäuse das nun auf 150°C begrenzt, dürfte> eher selten ein Problem darstellen.
Die 200°C Schwelle hat aber nix mit Diffusion zu tun sondern mit der
Eigenleitung von (dotiertem) Silizium. Die Diffusion ist selbst bei
400°C noch vernachlässigbar gering, nur bei solchen Temperaturen ist Si
quasi wie Cu (Stichwort: Störstellenerschöpfung ;)), die PN-Übergänge
verschwinden dabei praktisch.
Bernd K. schrieb:> Kannst wieder aus der Deckung herauskommen
Hab mich getraut stolzbin :D
Michael Köhler schrieb:> Die Diffusion ist selbst bei 400°C noch vernachlässigbar> gering,
Eine 1N4148 scheint auch problemlos höhere Temperaturen zu vertragen,
aber die Frage ist, wie lange? Einen Tag, eine Woche, einen Monat bei
200°C? Die Alterungsbeschleunigung ist dort schon mehrere Zehnerpotenzen
höher gegenüber Raumtemperatur.
Vielleicht vertragen sie sogar regelrechtes "braten" beim Einlöten. In
einer Testschaltung Drahtverhau lötete sich eine 1N4148 mal immer wieder
selbst aus, und sie hatte keinen meßbaren Schaden. Also wieder hinein
damit, bis zur nächsten Auslötung, usw.. Eine uralte Industrieschaltung
hat eine Z-Diode, die sich über gut 20 Jahre Dauerbetrieb etwas in die
Pertinaxplatine einbrannte. Das Gerät funktionierte immer noch.
Die Alterungsdrift fällt sicherlich stärker bei integrierten Bauteilen
auf, in denen es mehrere als Analogschaltung miteinander verschaltete
Halbleiterbauteile gibt. Dort ist die Sensibilität durch die Schaltung
höher. Z.B. habe ich aus einem defekten Gerät verheizte Spannungsregler
7818, sie sind in den Daten weit out of Range, wenn auch nicht richtig
defekt. Sie haben auch Hitzespuren (Rückblech farbig angelaufen,
Moldmasse stark verblaßt, etc.), und jetzt einen neuen Spannungswert.
Ge-Transistoren sind teils ganz übel, hatte sie vor einer Weile mal zum
Test auf dem Tisch. Ganz simple Kollektorschaltung mit
Basisvorwiderstand und Last. Bei nur schlaffen 50°C beginnt bereits
allmählich lawinenartig der termische Durchbruch, wenn man sie ohne
Schaltungsmaßnahmen betreibt. Mit der Hand am Ausschalter ist man nicht
schnell genug, denn bei 100°C ist er ja schon im Himmel, braucht besser
Schaltungsmaßnahmen zur Begrenzung. Um die 50°C-Schwelle zu erreichen,
führte ich die Lötkolbenheizung vorsichtig in die Nähe des Transistors,
aber so, daß er mit der Fingerprobe gut warm ist, das sind dann 50°C.
60°C sind bereits unangenehm bis heiß. In der Jugendzeit bastelte ich
noch mit Ge-Transistoren, die gab es da noch häufig.
Leistungstransistoren wie ein AD139 oder AD161/162 waren schneller im
Himmel, als die Polizei erlaubt. Damals verstand ich das nicht so. Erst
ein 2N3055 war dann unkaputtbar, hatte diese Eigenleitungseffekte eben
so gravierend nicht mehr.
Wilhelm F. schrieb:> Eine 1N4148 scheint auch problemlos höhere Temperaturen zu vertragen,> aber die Frage ist, wie lange? Einen Tag, eine Woche, einen Monat bei> 200°C? Die Alterungsbeschleunigung ist dort schon mehrere Zehnerpotenzen> höher gegenüber Raumtemperatur.
Das ist durchaus denkbar aber sind die Alterungsbeschleunigungen
wirklich auf Diffusion zurück zu führen? Wohl kaum ;)
Erstmal muss die Temperatur hoch genug sein um die Diffusion überhaupt
anzuschubsen (Stichwort Aktivierungsenergie) und dann, also bei ~400°C
haben die üblichen Dotierstoffe so nen Diffusionskoeffizienten von >
10^20 cm^2/s in Si. Das muss schon Jahre einwirken, dass sich die
Dotierung nennenswert ändert.
Nur zum Vergleich: Bei rund 1000 °C liegt der Diffusionskoeffizient bei
etwa 10^12 cm^2/s und ne Dotierung dauert üblicher Weise mehrere
Stunden...um ein paar Nano-, vielleicht Mikrometer, ins Material
einzudringen.
Als Beispiel hab ich mal den Spass für SiO2 angehangen damit man ein
Gefühl dafür bekommt.
Ich denke, dass da die Bondstellen, Packaging und Co viel kritischer auf
400°C reagieren als die Dotierung. Die juckt 400°C nicht mal.
Michael Köhler schrieb:> Wilhelm F. schrieb:>> Eine 1N4148 scheint auch problemlos höhere Temperaturen zu vertragen,>> aber die Frage ist, wie lange? Einen Tag, eine Woche, einen Monat bei>> 200°C? Die Alterungsbeschleunigung ist dort schon mehrere Zehnerpotenzen>> höher gegenüber Raumtemperatur.>> Das ist durchaus denkbar aber sind die Alterungsbeschleunigungen> wirklich auf Diffusion zurück zu führen? Wohl kaum ;)> Erstmal muss die Temperatur hoch genug sein um die Diffusion überhaupt> anzuschubsen (Stichwort Aktivierungsenergie) und dann, also bei ~400°C> haben die üblichen Dotierstoffe so nen Diffusionskoeffizienten von >> 10^20 cm^2/s in Si. Das muss schon Jahre einwirken, dass sich die> Dotierung nennenswert ändert.> Nur zum Vergleich: Bei rund 1000 °C liegt der Diffusionskoeffizient bei> etwa 10^12 cm^2/s und ne Dotierung dauert üblicher Weise mehrere> Stunden...um ein paar Nano-, vielleicht Mikrometer, ins Material> einzudringen.> Als Beispiel hab ich mal den Spass für SiO2 angehangen damit man ein> Gefühl dafür bekommt.
Danke, darüber werde ich noch mal detaillierter nach denken, und suchen.
Ich studierte keine Halbleiterphysik, aber in der Vertiefungsrichtung
Mikroelektronik kam einiges vor, bei weitem natürlich nicht alles.
In Physik lernte ich Diffusion mal nur an anderen Materialien kennen,
z.B. zwei aneinander gepreßte Platten aus Kupfer und Zink, was sich dann
unter Temperatur ohne Schmelze über das Konzentrationsgefälle und
Diffusionsprofil zu Messing legiert.
> Ich denke, dass da die Bondstellen, Packaging und Co viel kritischer auf> 400°C reagieren als die Dotierung. Die juckt 400°C nicht mal.
Das wird bestimmt eine große Rolle spielen. Ankontaktierungen von
Bönddrähten, usw.. Bei der Glasdiode sind die Kontakte wohl auch einfach
durch Federkraft angepreßt, das ist für hohe Temperaturen dann wohl
besser.
Dotiert, zumindest diffusionsdotiert, wird ja auch bei sehr hohen
Temperaturen weit jenseits der 200°C.
Auf jeden Fall habe ich aber aus einem Mikroprozessorbuch hier eine
kleine Einführung zu diesem Thema liegen, da ist die Alterung mit dem
Parameter F tabellarisch über verschiedene noch behagliche Temperaturen
dar gestellt, und Bolzmann, Elementarladung, Temperatur und solche Dinge
kommen da in Formeln auch vor. Es befindet sich dort im Exponenten einer
e-Funktion, und schon ab 20°C geht es da mit der Kurve schon stark
exponentiell los. Man wird da also schon auch Ausfallstatistiken nur
über den behaglichen Temperaturbereich haben.
Aber warum sind ausgerechnet Germaniumbauteile so schnell durch? Auch
weiche Ankontaktierungsmaterialien etc.?
Stefan schrieb:> Das waren noch Zeiten. AD161/162, 2N3055 "Spiegelei" - es leben die> 80er!
Ich habe solche AD-Teile hier noch, sogar fabrikneu unbenutzt, aber nur
mal allerhöchstens für Tests und Messungen. Die muß ich nicht mehr in
Schaltungen verheizen, gehen bei Unachtsamkeit auch viel zu schnell
hoch, wie ich schon schrieb.
Michael Köhler schrieb:> Ich denke, dass da die Bondstellen, Packaging und Co viel kritischer auf> 400°C reagieren als die Dotierung. Die juckt 400°C nicht mal.
Ja, ich hab mal mit einem Spezialisten von TI darüber unterhalten; die
haben ja eine spezielle Produktlinie mit ICs speziell für den Betrieb
bei hohen Temperaturen (> 200 °C).
Im Betrieb bei hohen Temperaturen sinkt die Lebensdauer generell, bei
200°C spielen die Diffusionsvorgänge noch keine große Rolle. Das
Hauptproblem sind die Bond-Stellen, die gehen üblicherweise als erstes
Kaputt.
Der physikalische Effekt, der dahinter steckt, nennt sich
"Kirkendall-Effekt", der bewirkt, dass an der Kontakt-Stelle Matrial von
einer Seite auf die andere wandert.
http://de.wikipedia.org/wiki/Kirkendall-Effekt
Johannes E. schrieb:> Der physikalische Effekt, der dahinter steckt, nennt sich> "Kirkendall-Effekt", der bewirkt, dass an der Kontakt-Stelle Matrial von> einer Seite auf die andere wandert.>> http://de.wikipedia.org/wiki/Kirkendall-Effekt
Ich wunderte mich ja weiter oben darüber, daß Germaniumbauteile kaum
100°C vertragen. Was mir gerade dazu ein fällt, ist noch, daß Germanium
an der Oberfläche voll der Umgebung ausgesetzt war, z.B. Luft in einem
Transistorgehäuse. Es lies sich nicht wie Silizium mit einer
SiO2-Schutzschicht passivieren, und da drang immer noch so allerhand
Schmutz durch die Oberfläche ein.
Edgar Falke schrieb:> das bin ich nicht, das ist ein Namensvetter aus Niedersachsen, auch> seine Frau ist namensgleich mit meiner verstorbenen Frau.Ich bin 83>> Edgar
Es wäre schon sehr verwunderlich, wenn du noch mit so Dingen wie
Facebook oder Xing zu tun haben müßtest.
Aber es ist immer wieder schön, nett, wie hier Forenuser nach Personen
suchen. Wobei sich ein Thema gar nicht darum dreht. ;-)
Abdul K. schrieb:>> Bestimmt. Hast du mal nach dem Unterschied zwischen BC635 und BD135>> gesucht?>> Hm. Du meinst die sind gleich, aber der 635 hat ein kleineres Gehäuse?> Nicht, daß ich nun länger geschaut hätte.
Ich denke schon. Wenn ich diese beiden in einem alten kurvenreichen
Datenbuch vergleiche, dann sind die Daten nur dort verschieden, wo das
Gehäuse eine Rolle spielt, oder wo andere Rahmenbedingungen gewählt
wurden. So sind beispielsweise die Kurven von Verstärkung,
Sättigungsspannung und Grenzfrequenz in Abhängigkeit von Ic inhaltlich
identisch. Zudem ist das Pinout mit Kollektor in der Mitte für einen
BCxxx Typ sehr ungewöhnlich, entspricht aber dem vom BD135.
Abdul K. schrieb:> Nur wie kommt man von der einen Typenbezeichnung zur anderen?
Brain V1.0. Bei solchen Assoziationen hilft es etwas, statt eines
riesigen Web-Zettelkastens inhaltlich dürftiger PDF-Datasheets
unterschiedlichster Hersteller noch auf ein ungewöhnlich detailfreudiges
klassisches Datenbuch von Valvo 1974 zurückgreifen zu können. Sowas hat
man damals durchgelesen, um einen Überblick zu kriegen.
Wilhelm F. schrieb:> Ich wunderte mich ja weiter oben darüber, daß Germaniumbauteile kaum> 100°C vertragen.
Das liegt vielleicht daran, dass die Bandgap-Energie von Germanium viel
geringer ist als die von Silizium (sie ist bei Germanium nur etwa halb
so groß wie von Silizium). Damit landet Germanium u.a. viel schneller in
der Eigenleitung als es Silizium tut. Könnte mir vorstellen, dass dies
ein Grund ist.
Glasdioden:
Ich habe noch ein paar fabrikneue Exemplare und nie benutzt OA95
Universal-Germanium-Spitzendiode hier liegen, schon 40 Jahre lang, die
ich auch noch mal messe. Ich bestellte sie als Jugendlicher mal als
Ersatzteile für ein verheiztes Multimeter, ein ICE 680R, konnte aber aus
damaliger Unkenntnis nicht wirklich was damit anfangen. Meßwiderstände
waren ja auch sichtbar abgeraucht, und ich hatte kaum Geld. Heute wäre
das anders.
Man würde es heute auch eher in die Tonne werfen, und gleich ein neues
Gerät kaufen.
Das ICE680R richtete mit den Spitzendioden alleine Wechselstrom gleich,
es hatte überhaupt keine aktiven Verstärker. Es war mit sieben OA95
bestückt. Die Skala war gegenüber der Gleichstromskala etwas
nichtlinear. Aber es ging.
Mein ältestes Exemplar Germanium-Spitzendiode im Glasgehäuse stammt
sicherlich aus den 1940-er Jahren. Es war ein Gehörschutzgleichrichter
aus einem Telefon, so weit ich weiß. Den Namen Sylvania hat sie noch,
sonst nichts, keine Typenbezeichnung. Sie leitet aber in beide
Richtungen, ist damit elektrisch wertlos.
Wilhelm F. schrieb:> Mein ältestes Exemplar Germanium-Spitzendiode im Glasgehäuse stammt> sicherlich aus den 1940-er Jahren.
Na die ist auf jeden Fall alt :D
Michael Köhler schrieb:> Wilhelm F. schrieb:>> Mein ältestes Exemplar Germanium-Spitzendiode im Glasgehäuse stammt>> sicherlich aus den 1940-er Jahren.>> Na die ist auf jeden Fall alt :D
Ja, es gab die Germanium-Halbleiterdiode bereits vor 1947, vor dem
Transistor. Das wußte ich lange auch nicht.
Wilhelm F. schrieb:> Mein ältestes Exemplar Germanium-Spitzendiode im Glasgehäuse stammt> sicherlich aus den 1940-er Jahren. Es war ein Gehörschutzgleichrichter> aus einem Telefon, so weit ich weiß.
Kannst du mal ein Bild machen?
Da hättest du ja einen richtigen Schatz.
Meines Wissens wurden in Telefonen zum Gehörschutz
Kupferoxydul-Gleichrichter eingesetzt. Und logisch, da Wechselspannung,
antiparallel.
Wilhelm F. schrieb:
>> Mein ältestes Exemplar Germanium-Spitzendiode im Glasgehäuse stammt>> sicherlich aus den 1940-er Jahren.
Das glaube ich kaum.
In den 40 Jahren hatte Siemens eine kleine Halbleiterdiode für den
Miltär-Einsatz gebaut.Das war jedoch ein anderes Halbleiter-Material,
ich glaube Kupferoxydul und wenn ich mich richtig erinnere nicht im
Glasgehäuse..
Germanium wurde erst ab den 50 Jahren verwendet.
Wegen der Militärgesetze waren Halbleiter-Entwicklungen für deutsche
Firmen erst ab 1956 erlaubt Philips in Deutschland -da holländischer
Mutterkonzern- begann bereits 1954.
Die damals gelieferten Spitzen-dioden und -Transistoren kamen im
Glasgehäuse aus Holland.
Siemens lieferte von Anfang an, seine Transistoren in Metallgehäusen.
Nur nebenbei, in den Nachkriegsjahren gab es kaum Literatur für
Elektronik.
Ich habe natürlich in meinem Wissensdurst alles verschlungen, was mir
unter die Finger kam.
Unter anderem eine Bastelzeitschrift für Detektoren aus dem Jahr 1924.
Das war damals das, was heute Mikroelektrionik ist.
Hier hatte ein Bastler beschrieben wie man mit 2 Spitzen auf einem
Bleiglanzkristall - das war das damalige Detektormaterial- und Anlegen
von
2 Spannungen eine Vertärkerfunktion bekam.
Das war also der erste Spitzen-Transistor.
Leider hatte der Mann die Bedeutung seiner Erfindung nicht erkannt und
vermarktet.
Das machten später wie bekannt die Amerikaner
Edgar
@ Michael_ (Gast)
>Meines Wissens wurden in Telefonen zum Gehörschutz>Kupferoxydul-Gleichrichter eingesetzt. Und logisch, da Wechselspannung,>antiparallel.
Oder Selendioden.
Edgar Falke schrieb:> richtig. aber ich sprach von der Entwicklung in Deutschland.
Die Deutschen hatte in diesen Jahren wohl andere Sorgen, als nach
ungeniessbaren Germaniumdioden zu graben.
Michael_ schrieb:> Wilhelm F. schrieb:>> Mein ältestes Exemplar Germanium-Spitzendiode im Glasgehäuse stammt>> sicherlich aus den 1940-er Jahren. Es war ein Gehörschutzgleichrichter>> aus einem Telefon, so weit ich weiß.>> Kannst du mal ein Bild machen?> Da hättest du ja einen richtigen Schatz.> Meines Wissens wurden in Telefonen zum Gehörschutz> Kupferoxydul-Gleichrichter eingesetzt. Und logisch, da Wechselspannung,> antiparallel.
Mal sehen, ein Foto allenfalls bei guten Tageslichtverhältnissen um die
Mittagszeit draußen auf dem Balkon, heute also auf jeden Fall nicht
mehr. Und wenn ich das Ding noch mal finde. Aber die Diode ist defekt.
Die Diode steckte auf einer Plastikfassung, die an der Unterseite
Einsteckstifte sowas wie eine Fassung hatte.
In den Telefonen z.B. FeTAp611 wurden Selengleichrichter eingesetzt,
zwei Dioden antiparallel. Das kann ich in Literatur aber auch noch mal
nach schlagen. Diese Selendioden gab es in einem billigen Plastikpack,
der an zwei äußeren Punkten vernietet war. Abmessungen etwa 1cmx3mmx3mm
mit den Blechfahnen dran.
Edgar Falke schrieb:> Wilhelm F. schrieb:>>> Mein ältestes Exemplar Germanium-Spitzendiode im Glasgehäuse stammt>>> sicherlich aus den 1940-er Jahren.>> Das glaube ich kaum.
Das Teil ist von Sylvania, USA. Vielleicht war man da der Zeit etwas
voraus.
Ich versuche, das Teil zu finden, und ein Foto davon zu machen. Dann bin
ich auf die Altersschätzung natürlich gespannt.
Es ist aber Fakt, daß es Ge-Halbleiterdioden bereits vor dem Aufkommen
des ersten Transistors 1947 gab.
Nachtrag:
Ich hab das Teil auf der Plastikfassung gefunden.
TeKaDe. Eine frühere Telefonanlagengesellschaft.
Die Diode mit Sylvania muß sich noch anders wo hier befinden, muß weiter
suchen. Ein merkwürdiges Teil richtig mit Metallkappen um den
Glaskörper. Vielleicht finde ich sie noch.
Michael_ schrieb:> Eine Spitzendiode ist für Spannungsbegrenzung nicht geeignet. Sie kann> nicht viel Energie aufnehmen.
Da ist auch nicht viel Energie in einem Telefonapparat. Einige 10
Milliwatt reichen dem.
Ist das herrlich, die alten Teile...
Ich liebe trotzdem die LL4148 im Minimelf, die lassen sich viel schöner
mit Widerständen zusammen anordnen als diese blöden Sot-23. Und drunter
durch routen kann man auch besser.
Timm Thaler schrieb:> Ist das herrlich, die alten Teile...>> Ich liebe trotzdem die LL4148 im Minimelf, die lassen sich viel schöner> mit Widerständen zusammen anordnen als diese blöden Sot-23. Und drunter> durch routen kann man auch besser.
Egal in welcher Bauform, aber diese kleine Diode ist einfach für fast
alles gut. Die Schaltgeschwindigkeit von nur 4ns überrascht doch für
eine Universaldiode auch schon.
Meine bedrahteten 1N4148 stammen noch alle von ca. 1980.
In einer UND-Verknüpfung Speicherzugriff auf einem µC-Board setzte ich
anstatt 1N4148 mal BAT42 Schottky ein, glaube heute aber, es war
unnötig, falsche Bedenken.
Wilhelm F. schrieb:> Es ist aber Fakt, daß es Ge-Halbleiterdioden bereits vor dem Aufkommen> des ersten Transistors 1947 gab.
Da ist einigen wohl nicht bewusst, dass es Dioden gut 30 Jahre (oder
sinds 40?, ich bin noch nicht so alt :D) früher schon kommerziell
eingesetzt wurden.
Nicht zu vergessen, dass es auch noch die glaspassiviert Dioden gibt.
Diese haben durch den Glasmantel eine besser Haltbarkeit bei feuchten
Umgebungen und bei höheren Temps..
Grüße
Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3317150:
> Belichtungszeit 1/250 Sekunde
Bist du irre? Die bewegt sich doch keinen µm. Selbst beim Fotografieren
von Reitern hab ich selten 1/200s Belichtungszeit (üblich: 1/40s bis
1/160s). Da hätte doch 1/10s locker genügt…oder zitterst du so sehr
duckundweg :D
Aber danke, dass du dir die Mühe gemacht hast. ;)
Im meinem Archiv aus jenen Jahren, in denen Bauteilbeschaffung aus
monetären Gründen massgeblich aus gezielten Plünderungen des
Elektronikschrotts der Gegend bestand, finden sich diversen Dioden wie
OA61, OA70, OA81. Laut Diodentest vom Messgerät sind die alle noch
intakt.
Bei Transistoren in archaischer Glasbauweise gibts den OA615 und ein
paar AF105. Aber mit Bauart 1958 aufwärts sind wir da wohl schon in der
Moderne angekommen.
Die Röhren aus dieser Ära haben irgendwann als Zielobjekte fürs
Luftgewehr geendet. :-)
einerseits… interessant! andererseits… wer hebt denn so alten müll auf?
und als drittes… schön das offensichtlich nicht nur ICH einen an der
klatsche hab :)
Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3317150:
> weißes Blatt Druckerpapier, er erscheint aber bräunlich, das sollte aber> nicht weiter stören.
Bei den meisten Kameras findest du eine Option "Manueller
Weissabgleich", dann fotografierst du ein mal dein weisses Blatt (ohne
Diode), und danach werden die Bilder ziemlich farbtreu;-)
Trotzdem: Recht interessant die Bilder, war vor meiner Zeit, und heute
sieht man kaum noch "in Bauteile", und wenn dann nur mit
Elektronenmikroskop oder sowas;-)
mfg Andreas
Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3317229:
> So Dioden mit modernerem großen Glasgehäuse habe ich hier auch liegen,> klar ohne Lack,
Das geht kunterbunt durcheinander. Selbst beim gleichen Hersteller. So
ist auch eine OA71 mit Burka dazwischen.
Und die OC161 habe ich vom gleichen Hersteller gleich in beiden
Versionen, Aufdruck TFK in schwarz und Aufdruck "TELE/FUN/KEN" blank mit
heller Schriftgrundierung. Wurden wohl irgendwann umgestellt.
c.m. schrieb:> wer hebt denn so alten müll auf?
Wenn du in den 70ern auf die Pirsch nach Bauteilen gingst und Plünderung
alter Radios und Fernseher einerseits das Taschengeld nicht belastete
und andererseits den Jagdinstinkt befriedigte, dann fällt sowas schon
mal an.
Das war genau jene Zeit, in denen solcher Kram im Schrott landete. Nicht
selten waren das Röhrengeräte mit fliegender
Sockel-zu-Lötleisten-Bauweise statt Platinen, was mir sehr entgegen kam
- da waren nämlich die Drähte lang genug, um noch was damit anfangen zu
können.
Und da dieser Kleinkram keinen Platz kostet, ist er halt noch da. Die
Röhren nicht mehr.
Und sag nicht, dass man mit sowas nichts anfangen kann. Der Suchlauf
eines Fernsehers drehte irgendwann einem Heizungsbrenner die Luft ab
(Getriebemotor für Monster-Drehko).
Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3317262:
> Meine Knipse ist die billigste Knipse von Aldi vor drei Jahren für 69€.> Das wird nicht wie im Foto-Atelier, aber ich lerne. Ich glaube aber, daß> meine heute Abend hier hoch geladenen Fotos nicht das schlechteste sind.
Meine Aussage war nicht negativ gemeint, die Farbe spielt bei den
Bildern auch nicht so eine Rolle, sollte mehr als Hinweis sein...
> Ich bemühte mich auch um Dateigrößen. Mein Corel Photo Paint> komprimierte die Originale auch noch etwas, aber nicht bis zum> Erbrechen.
Ich weiss, hier beschweren sich die Leute häufig über die Bildgrösse,
wenn die Qualität stimmt ist es aber auch ganz OK wenn die Bilder etwas
grösser sind, sonst sieht man ja gar nicht was im Glas drin ist;-)
mfg Andreas
Also, meine alten Germanium Transistoren lichte ich hier jetzt nicht ab.
Waren mit den Plastikteilen mit beidseitigen Anschlüssen solche wie auf
dem Foto gemeint. Die sind, glaube ich, nicht so sehr alt. 60er oder
70er Jahre. Und die könnten tatsächlich aus Telefonen stammen.
Bezeichnungen sind keine drauf, außer (+) und (-). Gemessen habe ich bei
beiden ca. 0,6V Durchlasspannung. Eine Kurve habe ich jetzt nicht
aufgenommen ...
Hi Wilhelm,
Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3317349:
> Wolfgang Heinemann schrieb:>>> Waren mit den Plastikteilen mit beidseitigen Anschlüssen solche wie auf>> dem Foto gemeint.>> Genau. Ich schrieb weiter oben schon mal, so Preßteile mit 2 Nieten.> Genau das sind sie. Ich sah sie frühestens 1975 mal.
ich denke mal das die auch aus der Zeit sind.
Ich habe jetzt noch eine gefunden, kann aber sein das die auch nicht
wirklich alt ist. Ein S32 von ITT. Sieht auch eher nach 70er Jahre aus.
Durchlasspannung ca 0,5V.
Auch die Transistoren habe ich jetzt mal durch gewühlt. Der älteste
scheint der GFT20 von TE.KA.DE zu sein. Ist wohl von 1957. Dann gibt es
noch einen STC TK41c von 1969 und einen von dem ich nicht weis was es
für ein Teil ist.
Drauf steht SGS 2G605. Weis einer von Euch was das für ein Transistor
ist?
So, jetzt die letzte .. von der weis ich auch nichts. Die Aufschrift
kann man nicht mehr richtig lesen, eine Durchgangsspannung ist nicht
messbar. Die scheint hinüber zu sein.
Was ich noch lesen kann; Hersteller GTE, LTVG11 oder CTVG11 ??
Hi Wilhelm,
macht nichts, wenn ich nichts darüber heraus finde. Ich leg die Teile
einfach wieder in die Kiste ;-)
Über den SGS 2G605 weis ich inzwischen nur das es ein
Kleinsignaltransistor ist, das hatte ich mir aber schon gedacht. Daten
aus einem Transistor-Buch von 1975. Wird wohl auch aus der Zeit sein.
Diese frühen Dioden haben wohl alle schnell den Geist ausgehaucht. Die
letzte (von GTE) sieht zwar "dick" aus, war aber sicherlich von den
Werten nicht so dolle. Das Gehäuse sieht wirklich nach sehr billigem
Kunststoff aus.
Wolfgang Heinemann schrieb:> und einen von dem ich nicht weis was es für ein Teil ist.> Drauf steht SGS 2G605. Weis einer von Euch was das für ein> Transistor ist?
Steht doch drauf: ein 2G605. Ge, pnp. 20V, 200mA, 7.5MHz (in Basis-
schaltung). Gehäuse ähnlich TO-39, Standard-Pinout E(Nase)-B-C.
Das schlaue Buch kennt auch den Hersteller: Societa Generale
Semiconduttori, Milano, Italy.
XL
Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3317192:
> Michael_ (Gast) weiter oben wollte ja mal ein paar Bilder sehen.>> Also, wenn niemand mehr was sehen will, höre ich gerne hier auch auf,> das spart mir etwas Arbeit. ;-)
Mann, was hast du für Schätze! Wenn die Diode, die wie ein Widerstand
aussieht, dann ist sie eine Ge-Diode.
Sortiere sie mal und mach eine Dokumentation aus deinen Kellerbeständen.
c.m. schrieb:> einerseits… interessant! andererseits… wer hebt denn so alten müll auf?> und als drittes… schön das offensichtlich nicht nur ICH einen an der> klatsche hab :)
In 50 Jahren blickst du auch zurück und hast den Keller voll Gerümpel.
Falls du das erlebst. Bleib schön ruhig.
A. K. schrieb:> Bei Transistoren in archaischer Glasbauweise gibts den OA615 und ein> paar AF105.
Die OA615 ist doch sicher eine Diode.
Mein erster Detektor-Ersatz war eine OA610 im grünen Keramikgehäuse.
Aus Nostalgriegründen wollte ich die nochmal wiederhaben, leider kein
Erfolg.
Die letzten Ge-Dioden hab ich bei der Ladeschaltung für NC-Akkus auf
PC-Hauptplatinen gesichtet.
Aber Wilhelm, schalte doch bitte deine Kamera auf Automatik. Die hat
doch sicher auch Blitz. Das Problem sitzt hinter dem Sucher! Hör auf mit
dem Gejammer, das die Sonne nicht scheint.
Hi Axel,
danke für die Antwort.
Axel Schwenke schrieb:> Wolfgang Heinemann schrieb:
...
> Steht doch drauf: ein 2G605. Ge, pnp. 20V, 200mA, 7.5MHz (in Basis-> schaltung). Gehäuse ähnlich TO-39, Standard-Pinout E(Nase)-B-C.> Das schlaue Buch kennt auch den Hersteller: Societa Generale> Semiconduttori, Milano, Italy.
ja, nur leider weis ich nicht wann die gebaut wurden :-)
Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3317409:
> ch hatte komische unbekannte ICs mehr als 10 Jahre lang herum liegen,> ein SAB80C382. Über das Forum hier bekam ich irgendwann mal einen> Hinweis.
Bitte nicht noch mal! Du hast das mindestens schon 5-mal erwähnt!
Hallo Wilhelm,
das gibt erstmal ein Fleißkärtchen und 10 Extrapunkte '..........'
Ich habe gerade auch mal in meine Mottenkiste geschaut und einige
Oldies entdeckt. Da finden sich unter anderem:
OC45, OC71, OC304, AY102, AC176K, AC187K, AC188K, AD161, AD162, ADY13,
AUY27, BU114, BU312 und auch die genannten Glasdioden von TEKADE und
SYLVANIA sind vertreten.
Wenn jetzt jemand sagt: "Schmeiß weg den Scheiß' kann ich nur sagen,
recht hat er.
Doch jedesmal, wenn ich das versuche, krampft es in meinem Arm :-D
Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3317171:
> Warum ich mir die Mühe mit der Belichtungszeit mache: Mit 1/30s oder> 1/60s wird es einfach Müll, ohne Stativ.
Also doch am Zittern :D
Ich finds toll, dass du dir die Mühe gemacht hast. Diese alten Bauteile
haben auch irgendwie was finde ich ;)
Hi Wilhelm,
Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3318425:
> Bernd K. schrieb:>>> Hallo Wilhelm,
...
> Nicht, daß sich hier jemand meine Ge-Halbleiter-Sammlung großartig und> gigantisch vor stellt:>> Was ich gestern zeigte, ist schon mehr als die Hälfte der Ge-Bauteile.> Sie passen vom Volumen her alle zusammen in ungefähr zwei gewöhnliche> Streichholzschachteln. Und die kleine Menge stört doch wirklich gar> nicht.
jetzt muss ich aber mal strunzen, da habe ich mehr hier rum liegen ;-)
Alleine von den langen Glasröhrchen habe ich 10 Stück, ohne Aufdruck ...
Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3318415:
> Mit einem halben Ampere Nennstrom. Das scheint wohl da bei denen ein> Tippfehler zu sein.
Du hast übersehen, da sind 10 Stück in der Packung. ;-)
Timm Thaler schrieb:> Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3318415:>> Mit einem halben Ampere Nennstrom. Das scheint wohl da bei denen ein>> Tippfehler zu sein.>> Du hast übersehen, da sind 10 Stück in der Packung. ;-)
Ja eben, selbst für 10 davon ist es zu viel :D
Die OA90 verträgt laut Datenblättern 500-1000µA Impulsstrom.
Bei Pollin 500µA.
Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3318499:
> Ich habe die richtigen Daten der OA90 auch nicht. In der Regel lagen die> Spitzendioden etwa um die 10mA herum.
Zum Bsp. hat die DDR Ge-Diode GAY61 einen Dauergrenzstrom von 300mA.
Transistoren
- 2SB77 Ge-NF Schalttransistor
- SFT ?25 Ge
- GF501 Mesa HF-Transi 100MHz von TESLA, ist wohl nicht in Serie
gegangen
- OC1077 von Tungsram (Valvo), entspr. dem OC77
Dioden
- OA79 Ge
- ???
- OA161 TFK Ge
- OA1180 von Tungsram Ge
- BY409 Si Hochspannung für TV-Kaskaden
- wie oben, aber von TESLA
- OA685 Ge WF Berlin
- OAZ207 Z-Diode, innen ist Glas
- Si-Diode russisch???
- Si-Diode russisch??? sehr rustikales Gehäuse mit starken Grat.
Aufgenommen mit 5MP-Billig-Kamera, 10 Jahre alt, Automatik, Blitz, Makro
Wilhelm F. schrieb im Beitrag #3318499:
> Ich habe die richtigen Daten der OA90 auch nicht. In der Regel lagen die> Spitzendioden etwa um die 10mA herum.
Ist verschieden. Ich habe aus aktuellem Anlaß gerade mal ein paar alte
Kataloge (Ostblock) gewälzt. Und da gibt es auch Ge-Spitzendioden die
bis 300mA dauerhaft aushalten (z.B. GAY61 von WF). Der Nennstrom liegt
typisch Faktor ~3 darunter. Besonders verrückt sieht es für die GAZ17
aus, die ich hier massenhaft rumliegen habe. Da ist der Nennstrom 20mA,
Dauergrenzstrom 120mA. Präferiertes Anwendungsgebiet: Schaltdiode für
Digitalelektronik. Muß wohl von den diversen Leiterplatten kommen die
ich in meiner frühen Jugend ausgeschlachtet habe.
XL