Hallo zusammen! Verwende derzeit das STM32F4Discovery-Board zusammen mit einem Bluetooth HC-05 Modul. Das Modul hängt derzeit direkt am 3V-Pin des Discovery-Boards. Bräuchte die Möglichkeit, die Versorgung des HC-05 über einen GPIO schalten zu können. Folgende Schaltung mit einem p-Kanal-MOSFET kam mir in den Sinn: (siehe Anhang 1). Soweit zur idealen Theorie. Laut Datenblatt (http://www.mcu-turkey.com/wp-content/uploads/2013/01/HC-Serial-Bluetooth-Products-201104.pdf) zieht das HC-05 Modul einen maximalen Strom von 40mA (normal 8mA) und benötigt eine Spannung von 3.0 - 4.2V. Laut dieser Seite (http://english.cxem.net/arduino/arduino4.php) beträgt die minimale Versorgungsspannung 2.7V. Der 3V-Pin des Discovery-Boards liefert 2.95V. Zu viel Spannung soll also durch die zusätzliche Verschaltung nicht verschenkt werden. Der MOSFETs: Er sollte bei einem V(GS) von -2.95V des GPIOs soweit durchgeschaltet sein, dass der benötigte Strom geliefert werden kann und an ihm selbst auf Grund eines geringen R(DS,ON) wenig von den 2.95V abfallen. Bei einem angenommenen R(DS,ON) von 1 Ohm wären es bei 40mA ca. 40mV => noch 2.91V für das Modul übrig. Angenommen, meine Überlegungen stimmen soweit (verbessert mich bitte, falls ich falsch liege), dann ist mein Problem nun, dass ich mir bei der Wahl eines MOSFETs unsicher bin. Ich muss dazu sagen, dass ich hier zum ersten mal selbst versuche, nen realen Transistor für einen realen Einsatz zu finden. Was meine bisherige Recherche ergab: - wenn man keine Ahnung hat vom Suchen eines Transistors, dann ist man auf Seiten wie Reich*** oder Pol*** irgendwie arm dran. Auf Farn*** kann man wenigsten nach Kennwerten filtern - bei den im Datenblatt angegebenen Werten für V(GS,th) fließt oftmals noch nicht genügend Strom (laut V(GS);I(DS)-Kennlinie). Da V(GS,th) aber ja nur aussagt, dass sich hier eine große Änderung der Leitfähigkeit ergibt, ist das wahrscheinlich in Ordung. Ein scheinbar guter Kandidat wäre der SI2301 (dritter von oben: http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht). Laut seinem Datenblatt (http://www.vishay.com/docs/70627/70627.pdf) kann bei einem V(GS) von -2.5V ein Strom von 1.9A bzw. laut Kennlinie "Transfer-Characteristics" ein Strom von ca. 8A fließen. (Warum sind die Werte unterschiedlich?). Da mein Aufbau derzeit auf nem Breadboard stattfindet, frage ich mich, ob ich die Anschlüsse dieser kleinen SMD-Gehäuse (um die man bei MOSFETs anscheinend nicht rum kommt) einfach Kabel anlöten kann, oder ist das ein unmögliches Unterfangen? Wie gesagt, wenn ich irgendwelche Denkfehler mache (z.B. beim Datenblatt lesen), oder ihr Vorschläge, Verbesserungen und dergleichen (bzgl. Transistor suchen, Verschaltung, usw.) habt, dann wäre ich hierfür dankbar.
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> Da mein Aufbau derzeit auf nem Breadboard stattfindet, frage ich mich, > ob ich die Anschlüsse dieser kleinen SMD-Gehäuse (um die man bei MOSFETs > anscheinend nicht rum kommt) einfach Kabel anlöten kann, oder ist das > ein unmögliches Unterfangen? Das wäre die übliche Vorgehensweise. Am einfachsten wäre es, einen Mosfet mit etwas größerem Gehäuse zu nehmen, z.B. den IRF7220 oder IRF7410. Die sind im SO8-Package, und Drain und Source sind parallel auf mehreren Pins. Da könnte man gut jeweils einen steifen Draht längs über die Pinreihe löten, sodass er parallel zum Gehäuse liegt. Damit kann dann der Mosfet quasi auf der Kante stehend eingesteckt werden. Und den Gate-Pin könnte man dann mit einem flexibelen Draht anschließen.
Mark B. schrieb: > bei einem V(GS) von -2.5V ein Strom von 1.9A bzw. laut Kennlinie > "Transfer-Characteristics" ein Strom von ca. 8A fließen. (Warum sind die > Werte unterschiedlich?). Der kleinere ist der vom Hersteller garantierte, per Messung überprüfte, der andere ist der typische bei meist 25GradC, kann also, kann aber auch nicht, und gilt bestimmt nicht bei 125GradC.
uwegw schrieb: >> Da mein Aufbau derzeit auf nem Breadboard stattfindet, frage ich mich, >> ob ich die Anschlüsse dieser kleinen SMD-Gehäuse (um die man bei MOSFETs >> anscheinend nicht rum kommt) einfach Kabel anlöten kann, oder ist das >> ein unmögliches Unterfangen? > > Das wäre die übliche Vorgehensweise. > Am einfachsten wäre es, einen Mosfet mit etwas größerem Gehäuse zu > nehmen, z.B. den IRF7220 oder IRF7410. Die sind im SO8-Package, und > Drain und Source sind parallel auf mehreren Pins. Da könnte man gut > jeweils einen steifen Draht längs über die Pinreihe löten, sodass er > parallel zum Gehäuse liegt. Damit kann dann der Mosfet quasi auf der > Kante stehend eingesteckt werden. Und den Gate-Pin könnte man dann mit > einem flexibelen Draht anschließen. Die Gehäuse hat ich gesehen, aber der Sinn hatte sich mir nicht ganz erschlossen. Werd ich mir merken, danke! Jedoch sind speziell die Zwei vom Threshold her zu knapp an meiner Versorgung dran. MaWin schrieb: > Mark B. schrieb: >> bei einem V(GS) von -2.5V ein Strom von 1.9A bzw. laut Kennlinie >> "Transfer-Characteristics" ein Strom von ca. 8A fließen. (Warum sind die >> Werte unterschiedlich?). > > Der kleinere ist der vom Hersteller garantierte, per Messung überprüfte, > der andere ist der typische bei meist 25GradC, kann also, kann aber auch > nicht, > und gilt bestimmt nicht bei 125GradC. Macht dann schon eher Sinn. Danke! Wenn ich das jetzt richtig interpretier, dann gibt es an sich keine wirklichen Einwürfe bzgl. der Verschaltung und der Wahl des SI2301? Falls dem so is, wäre ne kurze Rückmeldung im Sinne von "Sollte funktionieren." hilfreich. :)
Normalerweise kommen noch 100kOhm an Masse, damit der Mosfet während der Initialisierung sicher aus bleibt.
Kein Name schrieb: > Normalerweise kommen noch 100kOhm an Masse, damit der Mosfet während der > Initialisierung sicher aus bleibt. In meinem Fall würde ein Pull-Down am Gate doch eher bewirken, dass der MOSFET sicher AN bleibt, sofern der GPIO zeitweise floated, weil das Gate auf Low gehalten wird. Oder seh ich da was falsch?
Verdammt... natürlich zwischen Gate und Source.
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