Hallo, ich würde gerne eine Halbbrücke aufbauen, die ich mit 50V ansteuere. Belastet wird diese mit maximal 2 A. Die Frequenz soll variable zwischen 30kHz und 60kHz einstellbar sein. Ich habe bereits eine Brücke mit einem IGBT-Modul und dem Skyper_32 Modul von semikron getestet. Dies ist jedoch sehr überdimensioniert. Die Brückenschaltung incl. Treiber möchte ich möglichst platzsparend aufbauen. Als Treiber bin ich über den lm5106 gestolpert. http://www.ti.com/product/lm5106 Hat jemand in diesem Bereich Erfahrung nach was man den Treiber und die Brücke auslegt bzw. diese Bauteile auswählt? Viele Grüße Peter
Hi Peter, der Treiber sieht ja wirklich nett aus. Ich selbst habe gerade einen anderen verwendet. Die Bauteile sind nicht sehr kritisch zu sehen, eher das Layout! Der Boot kondensator so 100n-1uF die Diode der Spannung entsprechend. Vcc mit ebenfalls 10uF dicht am IC. Leiterbahn zum Gate so kurz wie möglich.
Gut, Danke Martin. Ich habe jetzt zwei N-Mosfets CSD19531KCS und den LM5106 bestellt. Ich melde mich, wenn der erste Aufbau steht.
Hallo, ich habe die Schaltung mit den N-Mosfets und dem LM104 nach Datenblatt aufgebaut. Nur die Diode von VCC zu HB habe ich nicht angeschlossen, da sie als optional beschrieben wird. Kann mir jemand die Funktion der Diode erklären? Im Leerlauf bekomme ich am Pin HS ein alternierendes Signal. Beide Mosfets werden richtig angesteuert. Bevor ich einen Schwingkreis aufbaue, wollte ich die Brücke mit einer ohmschen Last testen. Jedoch brennt der LM104 durch, sobald ein Widerstand kleiner 2kOhm angeschlossen wird. Der Drainstrom des High-Mosfets war maximal bei 40mA. Kann mir jemand erklären wieso das IC durchbrennt, wenn ich die Mosfets belaste? Vcc = 11V Vin = 18V
Hi, die Diode muss da rein. Diese dient als sog. Bootstrap d.h. Etwas ähnliches wie eine ladungspumpe. Diese macht das durchschalten das hs fet's gerade erst möglich! Wenn du den hs fet misst muss Masse vom oszi an Source!
Hallo Martin, Danke für die Antwort. Messen ist klar. Ich löte eine Diode mal ein. Aber wieso steht im Datenblatt vom LM5104 auf Seite 12, dass diese Diode optional ist?
Hallo Peter, Sobald Vcc kleiner Vin ist, muss die Diode drin sein.
Ich habe nun eine Diode eingelötet. Es ändert jedoch nichts an der Stromaufnahme meines ICs. Sobald ich eine Last anschließe, steigt der Strom von meinem IC. Ich habe den Strom auf 50mA begrenzt, sonst wird das IC zu heiß. Der Drainstrom steigt im Vergleich nur sehr gering an, etwa bis 20mA. Ich kann mir einfach nicht erklären, wieso der Strom vom IC ansteigt und nicht der Drainstrom. Hat jemand eine Idee? Die Schaltung habe ich mehrmals kontrolliert. Sie stimmt mit der Schaltung im Datenblatt überein.
Nur mal eine Anmerkung. Darf den V_In überhaupt grösser als VDD sein ??? Laut Datenblatt doch nicht oder irre ich mich da. Gruss Maedelmacher
Maedelmacher schrieb: > Nur mal eine Anmerkung. Darf den V_In überhaupt grösser als VDD sein ??? > > Laut Datenblatt doch nicht oder irre ich mich da. > > Gruss Maedelmacher Mist.....mit Vin meinst du ja die Versorgung der Halbbrücke und nicht den Steuereingang.....
Hallo Peter, mach mal bitte Fotos, Zeichnungen oder was dir gerade noch so einfällt. Ich muss sehen was du da gebaut hast sonst kann ich den Fehler nicht erahnen. Bauteilwerte sind ebenfalls sehr wichtig!
Ich glaube ich habe das Problem gefunden. Nachdem ich eine andere Diode eingelötet habe ( SS1P3L ), funktioniert die Schaltung. Stromaufnahme bleibt jetzt konstant bei 50mA. Der Drainstrom ändert sich entsprechend zur Last. Trotzdem danke für die Hilfe. Falls noch Probleme auftauchen, melde ich mich gleich mit einer Zeichnung. Da kommt mir noch eine andere Frage. Könnte ich die Halbbrücke auch so schalten, dass die Masse von Vcc und Vin getrennt sind und die beiden Mosfets mit einer +/- Spannung versorgt werden. Die Masse von der Mosfet-Spannung würde dann am anderen Ende der Last liegen. Ich habe beide Varianten in Schaltungen gesehen jedoch noch keine Erklärung gefunden, welche Vorteile die jeweilige Schaltung mit sich bringt.
Peter schrieb: > Trotzdem danke für die Hilfe. Klar gern! > Da kommt mir noch eine andere Frage. Könnte ich die Halbbrücke auch so > schalten, dass die Masse von Vcc und Vin getrennt sind und die beiden > Mosfets mit einer +/- Spannung versorgt werden. Masse=GND darf höchstens 1-2V von VSS unterschied haben, wenn zuviel potentialunterschied vorhanden ist, schaltet der LS MosFET nicht mehr oder nur ganz beschissen. Natürlich ist Masse=GND=VSS immer das beste. > Die Masse von der > Mosfet-Spannung würde dann am anderen Ende der Last liegen. Da weiß ich nicht was du meinst...
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ok, ich habe mich etwas umständlich ausgedrückt. Hier ein kleiner Schaltplan was ich meine. Die Anschlüsse am Treiber habe ich offen gelassen, es geht mir nur um die Verschaltung der Mosfets.
Die LO Leitung taktet ja mit Rechteck Vpp 11V und bezogen auf -15V heißt das 26V,15V,26V,15V usw. Also kann es nicht funktionieren. Im Datenblatt zum mosfet findest du die Gate Spannung im Diagramm zum widerstand. Daraus ließt du ab wann er schaltet und wann nicht. Sollte etwa bei 5V liegen
Ja, du hast recht man bräuchte für jeden Mosfet eine eigene Quelle um ein ausreichend großes U_GS zu erhalten. Dennoch, was für einen Vorteil bekommt man, wenn die Mosfets mit +/- 15V und GND nach der Last liegt? Wird das praktisch überhaupt verwendet?
Peter schrieb: > Dennoch, was für einen Vorteil bekommt man, wenn die Mosfets mit +/- 15V > und GND nach der Last liegt? Wird das praktisch überhaupt verwendet? Wenn du einen trafo (ohne mittelabgriff) betreiben möchtest spart man sich so 2 mosfets und kann quasi jeden trafo/Übertrager einsetzen den man will. Würde ich aber trotzdem nie so machen...
Martin D. schrieb: > Hi, > die Diode muss da rein. Diese dient als sog. Bootstrap d.h. Etwas > ähnliches wie eine ladungspumpe. Diese macht das durchschalten das hs > fet's gerade erst möglich! Nein, die Diode muss nicht hinein, denn der LM5104 hat eine interne Bootstrap-Diode. Die ist nur ziemlich beschissen.
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