Hallo,
ich würde gerne eine Halbbrücke aufbauen, die ich mit 50V ansteuere.
Belastet wird diese mit maximal 2 A. Die Frequenz soll variable zwischen
30kHz und 60kHz einstellbar sein.
Ich habe bereits eine Brücke mit einem IGBT-Modul und dem Skyper_32
Modul von semikron getestet. Dies ist jedoch sehr überdimensioniert. Die
Brückenschaltung incl. Treiber möchte ich möglichst platzsparend
aufbauen.
Als Treiber bin ich über den lm5106 gestolpert.
http://www.ti.com/product/lm5106
Hat jemand in diesem Bereich Erfahrung nach was man den Treiber und die
Brücke auslegt bzw. diese Bauteile auswählt?
Viele Grüße
Peter
Hi Peter,
der Treiber sieht ja wirklich nett aus. Ich selbst habe gerade einen
anderen verwendet.
Die Bauteile sind nicht sehr kritisch zu sehen, eher das Layout!
Der Boot kondensator so 100n-1uF die Diode der Spannung entsprechend.
Vcc mit ebenfalls 10uF dicht am IC.
Leiterbahn zum Gate so kurz wie möglich.
Hallo,
ich habe die Schaltung mit den N-Mosfets und dem LM104 nach Datenblatt
aufgebaut. Nur die Diode von VCC zu HB habe ich nicht angeschlossen, da
sie als optional beschrieben wird. Kann mir jemand die Funktion der
Diode erklären?
Im Leerlauf bekomme ich am Pin HS ein alternierendes Signal. Beide
Mosfets werden richtig angesteuert. Bevor ich einen Schwingkreis
aufbaue, wollte ich die Brücke mit einer ohmschen Last testen. Jedoch
brennt der LM104 durch, sobald ein Widerstand kleiner 2kOhm
angeschlossen wird. Der Drainstrom des High-Mosfets war maximal bei
40mA.
Kann mir jemand erklären wieso das IC durchbrennt, wenn ich die Mosfets
belaste?
Vcc = 11V
Vin = 18V
Hi,
die Diode muss da rein. Diese dient als sog. Bootstrap d.h. Etwas
ähnliches wie eine ladungspumpe. Diese macht das durchschalten das hs
fet's gerade erst möglich!
Wenn du den hs fet misst muss Masse vom oszi an Source!
Hallo Martin,
Danke für die Antwort. Messen ist klar. Ich löte eine Diode mal ein.
Aber wieso steht im Datenblatt vom LM5104 auf Seite 12, dass diese Diode
optional ist?
Ich habe nun eine Diode eingelötet. Es ändert jedoch nichts an der
Stromaufnahme meines ICs. Sobald ich eine Last anschließe, steigt der
Strom von meinem IC. Ich habe den Strom auf 50mA begrenzt, sonst wird
das IC zu heiß. Der Drainstrom steigt im Vergleich nur sehr gering an,
etwa bis 20mA.
Ich kann mir einfach nicht erklären, wieso der Strom vom IC ansteigt und
nicht der Drainstrom. Hat jemand eine Idee?
Die Schaltung habe ich mehrmals kontrolliert. Sie stimmt mit der
Schaltung im Datenblatt überein.
Maedelmacher schrieb:> Nur mal eine Anmerkung. Darf den V_In überhaupt grösser als VDD sein ???>> Laut Datenblatt doch nicht oder irre ich mich da.>> Gruss Maedelmacher
Mist.....mit Vin meinst du ja die Versorgung der Halbbrücke und nicht
den Steuereingang.....
Hallo Peter,
mach mal bitte Fotos, Zeichnungen oder was dir gerade noch so einfällt.
Ich muss sehen was du da gebaut hast sonst kann ich den Fehler nicht
erahnen.
Bauteilwerte sind ebenfalls sehr wichtig!
Ich glaube ich habe das Problem gefunden. Nachdem ich eine andere Diode
eingelötet habe ( SS1P3L ), funktioniert die Schaltung. Stromaufnahme
bleibt jetzt konstant bei 50mA. Der Drainstrom ändert sich entsprechend
zur Last.
Trotzdem danke für die Hilfe. Falls noch Probleme auftauchen, melde ich
mich gleich mit einer Zeichnung.
Da kommt mir noch eine andere Frage. Könnte ich die Halbbrücke auch so
schalten, dass die Masse von Vcc und Vin getrennt sind und die beiden
Mosfets mit einer +/- Spannung versorgt werden. Die Masse von der
Mosfet-Spannung würde dann am anderen Ende der Last liegen.
Ich habe beide Varianten in Schaltungen gesehen jedoch noch keine
Erklärung gefunden, welche Vorteile die jeweilige Schaltung mit sich
bringt.
Peter schrieb:> Trotzdem danke für die Hilfe.
Klar gern!
> Da kommt mir noch eine andere Frage. Könnte ich die Halbbrücke auch so> schalten, dass die Masse von Vcc und Vin getrennt sind und die beiden> Mosfets mit einer +/- Spannung versorgt werden.
Masse=GND darf höchstens 1-2V von VSS unterschied haben, wenn zuviel
potentialunterschied vorhanden ist, schaltet der LS MosFET nicht mehr
oder nur ganz beschissen. Natürlich ist Masse=GND=VSS immer das beste.
> Die Masse von der> Mosfet-Spannung würde dann am anderen Ende der Last liegen.
Da weiß ich nicht was du meinst...
ok, ich habe mich etwas umständlich ausgedrückt. Hier ein kleiner
Schaltplan was ich meine. Die Anschlüsse am Treiber habe ich offen
gelassen, es geht mir nur um die Verschaltung der Mosfets.
Die LO Leitung taktet ja mit Rechteck Vpp 11V und bezogen auf -15V heißt
das 26V,15V,26V,15V usw. Also kann es nicht funktionieren. Im Datenblatt
zum mosfet findest du die Gate Spannung im Diagramm zum widerstand.
Daraus ließt du ab wann er schaltet und wann nicht. Sollte etwa bei 5V
liegen
Ja, du hast recht man bräuchte für jeden Mosfet eine eigene Quelle um
ein ausreichend großes U_GS zu erhalten.
Dennoch, was für einen Vorteil bekommt man, wenn die Mosfets mit +/- 15V
und GND nach der Last liegt? Wird das praktisch überhaupt verwendet?
Peter schrieb:> Dennoch, was für einen Vorteil bekommt man, wenn die Mosfets mit +/- 15V> und GND nach der Last liegt? Wird das praktisch überhaupt verwendet?
Wenn du einen trafo (ohne mittelabgriff) betreiben möchtest spart man
sich so 2 mosfets und kann quasi jeden trafo/Übertrager einsetzen den
man will.
Würde ich aber trotzdem nie so machen...
Martin D. schrieb:> Hi,> die Diode muss da rein. Diese dient als sog. Bootstrap d.h. Etwas> ähnliches wie eine ladungspumpe. Diese macht das durchschalten das hs> fet's gerade erst möglich!
Nein, die Diode muss nicht hinein, denn der LM5104 hat eine interne
Bootstrap-Diode.
Die ist nur ziemlich beschissen.
Eine eigene Frage?
Dieser Thread ist über 13 Jahre alt.
Stell sie in einem eigenen Thread – dort lesen mehr Leute mit, und sie wird öfter und schneller beantwortet.
