Hallo, ich will mit einem p-MOSFET etwas ein- und ausschalten. Geschaltet werden sollen 12V bei 4 Ampere. Der Mikrocontroller liefert maximal 3,3V an Gate des MOSFETs. Ausgesucht habe ich mir diesen hier. http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irf7220.pdf Im Datenblatt ist recht weit oben Continuous Drain Current, VGS@ -4.5V mit 11 Ampere angegeben. Das würde für meine Anwendung ausreichen (zumindest wenn man @ -4.5V ingoniert). Weiter unten jedoch bei Source-Drain Ratings and Characteristics steht Continuous Source Current -2,5A. Ich bin jetzt etwas unsicher, soll das zweite die Angabe für die Sperrichtung sein? Funktioniert das was ich vor habe bei 3,3V Steuerspannung und wird der MOSFET warm bei der ganzen Sache? Über ein paar Antworten würde ich mich freuen. Viele Grüße Meike
Meike Waldmann schrieb: > Im Datenblatt ist recht weit oben Continuous Drain Current, VGS@ -4.5V > mit 11 Ampere angegeben. Das steht unter "Absolut Maximum Ratins" für 25°C Umgebungstemperatur, ist also eher nicht als Dauerbetriebszustand anzustreben. Die weiter unten angegebenen max. 2,5 A sind "Continuous Source Current MOSFET symbol (Body Diode)", d.h. das hat nichts mit dem Strom durch den DS-Kanal zu tun, sondern gilt nur für die Substrat-Diode.
So spontan dürfte das ein FDD4141 können wobei der mit -50A durchaus etwas Overpowered sein dürfte :D
Meike Waldmann schrieb: > ich will mit einem p-MOSFET etwas ein- und ausschalten. Geschaltet > werden sollen 12V bei 4 Ampere. Der Mikrocontroller liefert maximal 3,3V > an Gate des MOSFETs. So funktioniert das überhaupt nicht. Der P-MOS arbeitet als High-Side-Schalter, sein Source-Anschluss liegt auf 12V. Wenn das Gate 0/3,3V sieht, ist der Fet immer an, weil die Gate-Source-Spannung 12V bzw. 8,7V ist. Entweder du nimmst einen N-MOS und legst die Last vom Drain nach 12V oder du brauchst noch eine Pegelanpassstufe.
Danke ArnoR. Mit deiner Beschreibung habe ich mich Schlau gemacht und weiß nun wo das Problem liegt. Viele Grüße Meike
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