Ungewolltes Einschalten von IGBTs verhindern. PNP Transistor

Alex Gast #3373540
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Hi,

im folgenden Link wird beschrieben, wie man ungewolltes Einschalten 
eines IGBTs verhindern kann. Seite 7 zeigt eine Möglichkeit mithilfe 
eines PNP Transistors. Das Prinzip denke ich zu verstehen, jedoch ist 
mir der genaue Sinn von R_E unklar.

http://www.infineon.com/dgdl/Driving+IGBTs+with+unipolar+gate+voltage+-an-2006-01-gb.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b40b53790783

Es wäre nett, wenn mir jemand auf die Sprünge helfen könnte.


Danke.
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Alex Gast #3373638
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oszi40 schrieb:

> Hürde der Z-Diode erreicht. Der R_E sorgt dafür das der pnp-Tansistor
> ausreichend leitet.

Aber wird das nicht durch R_B erreicht? Der bestimmt doch den Basisstrom 
und letztendlich die Stromverstärkung (=ausreichend leitend?!?) des PNP 
Transistors.

Oder missverstehe ich komplett das Prinzip von stromgesteuerten 
Bipolartransistoren?
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oszi40 Gast #3373657
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Dein Transistor HAT eine Stromverstärkung und der R_E sollte so bemessen 
werden, daß er aureichend Strom liefert, damit über RB der 
pnp-Transistor leitend wird. Erst wenn von links eine positive Spannung, 
die diesen Strom aufhebt kommt, wird der pnp hochohmig und das Gate kann 
nach Überwindung der Z-Diode aufgeladen werden.

Bedenke bitte, daß bei pnp die Polaritäten genau entgegen zu npn sind.
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0208031.htm
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Johannes E. #3374375
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Der R_E hat auf das Schaltverhalten des PNP keinen großen Einfluss, 
solange der Gate-Treiber einen definierten High- oder Low-Pegel ausgibt 
und R_G deutlich niederohmiger als R_E ist.

Üblicherweise ist R_E relativ hochohmig (z.B. 10 k) und sorgt dafür, 
dass der IGBT aus ist, wenn der Gate-Treiber keine Versorgungsspannung 
hat und dadurch am Ausgang hochohmig ist; hat also eher eine 
Sicherheitsfunktion.
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