Kurze Anfrage: Ich möchte dass ein FET langsam (ein)schaltet (geringe dynamische Belastung der Versorgung), dazu ist ein 10M im Gate angedacht. Gibt es Gründe (ausser Einsteuung usw.) keinen 10M zu verwenden: FET PMV64XP, also einer der ab 1V schon durchschaltet. Kurt (Der R soll mit dem Gate_C einen Tiefpass bilden)
@ Kurt Bindl (kurt-b) >Ich möchte dass ein FET langsam (ein)schaltet (geringe dynamische >Belastung der Versorgung), dazu ist ein 10M im Gate angedacht. >Gibt es Gründe (ausser Einsteuung usw.) keinen 10M zu verwenden: Leckströme am Gate. Man kann einen kleinen Widerstand und einen zusätzlichen Kondensator am Gate nutzen. 10M sind grenzwertig. >FET PMV64XP, also einer der ab 1V schon durchschaltet. Wird nix solides. Klar, irgendwie schaltet der Fet langsamer.
Wird wahrscheinlich gehen, aber selbst irgendwelche Leckströme im -zig nA Bereich können dir Ärger machen (Auch Gateleckströme, die laut Datenblatt beim PMV65XP bei 25°C schon 100nA betragen dürfen). Das macht es unschön. Gibt doch 10-100nF Parallel zu Gate-Source und nimm dafür einen kleineren Widerstand, wenn du Platz für den 0402 oder 0603 Kondensator hast.
Falk Brunner schrieb: > @ Kurt Bindl (kurt-b) > >>Ich möchte dass ein FET langsam (ein)schaltet (geringe dynamische >>Belastung der Versorgung), dazu ist ein 10M im Gate angedacht. >>Gibt es Gründe (ausser Einsteuung usw.) keinen 10M zu verwenden: > > Leckströme am Gate. Man kann einen kleinen Widerstand und einen > zusätzlichen Kondensator am Gate nutzen. 10M sind grenzwertig. > >>FET PMV64XP, also einer der ab 1V schon durchschaltet. > > Wird nix solides. Klar, irgendwie schaltet der Fet langsamer. OK, danke, dann den der jetzt vorgesehen ist, der 2M2 Kurt