Hallo Zusammen, die Nachricht schreibe ich gerade von Handy aus, weil ich mich seltsamerweise nicht anmelden kann und bitte deshalb um Rücksichtnahme bei evtl. Tippfehlern. Kann mir jemand erklären wieso der Stom am Mosfet bei induktiver während des einschalten linear ansteigt die Spannung jedoch konstant bleibt und erst nachdem die UGS das Millerplateau erreicht hat zusammenbricht? Und was hat es mit der Freilsufdiode auf sich die ich parallel zur last schalte? Welchen Einfluss hat sie? Ich hab zwar jetzt schon ein bisschen was darüber gelesen aber so richtig geblickt habe ich es noch nicht. Danke schonmal. Viele Grüße
1.Ohne die Schaltung zu kennen, kann ich kein Horoskop erstellen. Evtl. sind noch andere Teile beteiligt. 2.Die Freilaufdiode schützt den Rest der Schaltung vor böser induktiver Abschaltspannung. Lies dazu auch http://www.mikrocontroller.net/articles/Relais_mit_Logik_ansteuern
Induktivitäten haben die Charaktereigenschaft, der Strom nur ungern ändern zu wollen. Öffnet der Transistor will der Strom weiterfließen, notfalls auch mit Gewalt (Spannung steigt, bis der Transistor unfreiwillig wider leitet). Um der Spule nun einen alternativen Weg für ihren Strom zu geben, schaltet man eine Diode paralell (oder einen weiteren Transistor, wo wir bei der Halbbrücke wären).
oszi40 schrieb: > 1.Ohne die Schaltung zu kennen, kann ich kein Horoskop erstellen. Evtl. > sind noch andere Teile beteiligt. Du weißt also nicht was das Millerplateau ist? Dann wäre ich still besonders weil: oszi40 schrieb: > 2.Die Freilaufdiode schützt den Rest der Schaltung vor böser induktiver > Abschaltspannung. Lies dazu auch > http://www.mikrocontroller.net/articles/Relais_mit_Logik_ansteuern Nein. Die Diode parallel zum Mosfet (DS-Strecke !!!) hat überhaupt nichts mit der Freilaufdiode zu tun. Die Freilaufdiode "brückt" die Last, die angesprochene Diode unterstützt die Mosfet-Bodydiode weil diese (1) ein schlechtes Recovery-Verhalten hat und (2) sehr schwach auf der Brust ist. Zum Vergleich kann man in jedem Mosfetdatenblatt die Eigenschaften der Bodydiode mit einer vernünftig schnellen Schottkey-Diode vergleichen. Die Bodydiode (intrinsisch im Mosfet) bricht leider sehr schnell durch und hält einfach nichts aus.
Wieso ist die Body-Diode schwach auf der Brust?? Die kann genauso viel Strom leiten wie der MosFet auch. Die externe Freilaufdiode setzt man nur wegen des Recovery-Verhaltens oder weil man den MosFet nicht ordentlich kühlen kann.
Casten schrieb: > Nein. Die Diode parallel zum Mosfet (DS-Strecke !!!) hat überhaupt > nichts mit der Freilaufdiode zu tun. Warum kommst du mit ner Body-Diode an? Gefragt ist nach der Freilaufdiode, die parallel zur Last geschaltet wird.
Casten schrieb: > Nein. Die Diode parallel zum Mosfet (DS-Strecke !!!) hat überhaupt > nichts mit der Freilaufdiode zu tun. Die Freilaufdiode "brückt" die Hallo Carsten, warum schimpfst du hier rum? Von der Body-Diode hat doch gar keiner gesprochen, nur von der Freilaufdiode parallel zur Last. Ekkehard_v4 schrieb: > Und was hat es mit der Freilsufdiode auf sich die ich parallel zur last > schalte? Welchen Einfluss hat sie? oszi40 schrieb: > 2.Die Freilaufdiode schützt den Rest der Schaltung vor böser induktiver > Abschaltspannung. Das ist doch richtig, oder nicht?
Ekkehard_v4 schrieb: > Kann mir jemand erklären wieso der Stom am Mosfet bei induktiver während > des einschalten linear ansteigt die Spannung jedoch konstant bleibt und > erst nachdem die UGS das Millerplateau erreicht hat zusammenbricht? Das passiert nicht nur bei induktiven, sondern bei allen Lasten mehr oder weniger stark ausgeprägt. Es ist außerdem genau umgekehrt, die fallende Drainspannung erzeugt das Miller-Plateau überhaupt erst. Der Vorgang ist so: Bei anlegen einer Gatespannung steigt diese ("hinter der Summe aus Quell- und inneren Gatewiderstand") an und bei Erreichen der G-S-Schwellspannung beginnt der Mosfet zu leiten. Wobei der zunächst sehr hochohmig ist und mit der Zeit immer niederohmiger wird. Dabei steigt der Drainstrom an und es verändert sich entsprechend das Spannungsteilerverhältnis zwischen der Last und dem Rds. Irgendwann ist der Mosfet so niederohmig, dass sich das Teilerverhältnis merklich ändert und die Drainspannung deutlich abzusinken beginnt. Ab diesem Moment fließt ein Strom über die über die Millerkapazität ab (weil sich die Spannung über dieser Kapazität ändert) und entzieht dem Gate Ladung. Dadurch kann die innere Gate-Source-Spannung nur noch sehr langsam ansteigen, der Mosfet ist also halboffen im Analogbetrieb. Irgendwann hat die Drainspannung ihren Endwert erreicht und ändert sich praktisch nicht mehr, so dass auch keine Ladungen mehr vom Gate abgesaugt werden. Nun kann die Gate-Source-Spannung schnell auf ihren Endwert ansteigen.
ArnoR schrieb: > Bei anlegen einer Gatespannung steigt diese ("hinter der Summe aus > Quell- und inneren Gatewiderstand") an und bei Erreichen der > G-S-Schwellspannung beginnt der Mosfet zu leiten. Wobei der zunächst > sehr hochohmig ist und mit der Zeit immer niederohmiger wird. Dabei > steigt der Drainstrom an und es verändert sich entsprechend das > Spannungsteilerverhältnis zwischen der Last und dem Rds. Irgendwann ist > der Mosfet so niederohmig, dass sich das Teilerverhältnis *merklich* > ändert und die Drainspannung deutlich abzusinken beginnt. Ab diesem > Moment fließt ein Strom über die über die Millerkapazität ab (weil sich > die Spannung über dieser Kapazität ändert) und entzieht dem Gate Ladung. > Dadurch kann die innere Gate-Source-Spannung nur noch sehr langsam > ansteigen, der Mosfet ist also halboffen im Analogbetrieb. Irgendwann > hat die Drainspannung ihren Endwert erreicht und ändert sich praktisch > nicht mehr, so dass auch keine Ladungen mehr vom Gate abgesaugt werden. > Nun kann die Gate-Source-Spannung schnell auf ihren Endwert ansteigen. So und nicht anders ist es. Nach der Bodydiode war zwar nicht explizit gefragt, aber um das klar zu stellen....Die Bodydiode kann den gleichen Strom wie auch der leitende Kanal des eingeschalteten MOSFETs. Und sie bricht auch nicht leicht und schnell durch. Denn gerade diese Diode ist es ja welche z.B. einem 600V-MOSFET seine Sperrspannung verleiht. Selbst kurze Überspannungen killen den MOSFET nicht gleich, sofern die dabei im MOSFET umgesetze Energie einen gewissen Grenzwert nicht überschreitet. Sichwort: Avalanche
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Markus B. schrieb: > Selbst kurze Überspannungen killen den > MOSFET nicht gleich, sofern die dabei im MOSFET umgesetze Energie einen > gewissen Grenzwert nicht überschreitet. Sichwort: Avalanche Die Bodydiode ist also eine Avalanche-Diode? Gruss Harald
Harald Wilhelms schrieb: > Markus B. schrieb: > >> Selbst kurze Überspannungen killen den >> MOSFET nicht gleich, sofern die dabei im MOSFET umgesetze Energie einen >> gewissen Grenzwert nicht überschreitet. Sichwort: Avalanche > > Die Bodydiode ist also eine Avalanche-Diode? > Gruss > Harald Nein. Eine Avalanche-Diode ist vom Dotierungsprofil her für den Betrieb im Durchbruch ausgelegt, jedoch auch hier nur bis zu einem gewissen, erlaubten maximalen Strom. Letzterer muss gegebenenfalls durch einen Serienwiderstand begrenzt werden. Man Kann natürlich auch in Serie zum MOSFET einen Begrenzungswiderstand legen....aber ob das dann noch der eigentlichen Anwendung des MOSFETs in der jeweiligen Schaltung zuträglich ist, stelle ich mal in Frage.
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Einen Zusammenhang zwischen Miller-Plateau und der Induktivität erkenne ich momentan noch nicht. Die anders gepolte, hohe induktive Abschaltspannung könnte jedoch wunderliche Effekte auslösen WENN keine Vorsorge an der Wurzel des Übels getroffen wird..
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