Hallo, Es gibt ja auch anwendungsfälle, wo die Parallelgeschaltete Diode nicht gewünscht ist, aber irgendwie hat jeder Mostet solchen, wo finde ich welche ohne?
Multistabiler Analvibrator schrieb: > Die gibts da wos auch die Dunkelbirnen gibt. Ich weiß, dass diese Diode eigentlich Parasitär ist, es gibt doch aber auch Fest, die in beiden Richtungen sperren, welche sind dies?
Jan R. schrieb: > Multistabiler Analvibrator schrieb: >> Die gibts da wos auch die Dunkelbirnen gibt. > > Ich weiß, dass diese Diode eigentlich Parasitär ist, es gibt doch aber > auch Fest, die in beiden Richtungen sperren, welche sind dies? Ist mir nicht bekannt. Du koenntest aber eine normale Diode in Reihe zum FET schalten. Damit verhinderst du Stromfluss durch die Body Diode. Ist vom Wirkungsgrad her aber nicht optimal. Alternativ den FET einschalten, wenn Strom durch die Body Diode soll
Wie kommst du darauf? Nein, gibt es nicht. Wie wärs einfach mit ner Diode in Reihe?
al3ko -.- schrieb: > Jan R. schrieb: >> Multistabiler Analvibrator schrieb: >>> Die gibts da wos auch die Dunkelbirnen gibt. >> >> Ich weiß, dass diese Diode eigentlich Parasitär ist, es gibt doch aber >> auch Fest, die in beiden Richtungen sperren, welche sind dies? > > Ist mir nicht bekannt. Du koenntest aber eine normale Diode in Reihe zum > FET schalten. Damit verhinderst du Stromfluss durch die Body Diode. Ist > vom Wirkungsgrad her aber nicht optimal. > > Alternativ den FET einschalten, wenn Strom durch die Body Diode soll z.b. bei einem Sperrwandler, da ist die Diode blöd, da in der Sperrphase ein Strom durch die bodydiode geht, welchen Transistor, kann man nun nehmen? auch wenn er nicht geeignet ist, ein J-Fet hat keine Body Diode oder?
> Es gibt ja auch anwendungsfälle, wo die Parallelgeschaltete Diode > nicht gewünscht ist, aber irgendwie hat jeder Mostet solchen, Klar, bauartbedingt, alle vertikel durch den Chip gehenden MOSFET, also alle Leistungs-MOSFETs, müssen die haben. > wo finde ich welche ohne? Nur bei kleiner Leistung oder bei HF, Stichwort (z.B. bei alldatasheet) ist Lateral MOSFET, die meisten haben keine Diode.
Jan R. schrieb: > z.b. bei einem Sperrwandler, da ist die Diode blöd, da in der Sperrphase > ein Strom durch die bodydiode geht, welchen Transistor, kann man nun > nehmen? WAAAAAS? Falsch, falsch, nochmals falsch. Lerne mal wie ein Sperrwandler funktioniert.
Multistabiler Analvibrator schrieb: > Falsch, falsch, nochmals falsch. Lerne mal wie ein Sperrwandler > funktioniert. und er hat sich schon immer gefragt, warum sein Sperrwandler nicht funktioniert ;) Gruß Christian
Multistabiler Analvibrator schrieb: > Jan R. schrieb: > >> z.b. bei einem Sperrwandler, da ist die Diode blöd, da in der Sperrphase >> ein Strom durch die bodydiode geht, welchen Transistor, kann man nun >> nehmen? > > WAAAAAS? > > Falsch, falsch, nochmals falsch. Lerne mal wie ein Sperrwandler > funktioniert. Ach mißt was rede ich, vergess es, habe die Diode im Kopf falsch gepolt. Bessere Anwendung Sample and Hold Schaltung. dort wird ja ein J-Fet benutzt, welcher diese Diode nicht haben darf, ist das bei J-Fets der fall, oder haben die auch diese Diode.
Ein Sperrwandler heißt Sperrwandler, weil die Energieübertragung in der Sperrphase des Schalters geschießt, da fließt der Strom, der sich durch das abbauende Magnetfeld induziert wird, auf der Sekundärseite in die Last. Es gab und gibt auch Sperrwander mit Bipolartransistoren. Zur eigentlichen Frage: MOSFETs ohne parasitäre Body-Diode sind all die, beidenen das Substrat (Bulk) nicht mit der Source verbunden ist. In integrierten Schaltungen ist das oft der Fall. Schaue dir mal bitte mal Analogschalter wie CD4066 oder Transmission-Gates an, oder den CD4007 an. Nein, ein JFET hat keine Body-Diode, aber das Gate muss negativ vorgespannt sein. Was genau hast du vor?
Zwei Szenarien: Bei geringen Spannungen (z.b. 4V) kann man MOSFETS durch Gate-Biasing auch in Rückwärtsrichtung sperren! Bei höheren Spannungen bricht das Gate durch, deshalb kann man dieses Prinzip bei höheren Spannungen (>4V ... 1kV) nicht mehr anwenden. Es gibt aber z.B. von IXYS Reverse-Blocking-IGBTs! Alternativ zwei MOSFETs antiseriell schalten. Und zu guter letzt gibt es dann noch eine ganze Reihe von Halbleiterschaltern mit 3 pn Übergängen die ebenfalls in beide Richtungen sperren können, z.B. Thyristoren
>Mostet ohne Ohne Parallele Diode.
Wir mosten immer mit Johannisbeeren oder auch mit Äpfeln.
;-)
Flücht
Paul
Jan R. schrieb: > Bessere Anwendung Sample and Hold Schaltung. dort wird ja ein J-Fet > benutzt, welcher diese Diode nicht haben darf, ist das bei J-Fets der > fall, oder haben die auch diese Diode. MaWin hat dir die Frage doch schon beantwortet: Leistungs-FETs sind vertikal strukturiert und haben daher immer die Body-Diode. Kleinleistungs-FETs (sowohl J- als auch MOS-) gibt es auch lateral.
Welcher Art von FETS, sind in den Hasswell Prozessoren verbaut? Weiß das einer?
Jan R. schrieb: > Welcher Art von FETS, sind in den Hasswell Prozessoren verbaut? Die sind lateral, die müssen ja keine Motoren ansteuern. Außerdem braucht man bei CMOS beide Polaritäten, da muss man sie sowieso gegen das Substrat isolieren. Das ist dann allerdings wieder eine Diode. ;-)
Jörg Wunsch schrieb: > Jan R. schrieb: >> Welcher Art von FETS, sind in den Hasswell Prozessoren verbaut? > > Die sind lateral, die müssen ja keine Motoren ansteuern. Außerdem > braucht man bei CMOS beide Polaritäten, da muss man sie sowieso gegen > das Substrat isolieren. Das ist dann allerdings wieder eine Diode. ;-) Ja aber ist diese Störend? Bei den Powermosfetds, welche durchbruchspannung in Sperrichtung haben diese Dioden? Verhalten sich diese wie Si oder Schotky Dioden?
Jan R. schrieb: > Bei den Powermosfetds, welche durchbruchspannung in Sperrichtung haben > diese Dioden? Na die des Transistors. > Verhalten sich diese wie Si oder Schotky Dioden? Üblicherweise wie Si, allerdings gibt es MOSFETs bei denen die als Schottky ausgebildet ist, heissen FETky bei IR.
Jan R. schrieb: > Jörg Wunsch schrieb: >> braucht man bei CMOS beide Polaritäten, da muss man sie sowieso gegen >> das Substrat isolieren. Das ist dann allerdings wieder eine Diode. ;-) > > Ja aber ist diese Störend? Gegenfrage: würde man CMOS so bauen wie man es baut, wenn die parasitären Dioden störend wären? > Bei den Powermosfetds, welche durchbruchspannung in Sperrichtung haben > diese Dioden? Gegenfrage: Könnte ein Hersteller einen MOSFET für 100V Sperrspannung spezifizieren, wenn die Bodydiode bei 50V durchbricht? > Verhalten sich diese wie Si oder Schotky Dioden? Gegenfrage: Aus welchen Halbleitermaterial werden die fraglichen MOSFETs hergestellt? Ist da zwischen dem Kanal und dem Substrat ein pn-Übergang oder ein Metall-Halbleiter-Übergang (aka Schottky-Kontakt)? Finale Frage: wozu hast du einen Kopf, wenn du ihn nicht benutzt? XL
Axel Schwenke schrieb: > Jan R. schrieb: >> Jörg Wunsch schrieb: > > >> Bei den Powermosfetds, welche durchbruchspannung in Sperrichtung haben >> diese Dioden? > > Gegenfrage: Könnte ein Hersteller einen MOSFET für 100V Sperrspannung > spezifizieren, wenn die Bodydiode bei 50V durchbricht? Es gibt aber auch Powermosfets, die bis in den Kv Bereich aushalten.Dann muss die Bodydiode das aber auch.. Ich verstehe deine Gegenfrage nicht. Da sagtest da oben grade, das es Keine Leistungs MOSFETS gibt, die bei Spannungen jenseits der 50V noch sperren können das ist doch aber Quatsch. http://www.produktinfo.conrad.com/datenblaetter/150000-174999/162578-da-01-en-IRFBG_30.pdf Hier 1000V DS Voltage. Meinst du das die Bodydiode hier auch bei 50V Durchbricht? Dann wäre es ja Quatsch 1000V DS anzugeben.
Jan R. schrieb: > Da sagtest da oben grade, das es Keine Leistungs MOSFETS gibt, die bei > Spannungen jenseits der 50V noch sperren können das ist doch aber > Quatsch. Wo?
MaWin schrieb: > Üblicherweise wie Si, allerdings gibt es MOSFETs bei denen die als > Schottky ausgebildet ist, heissen FETky bei IR. Da sitzt zusätzlich zur P-N Diode eine separate Schottky-Diode drauf. http://www.irf.com/product-info/fetky/
>> Gegenfrage: Könnte ein Hersteller einen MOSFET für 100V Sperrspannung >> spezifizieren, wenn die Bodydiode bei 50V durchbricht? > Es gibt aber auch Powermosfets, die bis in den Kv Bereich aushalten.Dann > muss die Bodydiode das aber auch.. Ich verstehe deine Gegenfrage nicht. > Da sagtest da oben grade, das es Keine Leistungs MOSFETS gibt, die bei > Spannungen jenseits der 50V noch sperren können das ist doch aber > Quatsch. > http://www.produktinfo.conrad.com/datenblaetter/150000-174999/162578-da-01-en-IRFBG_30.pdf > > Hier 1000V DS Voltage. Meinst du das die Bodydiode hier auch bei 50V > Durchbricht? Dann wäre es ja Quatsch 1000V DS anzugeben. Leute hört doch mal auf, ich will nur wissen, wieso Axel behauptet, es gäbe keine Transistoren, bei denen die Bodydiode eine höhere Spannungsfestigkeit als 50V hat. Ich halte dies für falsch.
Jan R. schrieb: > Leute hört doch mal auf, ich will nur wissen, wieso Axel behauptet, es > gäbe keine Transistoren, bei denen die Bodydiode eine höhere > Spannungsfestigkeit als 50V hat. Ich halte dies für falsch. Leute hört doch mal auf, das hat er doch garnicht behauptet.
Jan R. schrieb: > Leute hört doch mal auf, ich will nur wissen, wieso Axel behauptet, es > gäbe keine Transistoren, bei denen die Bodydiode eine höhere > Spannungsfestigkeit als 50V hat. Ich halte dies für falsch. Hat er nicht behauptet. Er wollte dir nur klar machen, dass die Durchbruchspannung einer Bodydiode niemals unter der Sperrspannung des MOSFETs liegt. Gruß Christian
Jaxoc schrieb: > BSS83 > http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BSS83_N.pdf Klar, 50 mA. Ein typischer Vertreter der Klasse Lateral-FET.
MaWin schrieb: > allerdings gibt es MOSFETs bei denen die als > Schottky ausgebildet ist, heissen FETky bei IR. Das ändert nichts daran, daß der FET eine Bodydiode hat. Die Schottky ist der nur parallel geschaltet. Und wenn ich die (spärlichen) Informationen von IRF anschaue, dann sitzt die Schottky sogar auf einem eigenen Die. Jan R. schrieb: >> Gegenfrage: Könnte ein Hersteller einen MOSFET für 100V Sperrspannung >> spezifizieren, wenn die Bodydiode bei 50V durchbricht? > Es gibt aber auch Powermosfets, die bis in den Kv Bereich aushalten. Ach! > Da sagtest da oben grade, das es Keine Leistungs MOSFETS gibt, die bei > Spannungen jenseits der 50V noch sperren können Nein, das sagte ich natürlich nicht. OK, vielleicht hätte ich beides Mal den Konjunktiv verwenden sollen. Also Nochmal: Könnte ein Hersteller einen MOSFET für 100V Sperrspannung spezifizieren, wenn die Bodydiode bei 50V durchbrechen würde? Und nochmal: du mußt deinen Kopf auch mal zum Denken benutzen! Jaxoc schrieb: > BSS83 Auch dieser MOSFET hat die parasitäre Diode zwischen Drain (bzw. Source [1]) und dem Substrat. Sobald einer dieser beiden Anschlüsse negativer als das Substrat würde, würde diese Diode leiten. Und wenn man - wie bei normalen dreibeinigen MOSFETs - einen dieser Pins mit dem Substrat verbindet, hat man wieder die bekannte Bodydiode. [1] streng genommen ist die Benamung als Drain und Source unsinnig solange das Substrat extra herausgeführt ist, denn der MOSFET ist weitgehend symmetrisch. Erst durch die Verbindung mit dem Substrat wird einer der beiden Anschlüsse zu Source. XL
Axel Schwenke schrieb: > [1] streng genommen ist die Benamung als Drain und Source unsinnig > solange das Substrat extra herausgeführt ist, denn der MOSFET ist > weitgehend symmetrisch. Steht im Datasheet vom BSS83: "Drain and source are interchangeable.".
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