Hallo zusammen, suche schon eine ganze weile nach Informationen über das Leistungsabgabevermögen der verschiedenen Gehäusebauformen. Das weitverbreitete TO-220 wuste ich mal, kann aber meine Quelle nicht mehr finden. Kann ein TO-218 mehr Leistung verbraten als ein T0-247 ? Bernd_Stein
Das kommt immer drauf an. In jedem Datenblatt von Leistungshalbleitern findest du den Rth j-c (Thermal resistance junction case) [°C/W] / [K/W]. Allein der ist entscheidend in Verbindung mit der Tj.
Marian B. schrieb: > Das kommt immer drauf an. In jedem Datenblatt von Leistungshalbleitern > findest du den Rth j-c (Thermal resistance junction case) [°C/W] / > [K/W]. Allein der ist entscheidend in Verbindung mit der Tj. > Ja, aber überschlagsmäßig kann man doch etwas sagen. Ein SOT-123 Gehäuse kann ja nicht die Leistung eines TO-3 Gehäuses ab. Verstehst Du was ich meine ? Die Gehäusegröße steht ja auch direkt im Zusammenhang mit der abgebbaren Verlustleistung. Bernd_Stein
Bernd Stein schrieb: > Marian B. schrieb: >> Das kommt immer drauf an. In jedem Datenblatt von Leistungshalbleitern >> findest du den Rth j-c (Thermal resistance junction case) [°C/W] / >> [K/W]. Allein der ist entscheidend in Verbindung mit der Tj. >> > Ja, aber überschlagsmäßig kann man doch etwas sagen. > Ein SOT-123 Gehäuse kann ja nicht die Leistung eines TO-3 Gehäuses ab. > Verstehst Du was ich meine ? > > Die Gehäusegröße steht ja auch direkt im Zusammenhang mit der abgebbaren > Verlustleistung. > > Bernd_Stein Klar verstehe ich das, so eine Aussage macht nur wenig Sinn. Es gibt z.B. TO-220-Chips mit fünf, sechs oder gar sieben(!) K/W junction-case Wärmewiderstand, aber eben auch welche mit 1.5 K/W Rthj-c. Also grob Faktor drei bis vier Variation in ein und demselben Gehäuse. Gerade bei deiner ursprünglichen Frage > Kann ein TO-218 mehr Leistung verbraten als ein T0-247 ? gibt es keine pauschale Antwort. Manche Chips im 218er können mehr Verlustleistung abgeben als im 247er und umgekehrt.
:
Bearbeitet durch User
Marian B. schrieb: > Gerade bei deiner ursprünglichen Frage >> Kann ein TO-218 mehr Leistung verbraten als ein T0-247 ? > gibt es keine pauschale Antwort. Manche Chips im 218er können mehr > Verlustleistung abgeben als im 247er und umgekehrt. > Danke für die deutlichen Aussagen. Bernd_Stein
Bernd Stein schrieb: > Danke für die deutlichen Aussagen. Es ist doch heutzutage kein Problem mehr an Informationen zu einem Bauteil zu kommen, zumindest nicht an den geläufigen. http://www.alldatasheet.com/ Gruss Klaus.
Gerade bei SMD-Bauteilen ist auch der Footprint entscheidend für die Wärmeableitung und damit die mögliche Verlustleistung. Hatte ich schon, TVS-Dioden im selben Gehäuse (SMC) und nur ein Hersteller konnte mehr als 3kW Pulsbelastung. Der hatte sich dann eben ein größeres Footprint zurechtgeschustert um die Wärmeanbindung besser hinzukriegen.
Habe mein Quelle wieder gefunden, aber leider werde ich da nicht schlau draus, wieviel Watt denn nun z.B. so ein T0-220 Gehäuse verbraten kann. Bernd_Stein
Marian B. schrieb: > Marian B Marian B. hat eigentlich schon das Wesentliche gesagt. Ich denke das dieser Artikel das Thema einfach, nachvollziehbar behandelt. http://www.amateurfunkbasteln.de/kuehlk_berechnen/index.html Gruss Klaus.
@ Floh (Gast) >Hatte ich schon, TVS-Dioden im selben Gehäuse (SMC) und nur ein >Hersteller konnte mehr als 3kW Pulsbelastung. Der hatte sich dann eben >ein größeres Footprint zurechtgeschustert um die Wärmeanbindung besser >hinzukriegen. Kann ich nicht glauben. Denn GERADE bei PULSBelastung ist die Wärmeabfür des gehäuses Nebensächlich, da das eher langsam (>100ms) erfolgt. Kurze Pulse muss der Chip komplett schlucken, ohne zu überhitzen. Darum ist die Dauerverlustleistung für SMB(5W) und SMC(6,5W) Gehäuse fast gleich. Und diese Werte gelten NUR, bei einem idealen Kühlkörper mit 50°C.
Hallo, also ich habe ein konkretes Beispiel für den BUZ11 im TO220 - Gehäuse gefunden. http://books.google.de/books?id=CSei8-a3C30C&pg=PA319&lpg=PA319&dq=berechnung+w%C3%A4rmeableitung+Leistungshalbleiter+to220&source=bl&ots=qpCkphjJpH&sig=89Xuy8Z1YgJQTwVCAztkyY1PyzU&hl=de&sa=X&ei=LLLXUrqGEYyjhge4w4GYBQ&ved=0CFkQ6AEwBQ#v=onepage&q=berechnung%20w%C3%A4rmeableitung%20Leistungshalbleiter%20to220&f=false Auf Seite 320 haben wir: wenn die Kerntemperatur nicht 150°C übersteigen soll und die Verlustleitung 20W beträgt, dann brauchen wir einen Kühlkörper mit 3,58K/W. Du siehst, wenn man mit der Kerntemperatur nicht so hoch gehen will, um den Halbleiter etwas länger leben zu lassen, muss man einen grösseren Kühlkörper wählen oder ihn mit einem Lüfter besser kühlen. Man kann also einiges extern an Aufwand betreiben. Was Du nicht beeinflussen kannst ist der innere thermische Widerstand zwischen Junction und Case. Die ist hier mit 1,67K/W angegeben. Also bei 20W fallen schon 33,4°C Kerntemperatur an. Gruss Klaus.
Falk Brunner schrieb: > Kann ich nicht glauben. Denn GERADE bei PULSBelastung ist die Wärmeabfür > des gehäuses Nebensächlich, da das eher langsam (>100ms) erfolgt. Da hast du recht. Leider sind C_th-Angaben in Datenblättern die absolute Ausnahme. Oft helfen nur praktische Versuche, d.h. eine eigene Qualifizierung. Max
Bernd Stein schrieb: > Habe mein Quelle wieder gefunden, aber leider werde ich da nicht schlau > draus, wieviel Watt denn nun z.B. so ein T0-220 Gehäuse verbraten kann. TO-220 beschreibt nur die äussren Abmessungen. Wie das Die an die Kühlfahne angebunden ist, hängt vom Hersteller ab. Das bestimmt den Rth. Die zulässige Verlustleistung ergibt sich dann aus der äußeren Temperatur der Kühlfahne (die Du über deine Kühltechnik vorgibst), aus dem herstellerabhängigen Rth, und aus der herstellerabhängigen maximal zulässigen Chiptemperatur Tj. Mit so vielen Unbekannten kann man nur Hausnummern angeben: TO-220 kann ca 0,5-1 W bei reiner Luftkühlung und bis zu 50 W an einem sehr großen Kühlkörper.
Dazu steht in der grünen Siemens "Technische Mitteilungen" Titel: Wärmeableitung bei Transistoren: "Da aber meist R_thC >> R_thK ist und infolgedessen der Hauptteil der Wärme über den Kühlkörper abgeleitet wird, kann 1/R_thC vernachlässigt werden. Der für die Gehäuseform charakteristische Wärmewiderstand R_thC wird in den Datenblättern nicht angegeben. Er beträgt z.B. für die Normgehäuse TO-1 ~250 grd/W TO-3 ~50 grd/W TO-5 ~180 grd/W TO-18 ~400 grd/W Schrifttum: Koschel, Jäger Probleme der Zuverlässigkeit vo Halbleiter-Bauteilen Siemens Techn. Mitt. Best.Nr. 1-6300-064 Hoppe, Noack Näherungsweise Berechnung der Betriebstemperatur von Nachrichtengeräten NTZ 1963 Heft 2 Seite 91 bis 96 Semiconductor Cooling Handbook Wakefield Engeneering
Flow schrieb: > TO-1 ~250 grd/W > TO-3 ~50 grd/W > TO-5 ~180 grd/W > TO-18 ~400 grd/W > Na da sind doch nun solche " Faustformeln ", wie ich sie suche. Allerdings nicht für meine Gehäuseformen T0-218 bzw. T0-247. soul eye schrieb: > Mit so vielen Unbekannten kann man nur Hausnummern angeben: TO-220 kann > ca 0,5-1 W bei reiner Luftkühlung und bis zu 50 W an einem sehr großen > Kühlkörper. > Na also, das ist doch mal eine Aussage mit der man was anfangen kann. Bernd_Stein
Flow schrieb: > Der für die Gehäuseform charakteristische Wärmewiderstand > R_thC wird in den Datenblättern nicht angegeben. Er beträgt > z.B. für die Normgehäuse > > ... Das stimmt doch gar nicht.
Bernd Stein schrieb: > soul eye schrieb: >> Mit so vielen Unbekannten kann man nur Hausnummern angeben: TO-220 kann >> ca 0,5-1 W bei reiner Luftkühlung und bis zu 50 W an einem sehr großen >> Kühlkörper. >> > Na also, das ist doch mal eine Aussage mit der man was anfangen kann. Das Datenblatt wird Dir nicht erspart bleiben.
Bernd Stein schrieb: > Na also, das ist doch mal eine Aussage mit der man was anfangen kann. Dann nimm das mal zwei für die dicken Gehäuse. Der Blick ins Datenblatt wird Dir aber nicht erspart bleiben.
Marian B. schrieb: > Flow schrieb: >> Der für die Gehäuseform charakteristische Wärmewiderstand >> R_thC wird in den Datenblättern nicht angegeben. Er beträgt >> z.B. für die Normgehäuse >> ... > > Das stimmt doch gar nicht. ACK Außerdem ist die Siemens(?) Nomenklatur mal wieder total daneben. Was bitte soll denn R_thC sein? Viel besser ist R_thje, das ist der thermische Widerstand zwischen j (Junction, Sperrschicht) und e (Environment, Umgebung). "c" steht bei dieser besseren Nomenklatur für case (Gehäuse). Ach ja. Wie schon etwas verklausuliert gesagt, spielt bei Gehäusen, die auf einem Kühlkörper montiert sind, der Wärmewiderstand des Gehäuse ohne Kühlkörper genau gar keine Rolle mehr. Rein technisch liegt der zwar parallel zum Wärmewiderstand aus Gehäuse + Montage (Isolation?) + Kühlkörper. Ist aber eben um so vieles größer, daß er praktisch keine Rolle spielt. Ähnlich wie man die Masse des Schmutzfilms auf der Karosserie nicht bei der Berechnung von Achslasten berücksichtigt ... ;) XL
Axel Schwenke schrieb: > ein technisch liegt der zwar > parallel zum Wärmewiderstand aus Gehäuse + Montage (Isolation?) + > Kühlkörper. Ist aber eben um so vieles größer, daß er praktisch keine > Rolle spielt. Wärmewiderstände werden genauso verrechnet wie Ohmsche Widerstände, also sind zwei Wärmewiderstände parallel: Rth = 1/(1/Rth1 + 1/Rth2) Wenn Rth1 = 4 K/W und Rth2 = 40 K/W, dann ist Rth ~3.63 K/W. Wie du schon sagtest, das spielt praktisch keine Rolle.
> Das stimmt doch gar nicht.
> ACK
Da ist nichts Falsches.
Definition:
R_thC = Wärmewiderst. zwischen Gehäuse u. umgebender Luft
R_thK = Wärmewiderst. zwischen KühlKörper u. umgebender Luft
Ich schrieb:
> "Da aber meist R_thC >> R_thK ist
= R_thCase->Luft >> R_thKK->Luft
in Worten als Folgerung:
> und infolgedessen der Hauptteil der Wärme
> über den Kühlkörper abgeleitet wird,
> kann 1/R_thC vernachlässigt werden.
= Parallelschaltung thermischer Widerstände
wie ihr zuletzt selbst festgestellt habt.
> Der für die Gehäuseform charakteristische Wärmewiderstand
> R_thC wird in den Datenblättern nicht angegeben.
Ich habe also nichts anderes geschrieben als ihr selbst.
Flow schrieb: >>> Das stimmt doch gar nicht. >> ACK > Da ist nichts Falsches. Wenn richtig vernünftig zitiert, dann sieht man es: Marian B. schrieb: > Flow schrieb: >> Der für die Gehäuseform charakteristische Wärmewiderstand >> R_thC wird in den Datenblättern nicht angegeben. > > Das stimmt doch gar nicht. Und so ist das wohl. Der Wert ist durchaus angegeben, wenngleich manchmal etwas versteckt, etwa im thermal derating. Mal ganz davon abgesehen, daß gerade dieser Wert weitgehend irrelevant ist. Und natürlich spezifisch für das Bauelement und nicht für das Gehäuse. XL
> Und so ist das wohl. Denke ich nicht. > Der Wert ist durchaus angegeben, Dann zeig es mal wo es R_thca als Angabe gibt, darum gehts ja. > wenngleich manchmal etwas versteckt, etwa im thermal derating. Es gibt "Thermal Informations" und "Thermal Characteristics". Es gibt z. B. beim TIP110 zwei Liniendiagramme: 1. case temperature dissipation derating curve an der Kurve steht: R_thjc höchstens gleich 2,5°C/W 2. free-air temperature dissipation derating curve an der Kurve steht: R_thja höchstens gleich 62,5°C/W R_thca gibt es nirgends als Angabe (so schrieb ich auch). > Mal ganz davon abgesehen, daß gerade dieser Wert weitgehend > irrelevant ist. Welcher Wert, R_thca? Er existiert, wird im Siemens Heft erwähnt, auch im Datenbuch Power Semic. Data Book von TI unter "Terms And Definitions" kannst du diese Bezeichnung finden. > Und natürlich spezifisch für das Bauelement und nicht für das Gehäuse. Nein, es heißt doch: Der für die Gehäuseform charakteristische Wärmewiderstand... Wenn dir Liniendiagramme nicht gefallen, es gibt auch Tabellen, z.B. beim TIP663: R_thjc junction-to-case thermal Resistance R_thja junction-to-free air " " R_thchs case to heat sink " " C_thc thermal capacitance of case Von mir aus errechne dir aus 2 anderen thermischen Angaben was du gerne hättest, dem steht ja nichts entgegen. Auch mal daran gedacht, daß es laut Forderung keinen Kühlkörper geben darf, was machst du dann? Aber einfach nur: Das stimmt doch nicht - ist schwach.
Flow schrieb: >> Der Wert ist durchaus angegeben, > Dann zeig es mal wo es R_thca als Angabe gibt, darum gehts ja. >> wenngleich manchmal etwas versteckt, etwa im thermal derating. > Es gibt z. B. beim TIP110 zwei Liniendiagramme: > > 1. case temperature dissipation derating curve > an der Kurve steht: R_thjc höchstens gleich 2,5°C/W > > 2. free-air temperature dissipation derating curve > an der Kurve steht: R_thja höchstens gleich 62,5°C/W Na bitte. Da ist doch der für dieses Bauelement in diesem Gehäuse charakteristische Wert. R_thja = R_thjc + R_thca. Subtrahieren kannst du? XL
Bernd Stein schrieb: > suche schon eine ganze weile nach Informationen über das > Leistungsabgabevermögen der verschiedenen Gehäusebauformen. Unabhängig von der Gehäusegröße muss man auch noch die Leistungs- begrenzung durch den zweiten Durchbruch beachten! Gruss Harald
Flow schrieb: >> Mal ganz davon abgesehen, daß gerade dieser Wert weitgehend > > irrelevant ist. > Welcher Wert, R_thca? > Er existiert, wird im Siemens Heft erwähnt, auch im Datenbuch > Power Semic. Data Book von TI unter "Terms And Definitions" > kannst du diese Bezeichnung finden. Is doch wumpe wo der überall angegeben wird, er interessiert schlicht nicht, wenn ich Gehäuse auf Kühlkörper bolzen will. Und sonst eigentlich auch nicht, einfach weil ich normalerweise immer Rthjc und Rthja habe, mit denen beide Fälle direkt berechnet werden können.
Flow schrieb: > Auch mal daran gedacht, daß es laut Forderung keinen Kühlkörper geben > darf, was machst du dann? > Dies trifft auch manchmal zu, das es besser ist einfach eine größere Gehäuseform zu nehmen als mit mit Wärmeleitpaste und Kühlkörper zu handtieren, was natürlich auch noch mehr Platz einnimmt. Ich denke deshalb bekommt man ja auch ein und das selbe Bauteil in verschiedenen Gehäuseformen, damit die Wärme besser abgeführt werden kann. Da ist es halt gut per Faustformel zu wissen, ob dieses oder jenes Gehäuse überhaupt in der Lage wäre die entstandene Verlustleistung ohne Kühlkörper zu überleben. Bernd_Stein
:
Bearbeitet durch User
Bernd Stein schrieb: > Da ist es halt gut per Faustformel zu wissen, ob dieses oder jenes > Gehäuse überhaupt in der Lage wäre die entstandene Verlustleistung ohne > Kühlkörper zu überleben. Wenn man grössere Leistungen ohne Kühlkörper verarbeiten will, geht man auf Schaltbetrieb über. Ein grösseres Gehäuse bringt da so gut wie nichts. Gruss Harald
Harald Wilhelms schrieb: > Wenn man grössere Leistungen ohne Kühlkörper verarbeiten will, > geht man auf Schaltbetrieb über. Ein grösseres Gehäuse bringt > da so gut wie nichts. > Sprechen wir mal gezielt über MOSFET-Transitoren. Die Allermeisten davon werden ja auf Schaltbetrieb " gezüchtet ". Warum gibt es dann überhaupt unterschiedliche Gehäuse ? Im Anhang mal ein Beispiel zum N-MOSFET IRFx260N. Wie kann es sein das ein TO-220AB Gehäuse theoretisch mehr Leistung verballern kann als ein TO-247AC Gehäuse, das ja größer ist ? Wenn ich es richtig vestehe, schreiben die ja selbst das das T0-247 Gehäuse Leistungsmäßig besser dasteht als das T0-220. Und als Vorteil zu beiden ( TO-220 und T0-218 ) ein isoliertes Befestigungsloch bietet. Haben die sich bei den Leistungsangaben vertan ? Was bedeuten überhaupt die " Zusatzangaben " AB bzw. AC ? P.S. Gibt es auch ein IRF 260*N* ? Habe dazu kein Datenblatt gefunden. Außer AU IRF260 7ZTRL Bernd_Stein
Bernd Stein schrieb: > Wie kann es sein das ein TO-220AB Gehäuse theoretisch mehr Leistung > verballern kann als ein TO-247AC Gehäuse, das ja größer ist ? Indem man ins TO-247 z.B. einen kleineren Die packt oder schlechteres die-attach material (womit der Die auf der Kupferplatte/Heatspreader befestigt wird) nimmt. 300 W sind btw. für beide Gehäuse illusorisch.
Bernd Stein schrieb: > Im Anhang mal ein Beispiel zum N-MOSFET IRFx260N. > Wie kann es sein das ein TO-220AB Gehäuse theoretisch mehr Leistung > verballern kann als ein TO-247AC Gehäuse, das ja größer ist ? Die Angaben sind beide illusorisch. Weder ein TO-247 noch gar ein TO-220 Gehäuse können 300W auch nur annähernd ableiten. Die einzig wichtige Angabe aus dem Datenblatt wäre R_th_jc - also der interne Wärmewiderstand vom Die zur Kühlfläche am Gehäuse. Daraus und aus dem Wärmewiderstand des doch sicher vorgesehenen Kühlkörpers würde sich dann der Gesamtwärmewiderstand berechnen lassen. Und aus dem, der maximalen Die-Temperatur und der Umgebungstemperatur die maximal abführbare Leistung. Und in der Tat ist dieser Wert indirekt gegeben. Zum einen mit der maximalen Leistung. Denn die beruht ja auf der Annahme, das Gehäuse würde permanent auf 25°C gehalten werden können. Wenn wir die maximale Die-Temperatur mit 175°C ansetzen, dann kriegen wir: TO-220: (175°C - 25°C)/380W = 0.395 K/W TO-247: (175°C - 25°C)/300W = 0.5 K/W Zum zweiten durch den angegebenen Derating-Faktor. Der ist gerade das Inverse von R_th_jc: TO-220: 0.4K/W -> 2.5 W/K TO-247: 0.5K/W -> 2W/K Es scheint also, daß das Die im TO-247 Gehäuse schlechter thermisch an die Kühlfläche des Gehäuses angebunden ist. Wobei 0.1K/W nicht viel sind. Der Übergang von der Kühlfläche zum Kühlkörper liegt in der gleichen Größenordnung. Und das nur, wenn beide Flächen plan und sauber sind und Wärmeleitpaste verwendet wird. Und hier sieht man auch schon, warum 300W illusorisch sind. Denn um die Kühlfläche am Gehäuse auf 25°C zu halten, müßte die gegenüberliegende Fläche am Kühlkörper auf -5°C liegen. XL
Klaus Ra. schrieb: > Hallo, > also ich habe ein konkretes Beispiel für den BUZ11 im TO220 - Gehäuse > gefunden. > http://books.google.de/books?id=CSei8-a3C30C&pg=PA319&lpg=PA319&dq=berechnung+w%C3%A4rmeableitung+Leistungshalbleiter+to220&source=bl&ots=qpCkphjJpH&sig=89Xuy8Z1YgJQTwVCAztkyY1PyzU&hl=de&sa=X&ei=LLLXUrqGEYyjhge4w4GYBQ&ved=0CFkQ6AEwBQ#v=onepage&q=berechnung%20w%C3%A4rmeableitung%20Leistungshalbleiter%20to220&f=false > > Auf Seite 320 haben wir: > wenn die Kerntemperatur nicht 150°C übersteigen soll und die > Verlustleitung 20W beträgt, dann brauchen wir einen Kühlkörper mit > 3,58K/W. > Einfach nur fürchterlich, wenn man das Beispiel als unwissender nachvollziehen will. Da tauchen auf einmal Tj und Tu auf. Und die Leistung die vorher mit 18W errechnet wurde, wird plötzlich einfach mal so mit 20W angegeben. Der Wert für RthGK wird einfach mit 1K/W beziffert und man kann nun rätseln, ob die nun den Isolator mit gerechnet haben oder nicht. > > Du siehst, wenn man mit der Kerntemperatur nicht so hoch gehen will, um > den Halbleiter etwas länger leben zu lassen, muss man einen grösseren > Kühlkörper wählen oder ihn mit einem Lüfter besser kühlen. Man kann also > einiges extern an Aufwand betreiben. Was Du nicht beeinflussen kannst > ist der innere thermische Widerstand zwischen Junction und Case. Die ist > hier mit 1,67K/W angegeben. Also bei 20W fallen schon 33,4°C > Kerntemperatur an. > Wie 33,4°C Kerntemperatur ( Sperrschichttemperatur ) bei 20W Verlustleistung ? Das sind doch 150°C bei Raumtemperatur ( 25°C ) mit dem empfohlenen Kühlkörper. Könntest Du oder jemand anders mal zeigen, wie sich die Sperrschichttemperatur ändern würde, wenn die Umgebungstemperatur nur noch 10°C betragen würde und wieviel länger konkret der Halbleiter dann leben würde ? Kann jemand mal meine Beispielrechnung überprüfen, die ich mit dem IRFx 260N angestellt habe, welcher sich freistehend in einem Gehäuse befindet, also ohne Zirkulation ? TO-220 Gehäuse : Rja = Thermischer Widerstand Junction to Ambient ( Sperrschicht zu Umgebungsluft ) Vj = Maximale Sperrschichttemperatur Vu = Umgebungstemperatur Vs = Sicherheitsresevetemperatur P = Verlustleistungsabgabe des MOSFET P = Vj - Vs - Vu / Rja => 175°C - 30°C - 60°C / 62°C/W = 1,37W Rdson bei ca. 145°C Sperrschichttemperatur ist laut Fig 4. : 2,75 * 0,04 Ohm = 0,11 Ohm P = U*I => U = R*I => P = R*I*I => I = Wurzel aus P / R = 3,53A Ist es richtig das ich bei dem IRF*B* 260N ( TO-220 Gehäuse ) bei einer Umgebungstemperatur von 60°C ohne Kühlkörper ca. 3,5A verbraten kann und dies beim TO-247 Gehäuse ( IRF*P* => Rja = 40°C/W ) dann einen Strom von 4,43A Ampere ausmachen würde ? Das wäre prima, da der IRFP 260N sogar 25 cent günstiger ist. Bernd_Stein
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.