Hallo zusammen, ich moechte gerne einen ohmschen Verbraucher mit meinem Experimentierboard (Steuerspannung 5V, 50mA) schalten. Der ohmsche Verbraucher (12V, 70 Ampere!!) soll eingeschaltet werden sobald mein Board 5V ausgibt. Hat jemand eine Idee wie so eine Schaltung aussehen koennte? Das Problem ist, ich habe bis jetzt immer nur Mosfets gefunden die ca. 10-20V V(GS) benoetigen, mein Board gibt aber nur 5V aus, hat jemand eine Idee wie man dieses Problem loesen koennte? Waere prima wenn mir jemand helfen koennte, vielen Dank!
Phillip schrieb: > Das Problem ist, ich habe bis jetzt immer nur Mosfets gefunden die ca. > 10-20V V(GS) benoetigen, mein Board gibt aber nur 5V aus, hat jemand > eine Idee wie man dieses Problem loesen koennte? Logikpegel-MOSFET nehmen.
Phillip schrieb: > Der ohmsche Verbraucher (12V, 70 Ampere!!) soll eingeschaltet werden > sobald mein Board 5V ausgibt. Spontan fällt mir der IRL3803 ein. Der könnte das gerade schaffen.
Der IRLS4030 kommt noch mit deutlich weniger Ugs zurecht.
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Hallo, vielen Dank fuer deine Hilfe! Ich hab da was gefunden (FDP6670AL/FDB6670AL): http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDB6670AL.pdf Ist dieser Mosfet fuer meine Anwendung zu gebrauchen? Ich hab auch eine Skizze von meiner Schaltung angehaengt, wuerde dass so funktionieren? Vielen Dank
In der Mosfet-Übersicht http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#N-Kanal_MOSFET kannst du dir den gewünschte Mosfet raussuchen ;-)
Phillip schrieb: > Der ohmsche Verbraucher (12V, 70 Ampere!!) soll eingeschaltet werden > sobald mein Board 5V ausgibt. > > Hat jemand eine Idee wie so eine Schaltung aussehen koennte? Das nennt sich Relais. Im KFZ-Bereich wirst Du fündig. Da die Steuerleistung dafür zu gering ist, setze einen Transistor davor, fertig.
Micha H. schrieb: > Phillip schrieb: > >> Der ohmsche Verbraucher (12V, 70 Ampere!!) soll eingeschaltet werden >> sobald mein Board 5V ausgibt. >> >> Hat jemand eine Idee wie so eine Schaltung aussehen koennte? > > Das nennt sich Relais. Im KFZ-Bereich wirst Du fündig. Da die > Steuerleistung dafür zu gering ist, setze einen Transistor davor, > fertig. Hallo, ich will kein Relais einsetzen, aber trotzdem Danke fuer deine Antwort. gruss
Ein Relais als Halbleiter zu bezeichnen, kommt mit aber etwas merkwürdig vor!
Ich hab nur ein Problem: Die Verschaltung! Reicht es wenn ich den Verbraucher in Reihe mit der Spannungsquelle (12V) und in Reihe mit Drain und Source schalte? Zwischen Gate und Source haette ich dann nur noch einen 10kOhm Widerstand geschaltet. Mein Experimentierboard kann ich aber dann schon direkt auf Drain haengen? Muss die Masse des Experimentierboards auch an Gate haengen?
Phillip schrieb: > Ich hab auch eine Skizze von meiner Schaltung angehaengt, wuerde dass so > funktionieren? Mit Sicherheit nicht. FETs werden über eine Spannung (Ugs) gesteuert und eine Spannungen ist eine Potentialdifferenz zwischen zwei Punkten. Bei deiner Schaltung sehe ich nur eine Leitung zum steuernden Gerät. Guck einfach mal unter wie N-Kanal MOSFETs angesteuert werden müssen. http://www.mikrocontroller.net/articles/Snippets#Wie_schlie.C3.9Fe_ich_einen_MOSFET_an_einen_Mikrocontroller_an.3F
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Hallo Michael, ich hab die Skizze geandert, meinst du das stimmt jetzt so? Vielen Dank!
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Phillip schrieb: > ich hab die Skizze geandert, meinst du das stimmt jetzt so? Hast du deine Anordnung von Last und Versorgungsspannung für den Lastkreis mal mit der ersten Schaltung ("Direkte Methode: N-Kanal MOSFET (NFET)") verglichen? Last und 12V-Versorgung müssen getauscht werden. Der Übersicht der Schaltung kommt es sehr zu gute, wenn die Spannungsquellen senkrecht eingezeichnet werden, so dass die vertikale Position einer waagerechten Leitung etwa dem Potential entspricht.
ah, ok, Danke! Ich werde mich da aufjedenfall nochmal genauer einlesen. Darf ich dich fragen wieso du als R2 100k gewaehlt hast, bzw. wie hast du diesen Widerstand berechnet? R1 erscheint mir klar (R1 = 5V/50mA = 100 Ohm), damit der uC-Pin nicht ueberbeansprucht wird. Meinst du der Mosfet hier ginge auch: http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDB6670AL.pdf Vielen Danke euch allen
p.s. Der Widerstand R1 begrenzt den Ausgangsstrom des µC während des Umschaltvorgangs (Umladen der GS-Kapazität) und sollte vielleicht eher noch etwas kleiner sein. Für deine Stromstärke könnte die Verlustleistung im FET während der Umschaltung allerdings kritisch sein. Darum möchte man aus Sicht des FETs die Kapazitäte gerne möglichst schnell umladen, was der µC mit seinem IO-Pin nicht mehr schafft. Dafür könnte ein richtiger FET-Treiber mit ordendlich "Wums" erforderlich werden. Hier im Forum findet sich bestimmt jemand, der dir da genauer weiterhelfen kann.
Michael schrieb: > Hast du deine Anordnung von Last und Versorgungsspannung für den > Lastkreis mal mit der ersten Schaltung ("Direkte Methode: N-Kanal MOSFET > (NFET)") verglichen? Last und 12V-Versorgung müssen getauscht werden. Wenn 5V und 12V galvanisch getrennt sind, muss das nicht sein.
Phillip schrieb: > Darf ich dich fragen wieso du als R2 100k gewaehlt hast, bzw. wie hast > du diesen Widerstand berechnet? Da ist nix gerechnet. R2 sorgt nur dafür, dass das Gate entladen ist, solange der µC seinen I/O-Pin noch nicht als Ausgang geschaltet hat. Man sollte allerdings gucken, was beim Einschalten der 12V wegen der Kapazitäten im FET genau mit dem GS-Potential passiert. > Meinst du der Mosfet hier ginge auch: > http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDB6670AL.pdf Für 70A Betriebsstrom scheint mir der etwas schwach. Mir wäre mit etwas mehr Reserven wohler
Wenn es in Frage kommt, würde ich bei 70A mehrere Leistungs- MOSFETs nehmen und parallel schalten. Und ggf noch einen richtigen Treiber nehmen, der schnell den FET schaltet. Bspw. Push-Pull, dann ist die Umladezeit am geringsten.
Und die Verlustleistung beachten. Wenn du 70A durch eine MOSFET-Batterie mit 1mOhm jagst, musst du mit knapp 5W wegkühlen. Daher sollten die MOSFET auch so angesteuert werden, damit Rds minimal wird. Aber mit 12V lässt sich ja ein brauchbarer Treiber speisen. Ein einzelner FDB6670, mit 5V angesteuert, hat bei 8.5mOhm knapp 42W. Das ergibt einen riesigen Kühlkörper.
Phillip schrieb: > Der ohmsche Verbraucher (12V, 70 Ampere!!) soll eingeschaltet werden > sobald mein Board 5V ausgibt. Wie häufig soll geschalten werden? Einmalig, so alle paar Tage, oder dauernd mit PWM?
Das dumme ist wohl auch dass die Mosfet meist so um die 20mOhm Widerstand haben, somit fliessen anstatt 70A nur noch ca. 60A durch den Verbraucher... sofern man einen Treiber verwendet koennte ich auch "nicht logic level" mosfets verwenden, weil soweit ich jetzt gesehen habe hat man da mehr auswahl... gibt es solche Push-Pull-Treiber direkt zu kaufen, weil hier habe ich die jetzt nicht gefunden: http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#MOSFET-Treiber
>Das dumme ist wohl auch dass die Mosfet meist so um die 20mOhm >Widerstand haben, somit fliessen anstatt 70A nur noch ca. 60A durch den >Verbraucher... Das würde auch für ein Parellelschalten sprechen. Bedenke wirklich die Kühlleistung/Lüfter/Lüfterausfall. Sicher gibt es MOSFET Treiber zu kaufen. Du kannst dir die Push Pull Treiber auch selbst bauen! Simuliere mal mit LTSpice, Beispiele gibts zu Hauf. Wenn du eine Push Pull Stufe verwendest, kannst du ggf auch nicht Logic Level MOSFETs verwenden. Aber sie müssen auf jeden Fall im Sättigungsbereich sein, damit IDrain auch fließen kann!
Er könnte einen Fet Treiber wie z.B. den MCP1407 mit den 12V betreiben. Der hat 6A Ausgangsstrom und erkennt bei Ub=12V 5V an Eingang als high.
Daniel S. schrieb: > Und ggf noch einen richtigen Treiber nehmen, der schnell den FET > schaltet. Bspw. Push-Pull, dann ist die Umladezeit am geringsten. µC-Ausgänge sind ja schon PushPull; allerdings weiss ich nicht, ob die genug Strom für einen 70A FET liefern können. Im Prinzip hat Mischa schon recht. Will man eine Schaltung, die auf Anhieb funktioniert, nimmt man ein Relais. :-) Gruss Harald
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Sind sie nicht! Die Push Pull Stufe ist dafür da, die Gate Kapazität schnellstmöglich zu Entladen, um die Verlustleistung durch den MOSFET zu minimieren. Der Schaltmoment kann nämlich der Moment sein, in dem der FET die weiße Fahne hisst! Über den µC Port kann viel zu wenig Strom fließen, damit das Gate schnell entladen wird, dafür Push- Pull.
Phillip schrieb: > ich will kein Relais einsetzen, aber trotzdem Danke fuer deine Antwort. Auch schon mal drüber nachgedacht, wie Du 70A sicher und verlustarm auf einen FET kontaktierst? Das ist kein Spaziergang mehr.
Hallo, ich werfe mal BTS555 mit entsprechender Kühlung in den Raum. Du brauchst allerdings noch einen kleinen FET oder Transistor um den anzusteuern. Außerdem wird die +12V Seite geschaltet. Gruß Anja
@Anja: sieht gut aus! Er müsste nur 12.25W wegschaffen
IRLU8743 7mOhm (I²R) 70x70x0.007= macht ca. 34-einhalb Watt. Sehr viel! 4 Stück Parallel also. 17.5x17.5x7m= 2.15Watt für jeden Transistor-> sollte gerade gehen- Die Transistoren auf viel Kupfer plan ordentlich auf die Platine löten. Thermal-Pads und Alu drunter unter die Platine. Man kann aber auch "herkömmlich" TO220 oder TO247 aufn Kühlkörper schrauben. Nur an/aus oder dauerhaft PWM mit mehreren Kilohertz? BTS5551 würde auch gehen, von der erheblichenVerlustzleistung mal abgesehen. Bitte ausch die Schraubverbindungen nicht ausser Acht lassen! Wenn bei 7mR schon 35Watt verheitzt werden. Auch Lötstellen/verbindungen erreichen schnell 1-2mR! Dickes Kabel (35mm²) und vernünftige Crimpverbindungen sind hier wohl eher die Herausforderungen! Schon die auftretenen Überspannungen beim Abschalten berechnet? Hier war die Abschaltzeit, der Strom(Differenz zwischen max. und min. also 70A und Null), und die Zuleitungsinduktivität im Spiel. Also eher etwas langsamer abschalten. Kompromisse finden heisst es hier. da kann ein arg schneller Mosfet treiber eher kontraprodutiv sein, wenn der Mosfet am Ende als Avalanche-Diode im ersten Durchbruch herhalten muss. Und - Bitte nur als Vorschlag nehmen. Gibt auch andere Transistoren! Oben wurde ja schon einiges genannt. Gruß Axelr.
Hallo, vielen Dank fuer die zahlreiche Unterstuetzung! Ich hab noch ein Problem, kann man die 70A Last auch irgendwie simulieren? Z.B. einen Widerstand aus Draht wickeln, oder ist das zu Riskant (weil es koennte ja passieren dass man den Widerstand zu klein gewaehlt hat, weil wie will man mit dem Multimeter schon 0.1714 Ohm genau messen?). Oder soll ich einfach einen Widerstand basteln, vonmiraus 2V Durchschicken und schauen wieviel Ampere ich messe und daraus den Widerstand berechnen? Somit weiss ich auch was das Teil bei 12V an Strom zieht? Weil 70A kann ich schlecht mit meinem Multimeter messen und eine Strommesszange habe ich nicht. gruss
Phillip schrieb: > Ich hab noch ein Problem, kann man die 70A Last auch irgendwie > simulieren? Nimm eine entsprechende Menge von Scheinwerferlampen. Die haben allerdings die unangenehme Eigenschaft, beim Einschalten den zehnfachen Strom zu ziehen. > Weil 70A kann ich schlecht mit meinem Multimeter messen Das geht schon, wenn Du einen passenden Shunt kaufst. Gruss Harald
Michael schrieb: > Phillip schrieb: >> Darf ich dich fragen wieso du als R2 100k gewaehlt hast, bzw. wie hast >> du diesen Widerstand berechnet? > > Da ist nix gerechnet. R2 sorgt nur dafür, dass das Gate entladen ist, > solange der µC seinen I/O-Pin noch nicht als Ausgang geschaltet hat. > Man sollte allerdings gucken, was beim Einschalten der 12V wegen der > Kapazitäten im FET genau mit dem GS-Potential passiert. Hallo, was genau kann denn mit dem GS-Potential passieren beim Einschalten? Kann es passieren dass der Mosfet nicht schaltet oder was ist das Problem? Danke,
Phillip schrieb: > Z.B. einen Widerstand aus Draht wickeln, oder ist das zu Riskant (weil > es koennte ja passieren dass man den Widerstand zu klein gewaehlt hat, > weil wie will man mit dem Multimeter schon 0.1714 Ohm genau messen?). Warum soll das Messen solcher Widerstände ein Problem sein? Nimm ein Netzteil mit Stromanzeige & -begrenzung und lass den Strom durch deinen Widerstand fließen. Mit dem Multimeter misst du dann direkt über dem Widerstand die Spannung. Den Rest verrät dir das Ohm'sche Gesetz. Stichwort: Vierleitermessung http://de.wikipedia.org/wiki/Vierleitermessung
Ok, ja das mit dem Widerstandsmessen sollte kein Problem sein. Mal so nebenbei, ich hab hier einen IC gefunden, waere das fuer eine Treiberschaltung eines nmosfets ok? https://www.sparkfun.com/datasheets/IC/uln2803a.pdf Oder ist das Teil zu langsam?
Phillip schrieb: > https://www.sparkfun.com/datasheets/IC/uln2803a.pdf > > Oder ist das Teil zu langsam? Das ist ein Open Collector. Du willst einen Push-Pull treiber, wie zB MCP1416.
Gerhard W. schrieb: > Phillip schrieb: >> https://www.sparkfun.com/datasheets/IC/uln2803a.pdf >> >> Oder ist das Teil zu langsam? > > Das ist ein Open Collector. Du willst einen Push-Pull treiber, wie zB > MCP1416. Wuerde das also nicht funktionieren mit einem Open Collector? Warum nicht?
Phillip schrieb: > Wuerde das also nicht funktionieren mit einem Open Collector? > Warum nicht? Weil du das Gate des MOSFETs laden und wieder entladen musst, wie schon irgendwo weiter oben stand.Der OC Treiber kann nur in eine Richtung leiten, du kannst den MOSFET also damit nur an- oder (wie im Fall des ULN2803, der nach Masse schaltet) ausschalten. Um den MOSFET anzubekommen bräuchtest du einen entsprechend kleinen Pullup, also einen Widerstand nach 5V, der das Gate auf die 5V zieht wenn der OC Treiber aus ist. Dieser Widerstand zieht aber dann immer Strom wenn der MOSFET aus ist, was meistens unerwünscht ist. Außerdem ist die Lösung mit dem Widerstand tendentiell langsamer (== mehr Verlustleistung beim Umschalten) als der Push-Pull Treiber.
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Bleiben wir bei reichelt, ok? http://www.reichelt.de/ICs-MCP-1-2-/MCP-14E10-E-SN/3//index.html?ACTION=3&GROUPID=5471&ARTICLE=109724&SHOW=1&OFFSET=16&; oder den hier in DIP8 http://www.reichelt.de/ICs-CA-ISD-/ICL-7667-CPA/3//index.html?ACTION=3&GROUPID=2910&ARTICLE=8734&SHOW=1&OFFSET=16&&gclid=CIS-pevmq7wCFYdb3godYBUAjw laufen beide ab 4.5Volt. Braucht man keine Kompromisse machen. Axelr.
ok, danke fuer die Erklaerung! Also der Treiber hier in kombination mit dem Mosfet wurde hinhauen? Treiber: http://www.reichelt.de/ICs-MCP-1-2-/MCP-14E10-E-SN/3//index.html?ACTION=3&GROUPID=5471&ARTICLE=109724&SHOW=1&OFFSET=16&; Mosfet: http://www.reichelt.de/IRFP-4568/3/index.html?&ACTION=3&LA=446&ARTICLE=90345&artnr=IRFP+4568&SEARCH=mosfet+150a gruss
Was ich noch nicht ganz verstehe: Betrachten wir nur den Einschaltfall: Wie berechnet man ob man eine Gate-Treiberschaltung braucht oder nicht? Mein uC-Pin kann 5V bei 50mA. Soweit ich verstanden habe ist dass Problem, dass die Gatekapazitaet schnell genug aufgeladen werden muss. Die Frage ist: Wie schnell? Der Mosfet soll einfach nur 70A bei 12V einschalten. Wie schnell muss er dafuer geschaltet werden ohne dass er verbrennt und wie berechnet man die Leistungsdaten die der Mosfet-Treiber haben muss? Welche Daten muss ich vom Mosfet wissen? Vielen Dank
Hallo Leute, ich habe jetzt mal folgenden nmosfet in LTspice simuliert (siehe Anhang). Laut Simulation hab ich ca. 1.5 us Verzoegerungszeit (Gate direkt am Steuerpin des uC) herausbekommen bis der Mosfet vollkommen durchschaltet. Hier das Spice-Modell dass ich verwendet habe: http://www.digikey.com/product-detail/en/IRLS4030PBF/IRLS4030PBF-ND/2095861 http://www.irf.com/product-info/models/spice/irls_sl4030pbf.spi Meint ihr die 1,5 us reichen aus um den Mosfet zu killen? gruss
Naja, das Ende des Plateaus ist erst nach etwa 3,5µs erreicht. Erst dort kann man von einem durchgeschalteten FET sprechen. Hast du dir mal die Verlustleistung im Einschaltmoment angeschaut? Satte 300W werden hier verbraten. Außerdem ist es keine gute Idee den FET direkt durch den µC-Portpin zu schalten, der 120Ohm Widerstand begrenzt dir zwar den Strom auf etwa 40mA aber kann das dein µC überhaupt? Mit Treiber ist das ganze schneller, robuster und sicherer. Nächste Frage: wie willst du die Verlustleistung von 21W (es gibt eine Menge Leute, die mit dieser Leistung löten!) loswerden? Ich würde das ganze mit (mindestens) drei Transistoren parallel lösen, je nachdem was ich an maximaler Umgebungstemperatur, Einschaltdauer usw. zu erwarten habe. Meine Empfehlung: mehrere Transistoren parallel und einen ordentlichen Treiber davorschalten. Christian
Hallo Christian, Christian Gärtner schrieb: > Naja, das Ende des Plateaus ist erst nach etwa 3,5µs erreicht. > Erst dort > kann man von einem durchgeschalteten FET sprechen. > Hast du dir mal die Verlustleistung im Einschaltmoment angeschaut? Satte > 300W werden hier verbraten. Wie kommst du auf den Wert von 300 Watt? Wie berechnet man das? > > Außerdem ist es keine gute Idee den FET direkt durch den µC-Portpin zu > schalten, der 120Ohm Widerstand begrenzt dir zwar den Strom auf etwa > 40mA aber kann das dein µC überhaupt? Mit Treiber ist das ganze > schneller, robuster und sicherer. mein uC kann bei 5V ca. 50mA. > > Nächste Frage: wie willst du die Verlustleistung von 21W (es gibt eine > Menge Leute, die mit dieser Leistung löten!) loswerden? Das ist (hoffe ich) das geringere Problem da der Verbraucher nur ca. 2-3 Sekunden eingeschaltet bleiben soll. gruss
Hallo, wie ich die Verlustleistung berechnet habe? Garnicht, LTSpice macht das für mich: einfach als Ausdruck U*I angeben. Welchen µC verwendest du? Den Portpin, der 50mA treibt möchte ich mal gerne sehen.
Hi, Christian Gärtner schrieb: > Hallo, > > wie ich die Verlustleistung berechnet habe? Garnicht, LTSpice macht das > für mich: einfach als Ausdruck U*I angeben. > Wo genau muss ich U*I angeben? Meinst du die 300W beim Einschalten zerstoeren den Mosfet? > Welchen µC verwendest du? Den Portpin, der 50mA treibt möchte ich mal > gerne sehen. ist ein Experimentierboard, da haengt noch ein Treiber dazwischen...
Phillip schrieb: > Hi, > > Christian Gärtner schrieb: >> Hallo, >> >> wie ich die Verlustleistung berechnet habe? Garnicht, LTSpice macht das >> für mich: einfach als Ausdruck U*I angeben. >> > > Wo genau muss ich U*I angeben? Habs gefunden, im Graph das eintippen: V(n003)*Ix(M1:D) Meint Ihr der Mosfet haelt den Einschaltvorgang aus oder ist das eher Glueckssache? Wie berechnet man denn die Verlustleistung beim Einschaltvorgang wenn man kein LTSpice hat? gruss
Phillip schrieb: > Der Mosfet soll einfach nur 70A bei 12V einschalten. Ganz so einfach ist das Schalten von 70A mit einem FET eben doch nicht...
Bei diesen Leistungen würde ich auf jeden Fall eine Treiberschaltung einsetzen. Ein uC-Pin liefert einfach nicht ausreichend Strom, um den FET schnell durchzuschalten. 70A über eine Platine ist auch nicht ganz einfach, es sei denn es geht nur um Pulse kurze Pulse bis max. einige Sekunden. Bei einer Parallelschaltung kann man den Strom über eine sehr große Fläche verteilen. Mit einer 4-Lagen-70u-Platine geht das noch ganz bequem, ansonsten muss man womöglich dicke Kabel anlöten. Und selbst dann kommt man an mehreren FET kaum vorbei, da die meisten Packages keine 70A dauerhaft können.
Aber selbst wenn ich die Gater-Source-Spannung auf 20V erhoehe oder einfach nur den Gatwiderstand auf 0 Ohm setze, habe ich ca. 300W Verlustleistung. Das einzige was sich da aendert ist, dass die 300W eine kuerzere Zeit anliegt. Kann man im Datenblatt auslesen wie lange welche Verlustleistung anliegen darf? Oder kann man das irgendwie berechnen? Vielen Dank und gruss
Ja, die thermische Impedanz ist angegeben.
Phillip schrieb: > Kann man im Datenblatt auslesen wie lange welche Verlustleistung > anliegen darf? Oder kann man das irgendwie berechnen? In manchen Datenblättern steht wohl die Wärmekapazität. Damit kann man das umrechnen. Das schnelle Erhitzen und wieder abkühlen verringert natürlich auch die Lebensdauer des FET. Ausrechnen, um wieviel, kann ich aber auch nicht. Gruss Harald
Die max. Verlustleistung des Transistors laut Datenblatt beträgt 370W @25°C. Mit dem Einschalten pumpst du Leistung rein und damit geht die Temperatur des Siliziums hoch. Hier mit der Kühlanbindung zu rechnen ist nicht nötig, da der Zeitraum viel zu kurz ist. Der Wärmetransport über die Kühlanbindung ist nicht schnell genug! Ich gehe mal davon aus, dass es beim ersten Einschalten (Transistor ist kalt) wahrscheinlich gerade noch funktioniert, beim zweiten Einschalten (kurze Zeit später, wenn der Transistor noch warm ist) zum Knall kommt. Die Verlustleistung beim Einschalten, bzw. besser die gesamte in Wärme umgesetzte Energie muss unbedingt beachtet. Die Energie ist natürlich um so kleiner, je kürzer der Einschaltzeitraum ist. Ich würde hier nicht höher gehen als die "Single Pulse Avalanche Energy". Da das ganze meines Erachtens nicht mit einem Transistor alleine dauerhaft funktionieren wird, wirst du nicht um schätzungsweise zwei weitere Transistoren herumkommen.
Was mich irgendwie stoert ist, dass nirgendswo in den Datenblaettern eine Zeitangabe vorhanden ist, z.B. wie lange kann man den FET ueberlasten ohne dass dieser Schaden nimmt bzw. zu heiss wird... Meist ist auch immer der Pulsed Drain Current angegeben der ein Vielfaches des Nennstroms betraegt - ja schoen, aber wie lange darf der Puls denn andauern? - Zeitangaben fehlen immer Oder auch wie schnell sollte der Mosfet durchschalten damit er nicht verbrennt... Nix, kein Diagramm gar nix darueber... http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irls4030pbf.pdf Eure Hilfe ist aber echt super! Danke
@Antimedial
> Ja, die thermische Impedanz ist angegeben.
Die bringt dir beim Einschaltzen gar nichts, bis die Energie an den
Kühlung bzw. über das Gehäuse abgewandert ist, hat sich das Silizium
schon in blauen Rauch verwandelt.
Harald Wilhelms schrieb: > In manchen Datenblättern steht wohl die Wärmekapazität. > Damit kann man das umrechnen. Das schnelle Erhitzen und > wieder abkühlen verringert natürlich auch die Lebensdauer > des FET. Ausrechnen, um wieviel, kann ich aber auch nicht. Das ist relativ einfach, wenn man die Wärmekapazität hat. In fast allen Datenblättern findet man die Kurve für die thermische Impedeanz. Man braucht dazu nur noch Lebensdauerangaben vom Hersteller - dafür gibt es meistens Application Notes. Allerdings ist ein Schaltereignis von einer us noch so weit unter der Wärmekapazität, dass es im Prinzip überhaupt keine Rolle spielt, solange man nicht ständig schaltet. Es geht also schon mit einem uC-Pin, aber die Lösung mit Treiberschaltung ist einfach sauberer, allein schon weil man nicht unbedingt einen Logic-Level-FET einsetzen muss.
@Philip Diese Angaben die du vermisst sehen alle im Datenblatt. Man muss sie nur RICHTIG interpretieren. Und gerade IR-Datenblätter sind aussagekräftig, nicht wie Fairchild oder diverse fernöstliche Hersteller.
Christian Gärtner schrieb: > Die bringt dir beim Einschaltzen gar nichts, bis die Energie an den > Kühlung bzw. über das Gehäuse abgewandert ist, hat sich das Silizium > schon in blauen Rauch verwandelt. Quatsch. Die thermische Impedanz hat überhaupt nichts mit dem Kühlkörper zu tun, sondern beschreibt allein die Wärmekapazität des Chips (und evtl. des Packages). Man kann also exakt bestimmen, wie lang man mit welcher Verlustleistung welche Chiptemperatur erreicht.
Christian Gärtner schrieb: > @Philip > Diese Angaben die du vermisst sehen alle im Datenblatt. Man muss sie nur > RICHTIG interpretieren. Ja, da hakts bei mir noch, aber ich freu mich dass ich hier super Hilfe bekomme! Bezueglich dem Datenblatt nochmal: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irls4030pbf.pdf Bei Fig. 1 ist ein Diagramm angegeben dass -so meine ich es zumindest- angiebt, wie stark man den Ausgang bei eintsprechender Gatespannung belasten kann innerhalb einer Zeitdauer von <= 60us. Wenn ich mir also Fig. 1 anschaue und U(GS)=4.5V, dann sehe ich, dass ich bei U(DS)=12V mehr als 100A ziehen darf (sofern dies weniger als 60us dauert). Bzw. da ist der Graph gar nicht weitergezeichnet bei V(DS)=12V und U(GS)=4.5V..... Der Einschaltvorgang dauert aber bei mir nur ca. 3.5us, somit waere ich doch weit im gruenen Bereich? Oder verstehe ich da etwas falsch?
Christian Gärtner schrieb: > Impedanz != Kapazität Natürlich nicht, es ist die thermische Kapazität parallelgeschaltet mit dem thermischen Widerstand. Bei kurzen Impulsen ist aber die Kapazität dominant.
Antimedial schrieb: > Christian Gärtner schrieb: >> Impedanz != Kapazität > > Natürlich nicht, es ist die thermische Kapazität parallelgeschaltet mit > dem thermischen Widerstand. Bei kurzen Impulsen ist aber die Kapazität > dominant. Richtig, und wenn du das so weiter oben geschrieben hättest, dann hätte ich auch gar nichts anzumerken gehabt.
Zurück zum Problem: Laut der Abbildung 1 wärst du bei Tj=25°C (Siliziumtemperatur) sicher. Die Frage ist jetzt, wie sieht das Einschalt-/Ausschaltverhalten aus? Zeitliche Abstände usw.
@Philipp: Oben ist schon mal gefragt worden: Wie oft willst du denn schalten? PWM, oder nicht? Sind für dich mehrere Transistoren (ca 4, um auf Nummer sicher zu gehen) mit einer guten Treiberschaltung ein Problem? In LTSpice kann man auch die im Bauteil umgesetzte Durchschnittsleistung und ich glaube auch die Durchschnittsenergie anschauen. Mein Vorschlag: Treiber mit 4 MOSFETs Alles andere ist viel zu hypothetisch wann es wie noch gut funktioniert und wann nicht!
Christian Gärtner schrieb: > Richtig, und wenn du das so weiter oben geschrieben hättest, dann hätte > ich auch gar nichts anzumerken gehabt. Gut, dann hast du ja begriffen, dass deine ursprüngliche Aussage Unsinn war.
Daniel S. schrieb: > @Philipp: Oben ist schon mal gefragt worden: Wie oft willst du > denn > schalten? PWM, oder nicht? Mir ist nur der Einschaltvorgang wichtig, kein PWM. > Sind für dich mehrere Transistoren (ca 4, um auf Nummer sicher zu gehen) > mit einer guten Treiberschaltung ein Problem? Ich will mit so wenig wie moeglich auskommen. Christian Gärtner schrieb: > Zurück zum Problem: > Laut der Abbildung 1 wärst du bei Tj=25°C (Siliziumtemperatur) sicher. > Die Frage ist jetzt, wie sieht das Einschalt-/Ausschaltverhalten aus? > Zeitliche Abstände usw. Meinst du das Einschaltverhalten des uC Pins?
Was ich ueberhaupt nicht verstehe ist Fig. 13 und Fig. 14. Kann man diese Diagramme in meinem Fall irgendwie gebrauchen? http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irls4030pbf.pdf
Fig13 ist genau das Diagramm, das ich gemeint hab. Was ist an daran nicht zu verstehen? Dir fehlen anscheinend die Grundlagen in thermischen Design? Dann solltest du erst einmal die Theorie lernen.
Antimedial schrieb: > Dir fehlen anscheinend die Grundlagen in thermischen > Design? Und nicht nur das. Er wirds schon schaffen den FET zu zerkochen, das ist immerhin interessant und lustig anzusehen. Ein Relais, das diese Aufgabe ohne großartige Maßnahmen zuverlässig löst, ist dagegen natürlich langweilig.
Hallo @Phillip Beim IRLS4030 findest die Überlastfähigkeit auf S4, FIG8. "Maximum Safe Operating Area". Man kann das z.B. so schätzen: Du möchtest wissen, wie lange du dir Zeit lassen darfst, deine 70A bei 12V einzuschalten: Prüfe nach, wo Id=70A und Vds12V liegen: Zwischen 100µs und 1ms. Die Zeit muss man noch linear deraten, weil das für Tj=25° gilt. Derating: Berechnen, wie heiß die Sperrschicht im Betrieb ist (S1 - Thermal resistance). Umso heißer, umso kürzer die Zeit (100° ist die Hälfte). Das gilt dazu nur für einen einzelnen Schaltvorgang - die Sperrschicht muss sich danach abkühlen. Wie schnell das geht siehe S5. Das ist wirklich nur eine grobe Schätzung ob es überhaupt geht, weil eigentlich ist VDS über die Einschaltzeit im Mittel 6V - das man so rechnen kann, setzt aber voraus, dass das Einschalten schnell ist. Mit den Werten in FI13 kann man das übrigens mit LTSPICE simulieren (Werte in el. Äquivalente übersetzen): http://www.vishay.com/docs/73554/73554.pdf
Wie sollen den bei V_ds=12V I_d=70Ampere fliessen? Macht doch mal langsam... [1] Bei V_ds=12V fliesst nichts, [2] Bei V_ds=6V fliessen 35A, [3] Bei V_ds=(I_nenn x Rds_on@5V(U_gs)) fliessen die 70Ampere, um die es hier geht. Jetzt muss man zusehen, das man dien Bereich[2] möglichst schnell durchfährt. Man muss hier integrieren oder (wer das nicht kann) um[2] herum mehrere Stützstellen aufmachen. 9v, 7.5V, 4.5V usw. und hier die resultierenden Ströme und Leistungen ausrechnen. Die Gesamtzeit teilt sich durch die Anzahl der Stützstellen und man bekommt Wattsekunde (Ws) raus. Das kann man in Joule umrechnen und sollte, wie oben richtig genannt, deutlich unterhalb der angegebenen maximalen Avalanche-Energie liegen. Bei LTSpice hält man die [ALT] Taste gedrückt und klickt aufs Bauteil. So bekommt man die Leistung angezeigt. Man kann ebenso die [Strg] taste drücken und im Graph auf den Ausdruck klicken. gibt einem das Integral über die Zeit ... Axelr. Ich hoffe, das das soweit stimmt, was ich schrieb.
Phillip schrieb: > ok, danke fuer die Erklaerung! > > Also der Treiber hier in kombination mit dem Mosfet wurde hinhauen? > > Treiber: > http://www.reichelt.de/ICs-MCP-1-2-/MCP-14E10-E-SN/3//index.html?ACTION=3&GROUPID=5471&ARTICLE=109724&SHOW=1&OFFSET=16&; > > > Mosfet: > http://www.reichelt.de/IRFP-4568/3/index.html?&ACTION=3&LA=446&ARTICLE=90345&artnr=IRFP+4568&SEARCH=mosfet+150a > > gruss Steht das noch zur Debatte, oder doch lieber 20 Euro für 4x IRLS4030 ausgeben? http://de.mouser.com/ProductDetail/International-Rectifier/IRLS4030-7PPBF/?qs=Z8%252beY1k3TIJvNuaE4vP5sA== Betsell Dir gleich die Power-Terminals und 70µm Platinen-material dazu! Keramische Cs zum Abblocken nicht vergessen. Überspannungsschutz usw.
http://www.amphenol-industrial.com/index.php/powerblok http://www.ttiinc.com/object/tyco_electronics_powertap http://www.digikey.com/product-highlights/us/en/wurth-power-elements-with-press-fit-technology/2778 digikey Bestellmöglichkeit gibt es hier im Forum http://www.octamex.de/shop/?page=shop/flypage&product_id=120&category_id=57108753ef4d5fc647d1e2fcdc5f3712
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Vielen Dank fuer die rege Beteiligung! Axel R. schrieb: > Wie sollen den bei V_ds=12V I_d=70Ampere fliessen? > Macht doch mal langsam... > > [1] Bei V_ds=12V fliesst nichts, > [2] Bei V_ds=6V fliessen 35A, > [3] Bei V_ds=(I_nenn x Rds_on@5V(U_gs)) fliessen die 70Ampere, um die es > hier geht. > Jetzt muss man zusehen, das man dien Bereich[2] möglichst schnell > durchfährt. > Man muss hier integrieren oder (wer das nicht kann) um[2] herum mehrere > Stützstellen aufmachen. 9v, 7.5V, 4.5V usw. und hier die resultierenden > Ströme und Leistungen ausrechnen. Die Gesamtzeit teilt sich durch die > Anzahl der Stützstellen und man bekommt Wattsekunde (Ws) raus. > Das kann man in Joule umrechnen und sollte, wie oben richtig genannt, > deutlich unterhalb der angegebenen maximalen Avalanche-Energie liegen. > > Bei LTSpice hält man die [ALT] Taste gedrückt und klickt aufs Bauteil. > So bekommt man die Leistung angezeigt. > Man kann ebenso die [Strg] taste drücken und im Graph auf den Ausdruck > klicken. gibt einem das Integral über die Zeit ... > > Axelr. > > Ich hoffe, das das soweit stimmt, was ich schrieb. ich habe mal die Befehle bei LTSpice ausgefuhrt wie du gesagt hast (siehe Bildanhang). Also LTSpice spuckt mir knapp 600uJ beim Einschaltvorgang aus, ist das die Avalanche-Energie? Das Datenblatt nennt 305mJ als "Single Pulse Avalanche Energy", somit muesste ich ja weit darunter liegen?
eben(dt) ;) Soo wild ist das alles nicht. Problematisch wird es bei PWM: Wenn das dauernd hin und her geht, das wird das ganz schnell warm. Aber bei nur ein zwei Mal in der Stunde? Soo schnell passiert da nichts. Die Avalanche-Energie ist Die Energie, die der FET im "Durchbruch" abkann. http://de.wikipedia.org/wiki/Lawinendurchbruch Eher sind die parasitären Induktivitäten zu beachten! Die ziehen Dir dein Gate-Potenzial schnell in den negativen Bereich! Da sind schnell U_gs deutlich größer 20Volt erreicht. --> kaputt. SourcePin-Leiterbahn zu lang. Schon ist es passiert. Du kannst ja mal eine kleine Induktivität (20nH) an den Sourcepin schalten und dann U_gs aufnehmen.
schick mir/uns mal die asc-datei und das modell von dem 4030
Was willst du da eigentlich einschalten? Wie oft und wie schnell hintereinander soll ein/ausgeschaltet werden? Bist du sicher daß ein/mehrere Mosfet(s) wirklich die richtige Lösung ist? Bei 70A ist kein Verbraucher mehr rein ohmsch zu betrachten. Durch die hohen Ströme wirken sich beim schnellen Schalten schon sie Leitungsinduktivitäten stark genug aus um dir den Fet beim ersten Auschalten zu zerschießen. Besorg dir schonmal ausreichend Ersatz-Fets und ein Speicheroszi.
ist zwar nicht genau der Einsatzzweck, aber es bestehen gewisse Analogien ... http://www.guido-speer.de/html/punktschweissgerat.html
Hallo Udo, Udo Schmitt schrieb: > Was willst du da eigentlich einschalten? ich will "nur" einen Draht durchschmelzen, es dauert ca. 2 Sekunden bis der Draht durchgeschmolzen ist > Wie oft und wie schnell hintereinander soll ein/ausgeschaltet werden? > Der Mosfet soll ca. einmal pro Stunde eingeschaltet werden. Ausschalten braucht sich der Mosfet nicht, das macht der Draht im Stromkreis der innerhalb von ca. 2 Sekunden durchschmilzt. > Bist du sicher daß ein/mehrere Mosfet(s) wirklich die richtige Lösung > ist? > Ja, ich will nur einen Mosfet haben, die Schaltung soll so einfach wie moeglich sein. Auch auf einen Kuehlkoerper moechte ich verzichten. > Bei 70A ist kein Verbraucher mehr rein ohmsch zu betrachten. Durch die > hohen Ströme wirken sich beim schnellen Schalten schon sie > Leitungsinduktivitäten stark genug aus um dir den Fet beim ersten > Auschalten zu zerschießen. Wenn der Draht durchschmilzt liegt ja die Induktionsspannung an den durchgeschmolzenen Drahtenden an, kann deswegen auch noch der Mosfet zerstoert werden? Ich hab jetzt ein paar Fets bestellt und werde demnaechst das ganze austesten.
Phillip schrieb: > Ja, ich will nur einen Mosfet haben, die Schaltung soll so einfach wie > moeglich sein. Auch auf einen Kuehlkoerper moechte ich verzichten. Das wirst du kaum schaffen. Entweder viel Fläche (und deshalb mehrere Bauteile), oder Kühlkörper (dann wird es aber mit einem Bauteil mit der Anbindung sehr kritisch). Phillip schrieb: > Wenn der Draht durchschmilzt liegt ja die Induktionsspannung an den > durchgeschmolzenen Drahtenden an, kann deswegen auch noch der Mosfet > zerstoert werden? Was hat das mit durchschmelzen zu tun? Bei jedem Schalten hast du eine Überspannung an deinem Schalter bedingt durch die Leitungsinduktivität. Die muss also so gering wie möglich bleiben, durch niederinduktiven Aufbau und dem Einsatz von Kondensatoren.
Antimedial schrieb: > Phillip schrieb: >> Ja, ich will nur einen Mosfet haben, die Schaltung soll so einfach wie >> moeglich sein. Auch auf einen Kuehlkoerper moechte ich verzichten. > > Das wirst du kaum schaffen. Entweder viel Fläche (und deshalb mehrere > Bauteile), oder Kühlkörper (dann wird es aber mit einem Bauteil mit der > Anbindung sehr kritisch). > Brauch ich auch einen Kuehlkoerper wenn das Teil hoechstens 2 Sekunden eingeschaltet sein soll?
Sobald der Draht durchgeglüht ist, stirbt der FET. Kühlkörper ist bei 2 Sekunden von der Anzahl der Halbleiter abhängig... Welche und wieviele MOSFETs werden denn jetzt verwendet?
Phillip schrieb: > Brauch ich auch einen Kuehlkoerper wenn das Teil hoechstens 2 Sekunden > eingeschaltet sein soll? Ok, das habe ich nicht gelesen. Zwei Sekunden sollten bei einem großen Package noch gehen. Das Thema mit der Platine ist dann auch eher unkritisch. Ich würde dann auf SMD mit viel Kupferfläche gehen. Axel R. schrieb: > Sobald der Draht durchgeglüht ist, stirbt der FET. Wenn man es richtig macht, nicht. In diesem Fall könnte man auch eine TVS zur Überspannungsbegrenzung einsetzen.
ich habe das Thema Überspannungsschutz schon weiter oben zu thematisiert. Auch andere haben das bereits angesprochen. scheint dem TO aber nicht zu jucken.
Meinst du das? Axel R. schrieb: > Eher sind die parasitären Induktivitäten zu beachten! Die ziehen Dir > dein Gate-Potenzial schnell in den negativen Bereich! Da sind schnell > U_gs deutlich größer 20Volt erreicht. --> kaputt. > SourcePin-Leiterbahn zu lang. Schon ist es passiert. Ich gehe mal von einem Low-Side-FET aus. Das Layout muss natürlich sauber sein. Über den Treiberstrang darf kein Laststrom fließen. Ideal ist natürlich eine getrennte Versorgungsspannung. Vds ist dagegen immer ein Problem. Da hilft aber ein Ausgleichsnetzwerk. Vermutlich reicht sogar ein C. Im Zweifelsfall noch eine TVS über den FET, oder das Gate aktiv klemmen (dann allerdings wieder auf Kosten der Verlustleistung). Eine Freilaufdiode muss natürlich auch vorhanden sein.
Axel R. schrieb: > Wenn man es richtig macht, nicht. In diesem Fall könnte man auch eine > TVS zur Überspannungsbegrenzung einsetzen. Wie dimensioniert man sowas? Am Fet (Lastkreis) haengen jeweils 16x 0.8m Leitung dran (also ich hab 8 Widerstaende parallel, an jedem Widerstand gehen 2 Leitungen mit jeweils 0.8m laenge)
Phillip schrieb: > Wie dimensioniert man sowas? W = 0.5 * I² * L Die Energie muss deine Diode maximal vertragen. Die Induktivität der Leitungen musst du im Tabellenbuch nachschlagen, oder messen. Die Leitungen würde ich unbedingt verdrillen.
Einfach gesagt, ich will 8 Widerstaende versorgen die jeweils ca. 0.8m vom FET entfernt sind.
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mhm, grob gesagt liegen ca. 110V beim Ausschalten, egal ob ich jetzt 20uH oder 1H als Leitungsinduktivitaet verwende...
Phillip schrieb: > mhm, grob gesagt liegen ca. 110V beim Ausschalten, egal ob ich jetzt > 20uH oder 1H als Leitungsinduktivitaet verwende. weil die Breakdown-Spannung deines Transistors ca. 100V beträgt und dein Simulationsmodell für den FET den Durchbruch berücksichtigt. Egal ob 20uH oder 1H: sobald am Drain die Durchbruchpannung erreicht ist fließt der Strom wieder über den Transistor. Der Wert der Induktivität bestimmt dann, wie lange der Strom weiterfließt und wie viel Energie der FET wegstecken muss. Phillip schrieb: > Wenn der Draht durchschmilzt liegt ja die Induktionsspannung an den > durchgeschmolzenen Drahtenden an, kann deswegen auch noch der Mosfet > zerstoert werden? Im Prinzip und sofern alles immer läuft wie geplant ist dein Gedanke richtig: wenn die Last hochohmig wird solange der FET noch leitet, wird die gespeicherte Energie nicht im FET verheizt sondern in der Last. Der Fet sieht dann auch keine Überspannung. Aber in der Realität musst du immer damit rechnen, dass das auch mal nicht so klappt wie geplant (Vielleicht weil der Draht wider Erwarten doch nicht wegschmilzt. Oder weil dort ein Lichtbogen zündet der noch nicht erloschen ist, wenn du den FET ausschaltest). Deine Schaltung sollte möglichst auch diese unerwünschten Fälle überleben.
Phillip schrieb: > Der Mosfet soll ca. einmal pro Stunde eingeschaltet werden. > Ausschalten braucht sich der Mosfet nicht, das macht der Draht im > Stromkreis der innerhalb von ca. 2 Sekunden durchschmilzt. Dann könntest Du ja auch einen Thyristor nehmen. Die sind wesentlich robuster.
Harald Wilhelms schrieb: > Phillip schrieb: > >> Der Mosfet soll ca. einmal pro Stunde eingeschaltet werden. >> Ausschalten braucht sich der Mosfet nicht, das macht der Draht im >> Stromkreis der innerhalb von ca. 2 Sekunden durchschmilzt. > > Dann könntest Du ja auch einen Thyristor nehmen. Die sind wesentlich > robuster. Ja, aber ich will den Stromkreis doch lieber auch manuell ausschalten koennen, falls der Draht doch nicht durchschmilzt bzw. irgendwo hinfaellt und einen Kurzschluss macht. Ich hab nochmal den Threat durchgelesen, ist der BTS555 wirklich idiotensicher? Kann man den 1:1 gegen ein Relais ersetzen und braucht man sich da nichtmal Gedanken machen wg. Ausschaltinduktion etc?
Phillip schrieb: > Der Mosfet soll ca. einmal pro Stunde eingeschaltet werden. > Ausschalten braucht sich der Mosfet nicht, das macht der Draht im > Stromkreis der innerhalb von ca. 2 Sekunden durchschmilzt. Und warum nimmst du dann nicht einen dünneren Draht, der schon bei geringerem Strom durchbrennt?
Phillip schrieb: > mhm, grob gesagt liegen ca. 110V beim Ausschalten, egal ob ich jetzt > 20uH oder 1H als Leitungsinduktivitaet verwende... Mach erst einmal eine Freilaufdiode rein. Und dann ein C an der Versorgungsspannung.
Antimedial schrieb: > Phillip schrieb: >> mhm, grob gesagt liegen ca. 110V beim Ausschalten, egal ob ich jetzt >> 20uH oder 1H als Leitungsinduktivitaet verwende... > > Mach erst einmal eine Freilaufdiode rein. Und dann ein C an der > Versorgungsspannung. Also also Freilaufdiode kann ich dann eine ganz normale Diode verwenden (12V, ca. 70A) ?
Kann es schlimmstenfalls auch das Gate bzw. die Ansteuerung (Experimentierboard) zerschiessen wenn an Drain und Source 110V anliegen?
Achim S. schrieb: > Phillip schrieb: >> Wenn der Draht durchschmilzt liegt ja die Induktionsspannung an den >> durchgeschmolzenen Drahtenden an, kann deswegen auch noch der Mosfet >> zerstoert werden? > > Im Prinzip und sofern alles immer läuft wie geplant ist dein Gedanke > richtig: wenn die Last hochohmig wird solange der FET noch leitet, wird > die gespeicherte Energie nicht im FET verheizt sondern in der Last. Der > Fet sieht dann auch keine Überspannung. > > Aber in der Realität musst du immer damit rechnen, dass das auch mal > nicht so klappt wie geplant (Vielleicht weil der Draht wider Erwarten > doch nicht wegschmilzt. Oder weil dort ein Lichtbogen zündet der noch > nicht erloschen ist, wenn du den FET ausschaltest). Deine Schaltung > sollte möglichst auch diese unerwünschten Fälle überleben. Also der Mosfet wird aufjedenfall erst nach dem Schmelzen der Draehte abgeschaltet. Somit duerfte das Ueberspannungsproblem auch geloest sein...
Phillip schrieb: > Also der Mosfet wird aufjedenfall erst nach dem Schmelzen der Draehte > abgeschaltet. Somit duerfte das Ueberspannungsproblem auch geloest > sein... d.h. wenn der Draht einmal nicht schmilzt (weil z.B. irgend ein Übergangswiderstand zu groß ist und den Strom begrenzt) wirst du den FET ewig weiterlaufen lassen?
Achim S. schrieb: > Phillip schrieb: >> Also der Mosfet wird aufjedenfall erst nach dem Schmelzen der Draehte >> abgeschaltet. Somit duerfte das Ueberspannungsproblem auch geloest >> sein... > > d.h. wenn der Draht einmal nicht schmilzt (weil z.B. irgend ein > Übergangswiderstand zu groß ist und den Strom begrenzt) wirst du den FET > ewig weiterlaufen lassen? naja, wenn der Draht nicht schmilzt hab ich ganz andere Probleme.... :D
Phillip schrieb: > Also also Freilaufdiode kann ich dann eine ganz normale Diode verwenden > (12V, ca. 70A) ? Im Prinzip ja. Geht erst einmal um die Simulation, da ist es egal. Phillip schrieb: > Kann es schlimmstenfalls auch das Gate bzw. die Ansteuerung > (Experimentierboard) zerschiessen wenn an Drain und Source 110V > anliegen? Wenn dir der FET weg brennt, ja. Sogar ziemlich sicher.
warum Halbleiter schmelzen…Du willst doch Draht schmelzen. Schalte doch mit einem mittelalterlichen Schwertschalter. EIN und AUS !
Embedded schrieb: > Phillip schrieb: >> Kann es schlimmstenfalls auch das Gate bzw. die Ansteuerung >> (Experimentierboard) zerschiessen wenn an Drain und Source 110V >> anliegen? > > Wenn dir der FET weg brennt, ja. Sogar ziemlich sicher. Gibt es eine Moeglichkeit die Ansteuerung (Experimentierboard) zu schutzen? Das komische ist, sobald ich eine Freilaufdiode reinschalte, simuliert mir LTSpice trotzdem um die 100V....
Phillip schrieb: > Gibt es eine Moeglichkeit die Ansteuerung (Experimentierboard) zu > schutzen? uC -> Optokoppler -> Mosfet treiber Hätte ein IGBT in diesem Fall eigentlich vorteile gegenüber Mosfets?
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Bearbeitet durch User
Phillip schrieb: > Das komische ist, sobald ich eine Freilaufdiode reinschalte, simuliert > mir LTSpice trotzdem um die 100V.... dann hast du sie falsch eingebaut...
Hallo nochmal, wie kuehlt man denn so einen Mosfet? Der IRLSL4030 hat leider keine Metallplatte mit Loch fuer die Schraube wo man den Kuehlkoerper befestigen kann... siehe: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irls4030pbf.pdf Hat jemand eine Idee wie man den Kuehlkoerper da befestigt? Danke!
Habs jetzt ausprobiert, funzt einwandfrei... Die Schaltung besteht nur aus 2 Widerstaenden und dem Mosfet... gruss und vielen Dank
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