Hallo zusammen Keine Angst, ich weiss wie man einen NPN oder PNP Transistor einsetzt :D. Allerdings leuchtet mir nicht ganz ein wieso ich dem einen den Vorzug zum Andern geben soll. Klar die Beschaltung ist verschieden, aber sonst? Ist das eine persönliche Präferenz des Entwicklers? Finde nur Quellen die erklären wie sie ein zu setzen sind was mir jedoch klar ist. Vielen Dank für Eure Hilfe. Gruss Chris
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Chris schrieb: > ich weiss wie man einen NPN oder PNP Transistor einsetzt Offensichtlich wohl nicht. Bipolare Transistoren kann man in Emitter- Basis- oder Kollektorschaltung einsetzen. Jede dieser Varianten hat andere Eigenschaften. Das betrifft Eingangs- und Ausgangswiderstand, Verstärkung, Verzerrungen, Rauschen, Rückwirkungen, Phasenlage usw. Von der Zielanwendung ist abhängig, welche Schaltung gewählt werden sollte. Zusätzlich zu diesen genannten Eigenschaften kommen jetzt die Gegebenheiten bzüglich Polarität der Stromrichtung im Eingangs- und Ausgangskreis, oder allgemein: die Polarität von Signalpegeln zu einem Bezugspotential. Wenn Dir das alles als > Ist das eine persönliche Präferenz des Entwicklers? vorkommt, hast Du etwas grundsätzlich nicht verstanden.
Chris schrieb: > Allerdings leuchtet mir nicht ganz ein wieso ich dem einen den Vorzug > zum Andern geben soll. In Silizium (speziell in ICs) lassen sich NPN-Transistoren leichter herstellen, in Germanium PNP. Gruss Harald
Chris schrieb: > Ist das eine persönliche Präferenz des Entwicklers? Kann man so sagen. Früher stellte die DDR Germanium-Transistoren nur als pnp her und die CSSR vorwiegend als npn. Eine Komplementärendstufe war damit eine internationale Gemeinschaftsarbeit.
Harald Wilhelms schrieb: > In Silizium (speziell in ICs) lassen sich NPN-Transistoren leichter > herstellen, in Germanium PNP. Oder anders ausgedrückt. Mit gleichem Aufwand hergesetllte Silizium NPN Transistoren habe besser Werte als PNP. Zu sehen ist das auch bei Mosfets. N Kanal Enhancement Fets haben meist niedrigere Rdson Werte als vergleichbare P-Kanal. Also werden die vorzugsweise verwendet und die Schaltungen entsprechend angepasst.
Udo Schmitt schrieb: > Zu sehen ist das auch bei Mosfets. N Kanal Enhancement Fets haben meist > niedrigere Rdson Werte als vergleichbare P-Kanal. Nur sind Bipolartransistoren keine MOSFETs. Bei Bipolartransistoren sind Komplementärpaare ziemlich verbreitet.
Die Frage nach dem Halbleitermaterial kam ja in der Eingangsfrage gar nicht vor?
Peter Dannegger schrieb: > Früher stellte die DDR Germanium-Transistoren nur als pnp her und die > CSSR vorwiegend als npn. Und bei Silizium-Transistoren wars genau andersrum. Man musste ewig nach KFY16/18 rumrennen, wenn man pnp haben wollte. Viel später gabs dann SF116-119.
Chris schrieb: > Allerdings leuchtet mir nicht ganz ein wieso ich dem einen den Vorzug > zum Andern geben soll. Man kann Schaltungen mit PNP Transistoren aufbauen und wenn man alle Bauteile verpolt auch mit NPN. Bei Germanium war PNP üblich mit Masse an Plzs, seit Silizium ist NPN üblich mit Masse an Minus, weil das einfach die Transistoren mit den besseren Eigenschaften sind, und billiger dazu. Das wissen die besseren der Entwickler, und die anderen machen es ihnen nach.
Peter Dannegger schrieb: > Chris schrieb: >> Ist das eine persönliche Präferenz des Entwicklers? > > Kann man so sagen. Häh? Wer bist du und weiß PeDa, daß du seinen Account benutzt? > Früher stellte die DDR Germanium-Transistoren nur als pnp her und die > CSSR vorwiegend als npn. Da bringst du einiges durcheinander. Silizium-pnp wurde im RGW lange Zeit hauptsächlich von den Tschechen produziert. Die DDR stellte erst in den letzten Jahren ihres Bestehens eigene Si-pnp Transistoren her (SC307..9, SF016..18, SF816..19, ...). Germanium gabs praktisch nur in pnp. Ich hatte einmal einen Ge-npn in der Hand, war IIRC ein Russe und arg exotisch. Es ist auch heute noch so, daß man aus Silizum bessere npn- als pnp- Transistoren (und bessere n-Kanal- als p-Kanal-MOSFET) bauen kann. Das hängt mit den verfügbaren Dotierungsmaterialien zusammen. Was nun die Wahl von npn- oder pnp-Transistoren angeht (und sinngemäß n-Kanal und p-Kanal bei MOSFET) so hängt das natürlich von der Polarität der zu verarbeitenden Signale/Spannungen/Ströme ab. XL
Axel Schwenke schrieb: > Germanium gabs praktisch nur in pnp. Ich hatte einmal einen Ge-npn in > der Hand, war IIRC ein Russe und arg exotisch. Es gab auch in Germanium Komplementärpaare, jedenfalls im Westen. Etwa AC187 und AC188. Aber bei Germanium war PNP ganz klar dominant. Bei Silizium ist das weniger deutlich.
Axel Schwenke schrieb: > Germanium gabs praktisch nur in pnp. Nö, die Tschechen bevorzugten npn. http://www.radiomuseum.org/tubes/tube_155nu70.html Der 104NU71 war der Komplementärtyp zum GC121.
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Das war im Rahmen der Arbeitsteilung im RGW so festgelegt worden. Und keine "Vorliebe" der jeweiligen RGW-Länder. Blackbird
MaWin schrieb: > seit Silizium ist NPN üblich mit Masse an Minus, weil das einfach > die Transistoren mit den besseren Eigenschaften sind, und billiger dazu. > Das wissen die besseren der Entwickler, und die anderen machen es ihnen > nach. Axel Schwenke schrieb: > Es ist auch heute noch so, daß man aus Silizum bessere npn- als pnp- > Transistoren (und bessere n-Kanal- als p-Kanal-MOSFET) bauen kann. Ich finde, was die diskreten bipolaren Transistoren angeht, sind diese Zeiten längst vorbei. Heute sind sowohl die statischen als auch die dynamischen Eigenschaften der Transistoren weitgehend gleich. Das gilt sowohl für Kleinleistungstransistoren (BC54x/BC55x, BC337/BC338, BD135/BD136, usw.), als auch für große Leistungen (MJL1302/3281, D44/D45, MJE15028-15031, usw.) und teilweise auch für HF (BFR92/BFT92, BFG31/BFG97, usw.). Oft haben dabei die pnp die besseren Daten. Die Entscheidung sollte auch nicht lauten npn oder pnp, sondern wo ist welcher Typ der sinnvollere. Man kann mit komplementärer Schaltungtechnik Probleme meist viel einfacher und/oder eleganter lösen, als mit nur einer Polarität.
Insiderinfo's aus der Industrie: Um 1960, noch vor meiner aktiven Zeit, war die Produktion von pnp-Germanium Transistoren deutlich preiswerter als die Produktion von npn-Transistoren. Der Grund war, dass Germanium bei der Herstellung eine p-dotierte Restverunreinigung enthielt. Der Reinheitsgrad für eine n-Dotierung musste deswegen etwa um den Faktor ~100 höher sein, so dass n-dotiertes Germanium nur für die Basis verwendet wurde. Auch hierbei war der Ausschuss z.T. über 90%. Die Gewinnung von ausreichend reinem Silizium gelang erst etwa 1968 in einem Maß, so dass Silizium das Germanium kostengünstiger ersetzen konnte. Die verbleibende Verunreinigung führte zu einem n-dotierten Rohmaterial. Daraus entwickelte sich der nun preiswertere npn-Transistor. Die Reinheit des Ausgangsmaterials führte auch zu einer deutlichen Verbesserung des Eigenrauschens, ein weiterer Grund für die npn-Entwicklung. Das Geld bestimmt die Welt. So war auch die n-Dotierung mir Phosphor deutlich preiswerter als die p-Dotierung mit Bor. Bor stand uns nur in der Form Na2-B4-O7 zur Verfügung und musste aufwändig aufbereitet werden. Die Aufbereitung von Phosphor war unproblematisch. Richtig ist, dass die in der DDR verfügbaren Produktionsanlagen auf Germanium eingestellt waren und eine Umstellung wirtschaftlich nicht machbar war. Die Nachfrage aus den Entwicklungslaboratorien weltweit stieg gerade in den 70'er Jahren rasant an, da die Röhrenbenutzer im npn-Transistor eine gewisse Verwandtschaft zur Röhre sahen, was die Übertragung der Röhren-Schaltungen wesentlich vereinfachte. Joe
Bei Löcherleitung hast du schlechtere elektrische Eigenschaften als bei Elektronenleitung(allem voran der Widerstand!) deswegen sollte man npn eig. immer bevorzugen wenns geht. ArnoR schrieb: > Ich finde, was die diskreten bipolaren Transistoren angeht, sind diese > Zeiten längst vorbei. Heute sind sowohl die statischen als auch die > dynamischen Eigenschaften der Transistoren weitgehend gleich. Das mag wohl sein, aber sicher nicht auf der gleichen Siliziumfläche, die ist beim pnp sicher größer wenn ein npn und pnp gleiche Eigenschaften haben, muss schon allein wegen dem deutlich höheren Widerstand bei Löcherleitung als bei Elektronenleitung so sein, und das sollte sich auch (wenn auch nur bei großen Stückzahlen wirklich merklich) auf den Preis auswirken.
Blackbird schrieb: > Das war im Rahmen der Arbeitsteilung im RGW so festgelegt worden. Nö. Komplementärendstufen wurden erst viel später entwickelt. Transistorradios hatten lange Zeit Trafo-Endstufen. Es gab also keine Notwendigkeit für beide Polaritäten. Es war wirklich der Ingenieur, der für die Aufnahme der Produktion verantwortlich war (Name weiß ich jetzt nicht). Die CSSR-Radios waren durchgängig mit npn-Germanium bestückt. Wer das nicht wußte und bei der Reparatur einen DDR-Typ einsetzte konnte dann schön den magischen Rauch entweichen sehen.
Chris schrieb: > Ist das eine persönliche Präferenz des Entwicklers? Klar entscheidet ein Entwickler mit. Es spielen da verschiedene Faktoren eine Rolle. Z.B. Preis, oder braucht man am Lager wirklich zwei Lagerplätze anstatt einen, und manche Schaltungen benötigen eben nur PNP oder NPN, oder beide. Setze zwei Entwickler an die selbe Aufgabe. Da kommt sowohl bei jedem bei Hardware was anderes raus, als auch in der Software.
Wennich mich noch an Grundlagen der Halbleitertechnik erinnere: War das nicht so daß (bei Silizium) die virtuelle Masse der Löcher 3 mal größer war als die der freien Elektronen?
Udo Schmitt schrieb: > War das nicht so daß (bei Silizium) die virtuelle Masse der Löcher 3 mal > größer war als die der freien Elektronen? Was soll die virtuelle Masse bei Halbleitern sein?? Wie ich oben schon geschrieben habe, ist die spezifische Leitfähigkeit von n-Dotierungen viel besser als die von p-Dotierungen, das macht eig. den größten Unterschied aus.
Thomas schrieb: > Was soll die virtuelle Masse bei Halbleitern sein?? http://de.wikipedia.org/wiki/Beweglichkeit_%28Physik%29 Zitat unter Kapitel: "Mobilität in Festkörpern" "Elektronen haben meist kleinere effektive Massen als Löcher und somit eine höhere Mobilität." Und das hat durchaus entscheidenden Einfluss auf das Verhalten der Halbleiter.
Thomas schrieb: > Wie ich oben schon geschrieben habe, ist die spezifische Leitfähigkeit > von n-Dotierungen viel besser als die von p-Dotierungen, das macht eig. > den größten Unterschied aus. Wie ist das bei Germanium? In der Regel bekomme ich aber einen BC557 zum selben Preis und Eigenschaften wie ein BC547.
Route 66 schrieb: > Chris schrieb: >> ich weiss wie man einen NPN oder PNP Transistor einsetzt > > Offensichtlich wohl nicht. > Bipolare Transistoren kann man in Emitter- Basis- oder > Kollektorschaltung einsetzen. Jede dieser Varianten hat andere > Eigenschaften. Das betrifft Eingangs- und Ausgangswiderstand, > Verstärkung, Verzerrungen, Rauschen, Rückwirkungen, Phasenlage usw. > Von der Zielanwendung ist abhängig, welche Schaltung gewählt werden > sollte. Zusätzlich zu diesen genannten Eigenschaften kommen jetzt die > Gegebenheiten bzüglich Polarität der Stromrichtung im Eingangs- und > Ausgangskreis, oder allgemein: die Polarität von Signalpegeln zu einem > Bezugspotential. > > Wenn Dir das alles als >> Ist das eine persönliche Präferenz des Entwicklers? > vorkommt, hast Du etwas grundsätzlich nicht verstanden. wieder so ne typische klugscheisser antwort die letztlich noch nichtmals die frage richtig beantwortet
Wilhelm F. schrieb: > In der Regel bekomme ich aber einen BC557 zum selben Preis und > Eigenschaften wie ein BC547. Schönes Beispiel: Schau dir mal beide Datenblätter an. Ft (Transitfrequenz) ist beim npn Typ doppelt so hoch wie beim pnp.
Pascal B. schrieb: > wieder so ne typische klugscheisser antwort die letztlich noch nichtmals > die frage richtig beantwortet Die Antwort ist aber korrekt, denn Du kannst sie in keinem Punkt widerlegen!
Udo Schmitt schrieb: >> Was soll die virtuelle Masse bei Halbleitern sein?? > > http://de.wikipedia.org/wiki/Beweglichkeit_%28Physik%29 > Zitat unter Kapitel: "Mobilität in Festkörpern" > "Elektronen haben meist kleinere effektive Massen als Löcher und somit > eine höhere Mobilität." > > Und das hat durchaus entscheidenden Einfluss auf das Verhalten der > Halbleiter. Ah das war wohl eine kleine Begriffsverwechslung, das mit der effektiven Masse stimmt natürlich. >Wie ist das bei Germanium? Das ist eine gute Frage, das weiß ich selbst nicht, könnte mir aber vorstellen dass das auch ähnlich ist. Weiß das zufällig wer? >In der Regel bekomme ich aber einen BC557 zum selben Preis und >Eigenschaften wie ein BC547. Wie Udo schon geschrieben hat, nein :) Noch deutlicher sieht mans eigentlich bei Mosfets, wie auch oben schon jemand angemerkt hat.
Udo Schmitt schrieb: > Wilhelm F. schrieb: >> In der Regel bekomme ich aber einen BC557 zum selben Preis und >> Eigenschaften wie ein BC547. > > Schönes Beispiel: Schau dir mal beide Datenblätter an. Ft > (Transitfrequenz) ist beim npn Typ doppelt so hoch wie beim pnp. Das ist völlig richtig. Oft sind auch IC und UBE und UCEsat einen winzigen Tick schlechter. Oft benötige ich aber diese Transitfrequenz bei diesen Bauteilen bei weitem nicht, es ist da völlig wurscht.
Wilhelm F. schrieb: > Das ist völlig richtig. Warum schreibst du dann " zu gleichen Eigenschaften"? Genau darum geht es, mit dem gleichen Aufwand bekommt man eben bessere Eigenschaften für das gleiche Geld. Also werden/wurden eher Silizium NPN verwendet wenn das möglich ist/war.
Naja, so egal ist die Auswahl nicht, wie von einigen dargestellt. Zwar lassen sich viele Funktionen durch PNP als auch NPN abbilden, aber schon bei einer Push-Pull-Endstufe oder einem Class-B Verstärker wird es ohne beide Typen haarig.
Udo Schmitt schrieb: > Schönes Beispiel: Schau dir mal beide Datenblätter an. Ft > (Transitfrequenz) ist beim npn Typ doppelt so hoch wie beim pnp. Falscher Hersteller ;-), bei Onsemi ist wieder der pnp besser.
Ratgeberbär schrieb: > bei einer Push-Pull-Endstufe oder einem Class-B Verstärker wird es ohne > beide Typen haarig. Wobei ich da auch schon asymmetrische Designs gesehen habe, mit NPN Leistungstransistor als Komplementär-Darlington an Stelle des PNP Leistungstransistors. Der auschliesslich mit NPN arbeitenden Push-Pull Endstufe von TTLs wiederum hat die Welt deren asymmetrische Pegel zu verdanken.
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Vielen Dank für die ausführlichen Antworten, es ist jetzt etwas klarer. Ich finde es immer wieder schön, dass es so viele hilfsbereite Personen in diesem Forum hat.
Route 66 schrieb: > Die Frage nach dem Halbleitermaterial kam ja in der Eingangsfrage gar > nicht vor? ...spielt aber eine bedeutende Rolle für die Beantwortung.
Axel Schwenke schrieb: > Germanium gabs praktisch nur in pnp. Ich hatte einmal einen Ge-npn in > der Hand, war IIRC ein Russe und arg exotisch. Naja, im goldenen Westen :-) gab es das Paar AC127/AC128 schon in den sechziger Jahren und wurde gern in der Endstufe von kleinen Kofferradios verwendet. Das bei Germanium PNP besser als NPN war, gehörte aber bei den damaligen Elektronikern (nicht nur den Ent- wicklern)zum Allgemeinwissen. Mit der zunehmenden Verwendung von Siliziumtransistoren wurde die Masse dann wieder auf Minus "zurück- verlegt", dort wo sie zu Röhrenzeiten auch war. Interessant wäre mal das Schaltbild eines Autoradios aus den sechziger Jahren. Da war ja die Masse mit Minus sozusagen vorgegeben. Gruss Harald
Die Ladungsträgerbeweglichkeit von Elektronen ist in einkristallinem Silizium drei mal höher als die von Löchern. Man erhält also in n-Silizium bei gleicher Ladungsträgerkonzentration höhere Ströme als in p-Silizium. Manche Bauelemente (Hallsonde) leben von hohen Ladungsträgerbeweglichkeiten.
Harald Wilhelms schrieb: > Das bei Germanium PNP besser als NPN war, > gehörte aber bei den damaligen Elektronikern (nicht nur den Ent- > wicklern)zum Allgemeinwissen. Hast du da irgendwelche Beispiele, bzw. kannst du erklären warum das so ist? Finde das Thema gerade ziemlich interessant, habe gerade mal meine alten Uni-Unterlagen dazu angesehen.Ganz konkret dazu hab ich nichts gefunden, aber anhand der Bandgap bei dotiertem Germanium hätte ich nämlich geurteilt dass der Unterschied zwischen npn und pnp nur minimal ist im Gegensatz zu Silizium.
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