Hallo Zusammen,
ich habe unter http://electronicdeveloper.de/TransistorEmitter1.aspx
eine Emitterschaltung berechnen lassen (siehe Anlage).
Mir ist irgendwie unklar wie die Widerstände berechnet werden. Wenn ich
mal davon ausgehe, dass die Schaltung unbelastet ist, dann sollte man
doch R3 mit
bekommen. Aber das liegt wohl weit daneben.
Kann mir da jemand auf die Sprünge helfen, wie bei der Dimensionierung
einer Emitterschaltung vorzugehen ist und ich dieses Beispiel
nachrechnen kann?
Emitter schrieb:> dann sollte man doch R3 mit...> bekommen.> Aber das liegt wohl weit daneben.
Genau, weit daneben. Denn wenn an R3 die 5V abfallen würden, bleibt doch
gar nichts für den Transistor selbst (Uce) und auch nichts für R4. Wie
soll die Schaltung da funktionieren? Es kommt auf die richtige
Verteilung an.
Hallo Karadur,
vielen Dank für den Hinweis. Das habe ich natürlich nicht eingerechnet.
Trotzdem erklär mir das den Wert von 100 Ohm nicht (ich gehe mal davon
aus, dass da nicht der nächste E Wert genommen wird, weil die anderen
Widerstände auch nicht in einer E Reihe sind).
Emitter schrieb:> wie kommt die Vorgabe U_r4 = 1V zustande?
Die Spannung über R4 sollte wesentlich größer als die Unsicherheit der
Basis-Emitterspannung (Exemplarschwankungen, Temperaturänderungen) des
Transistors sein, damit die Schaltung davon unabhängig wird. 1V ist ein
brauchbarer Wert dafür.
Emitter schrieb:> Helmut S. schrieb:>> Vorgabe: Ur4 = 1V>> Die Rechnung macht Sinn. Aber: wie kommt die Vorgabe U_r4 = 1V zustande?> Daumen hoch und das will ich so?
Weil das ein guter Kompromiss ist zwischen Stabiltät des
Arbeitspunktes(Ube, -2mV/°C Drift) und Verschwendung eines Teils der
Versorgungsspannung.
Hallo Helmut und ArnoR,
alles klar. Das habe ich geschnallt.
Ich würde wie folgt vorgehen bei der Auslegung, bitte korrigiert mich
wenn ich irgendwo falsch liege.
Ich berechne I_B aus B = I_C / I_B
Ich lege einen Querstromfaktor fest, zum Beispiel 5. Daraus ergibt sich
I_q. Mit dem rechne ich R_1 und R_2 aus.
R_4 weiss ich ja jetzt. R_3 auch.
Komme ich damit in etwas richtig?
Und danke euch für die Geduld :-).
Ja.
Wenn man natürlich sehr viel Ub hat, dann kann man auch etwas
größzügiger bei der Spannung am Emitterwiderstand R4 sein. Da sowohl die
Annahme Ube=0,65V um 100mV daneben liegen kann als auch noch 100mV
Änderung von Ube durch Erwärmung hinzukommt hilft es natürlich bezüglich
der Genauigkeit des Ruhestromes und damit der Steilheit, wenn am
Emitterwiderstand R4 mehr als 1V abfällt.
Die Spezifikation der Stromverstärkung hat einen sehr großen Bereich
zwischen Min. und Max.. Schau da nach der minimalen Verstärkung bei
deinem gewählten Kollektorstrom.
Der Quesrtromfaktor 10 ist sicher super. Vielleicht kann man sich das
aber manchmal nicht leisten und muss sich mit etwas weniger zufrieden
geben. Unter 5 würde ich da nicht gehen. Du kannst ja mal simulieren
(LTspice) wie groß deine Streuung des Kollektorstromes Ic wird, wenn B
zwischen 100 und 300 schwankt.
In den meisten Schaltungen sind heutzutage keine Verstärker mit
diskreten Transistoren da man damit einfach zu viel Toleranz in der
Verstärkung bekommt. Heutzutage lässt sich das fast alles hundert mal
genauer mit dem passenden Opamp realisieren.
Hi Helmut,
nochmals danke, das hilft mir enorm. Simulieren werde ich das, wenn ich
es ausgelegt habe.
Hierbei ging es mir um das Verständnis des Vorgehens.
Helmut S. schrieb:> Ur4 ist die Spannung am Emitter-Widerstand R4.> Reden wir heute aneinander vorbei?>> Ur2 = Ubasis = Ur4+Ube>> Ube=0,65V>> Iq = Ur2/R2
Äh, ja, ich tat das :-).
Aber wir stimmen überein. Danke Helmut!!!
Das wie immer lass ich diesmal aussen vor ;-). Kennst Du doch schon.