Warum bei FET-Oszillatoren oft Diode am Gate?

Als Amplitudenstabilisator ?

Troll Alarm schrieb:
> Als Amplitudenstabilisator ?

Soll heißen, die positive Halbwelle kann nicht größer werden als die 
Flußspannung der Diode?

Oder geht es möglicherweise darum, die Gatekapazität schneller zu 
entladen???

"The 1N4148 diode is used as a gate clamp limiting the positive 
excursion of the sinewave and to provide stabilizing bias."
http://www.w1vd.com/16080VFO.html

http://www.w1vd.com/16080VFO.pdf

Disadvantage of using a clamping diode between the gate and ground is 
that it damps the tank circuit when it starts conducting. This will 
cause extra unwanted pahse noise.

Vielleicht mal bei W.Schnorrenberg Absatz 4.2 sowie bei U.L.Rohde 
nachlesen:
http://www.dc4ku.darc.de/Rauscharmer_VFO.pdf

MfG

Danke euch für die Antworten!

Mast schrieb:
> Disadvantage of using a clamping diode between the gate and ground is
> that it damps the tank circuit when it starts conducting. This will
> cause extra unwanted pahse noise.

Ich versuche eine Übersetzung:

Nachteil der Verwendung einer Klemmdiode zwischen dem Gate und Masse 
ist, dass der Schwingkreis gedämpft wird, wenn die Diode anfängt zu 
leiten. Dies verursacht zusätzliches unerwünschtes Phasenrauschen.


Also ist die Verwendung der Gate-Diode nur bedingt zu empfehlen?
Anscheinend ist sie trotzdem(?) sehr verbreitet!

Mit einem Colpitts in Kollektorschaltung experimentiere ich gerade noch. 
Aber er macht am Schwingkreis keine so hohe Spannungen wie Colpitts in 
Basisschaltung. Es kann durchaus eine einfache Amplitudenbegrenzung 
sein.

Holm schrieb:
> Nachteil der Verwendung einer Klemmdiode zwischen dem Gate und Masse
> ist, dass der Schwingkreis gedämpft wird, wenn die Diode anfängt zu
> leiten. Dies verursacht zusätzliches unerwünschtes Phasenrauschen.
>
> Also ist die Verwendung der Gate-Diode nur bedingt zu empfehlen?
> Anscheinend ist sie trotzdem(?) sehr verbreitet!

Es kommt --wie immer-- auf die Anwendung an:
-- die Diode ist die einfache 1-Bauteil Amplitudenstabilisierung 
/Arbeitspunkteinstellung
-- sie hat den Nachteil, dass sie im Oszillator-FET selbst die Amplitude 
regelt und damit Phasenrauschen erhöht

Bei Dippern einfachen Oszillatoren für Messzwecke usw. kein Problem, in 
Empfängern schon (reziproke Mischung des Phasenrauschens im Mischer und 
damit ggf. "Zustopfen" des Empfängers.

EMU

>Vielleicht mal bei W.Schnorrenberg Absatz 4.2 sowie bei U.L.Rohde
>nachlesen: http://www.dc4ku.darc.de/Rauscharmer_VFO.pdf

Ich muss immer lachen, wenn "Experten" von rauscharem VCO's reden und 
dann einen Oszillator mit einem FET aufbauen!

Mike schrieb:
> Ich muss immer lachen, wenn "Experten" von rauscharem VCO's reden und
> dann einen Oszillator mit einem FET aufbauen!

dann erzähl doch mal warum und vor allem hast Du Messwerte ?
Ich würde Dir nämlich etwas vom Gegenteil zeigen, so pauschal wie Du das 
behauptest kann es nicht richtig sein
Die GHZ-Experten haben ganz einfache Schaltungen die irre gut 
funktionieren, aber halt nicht mit jedem Quarz und Transistor

EMU

FET's haben ein höheres, niederfrequentes 1/f Rauschen, welches sich 
wunderbar am Trager als Phase-Noise aufmoduliert. Erst im ganz hohen 
GHz-Bereich (>10..20GHz)  könnn die FET's dies wieder durch andere 
bessere Eigenschaften wieder wettmachen.

Mike schrieb:
> FET's haben ein höheres, niederfrequentes 1/f Rauschen, welches sich
> wunderbar am Trager als Phase-Noise aufmoduliert.

In dieser Allgemeinheit kann man diese richtige Aussage, nicht stehen 
lassen
Wenn man sehr gute Oszillatoren vergleicht (Anlage 1) dann dürfte der 
J310-FET-Oszillator (Anlage2, so vorgestellt von DG4RBF in Weinheim 
2013) kaum in der vergleichbaren Klasse spielen.

Auch DF9IC hat sich mit Frequenzaufbereitung für den GHZ Bereich 
intensiv beschäftigt (durch die Verfielfachung stört ja hier 
Phasenrauschen sehr) und verwendet einen FET-Oszillator vom gleichen Typ 
wie in Anlage 2 gezeigt.
http://www.df9ic.de/doc/2008/weinheim_2008/weinheim08_baken.pdf  Bild 5

Solche guten Oszillatoren bedingen sehr gute Quarze (meist aus Hunderten 
ausgesucht) und auch sehr gute FETs (die meist von Fairchild) kamen.

EMU

nun hat es eine Anlage nicht geschafft angehängt zu werden hier Anlage 1 
die andere war Anlage 2

Dann muss ich noch mal nachfragen.

Für Frequenzen im KW-Breich spielt das Phasenrauschen von 
FET-Oszillatoren mit oder ohne Diode am Gate eher keine große Rolle, 
oder?

Wenn doch, ist dann ein Oszillator mit BiPo einem FET-Oszillator für f < 
30MHz überlegen?

Holm schrieb:
> Für Frequenzen im KW-Breich spielt das Phasenrauschen von
> FET-Oszillatoren mit oder ohne Diode am Gate eher keine große Rolle,
> oder?

Natürlich spielt das Phasenrauschen auch auf Kurzwelle eine Rolle. Durch 
reziprokes Mischen schränkt es den Dynamikbereich ein.

Grüße