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Mikrocontroller und Transistor
Gast
#3633040
Hallo ich will ich einen Relay mit Mikrocontroller und Transistor schalten. Manchmal sieht man vom uC einen Vorwiderstand an der Basis aber manchmal auch einen Spannungsteiler wo der Strom 11I ist und der Basisstrom nur I. Was wird jetzt eher verwendet und worin liegt da der Vorteil? MfG
Gast
#3633107
Hier würde mich interessieren welche Art eher verwendet wird und wo der Vorteil ist. Ebenfalls würde mich die Dimensionierung interessieren wenn der Transistor in Sättigung geht.
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Gast
#3633145
xyz schrieb: > Hier würde mich interessieren welche Art eher verwendet wird und wo der > Vorteil ist. Ich verwende eher die erste Art, hängt aber davon ab, wer treibt. Der Teiler hat den Vorteil, dass z.B. beim Einschalten, wenn noch nicht alle Ausgänge konfiguriert wird, sichergestellt ist, dass der Transistor aus bleibt, vor Allem, wenn das Treiberdevice unkonfigurert einen Pullup hat (z.B. bei FPGAs ist das manchmal so). Dann könnte es sein, dass im Grenzbereich der LOW-Pegel des Ausgangs nicht auf LOW ist. Der Teiler sorgt dafür, dass man sicher unter z.B. 0,2 ... 0,5V bleibt. Meist ist ein 1:1-Teiler ausreichend. xyz schrieb: > Ebenfalls würde mich die Dimensionierung interessieren wenn der > Transistor in Sättigung geht. Maximaler Laststrom geteilt durch die minimale Stromverstärkung ergibt den minimalen Basisstrom. Faktor 3...5 zuschlagen --> Basisstrom. Basisvorwiderstand = (Steuerspannung -0.7V) / Basisstrom. Beim Teiler ist die Steuerspannung die geteilte Spannung und der Basisvorwiderstand ergibt sich aus der Parallelschaltung der Teilerwiderstände. Das ist aber gefühlte 10000mal hier im Forum schon beantwortet worden und sicher in der Artikelsammlung unter 'Absolute Beginners' auch drin.
Gast
#3634853
Wenn ich den Teiler verwende, brennt der Basis-Emitter Übergang nicht ab weil ich keinen Vorwiderstand vorm pn-Übergang habe. Die Spannung von der Diode ist 0,7V wobei die Spannung bei gleichen Widerständen halbiert wird. Wieso setzten sich die 0,7V durch und nicht die Halbierung von den Widerständen. xyz schrieb: > Wieso setzten sich die 0,7V durch und nicht die Halbierung von den > Widerständen. Hallo, "warum" und "wieso" kann man mit Halbleiterphysik erklären und sich damit vertiefen, bis man in der reinen Quantenphysik landet. Es ist eben so, dass ein pn-Übergang (in dem Fall Basis-Emitter-Strecke) in Silizium eine Flußspannung von ca. 0,6...0,7V hat. siehe: Diodenkennlinie einer Si-Diode http://elektronik-kurs.net/wp-content/uploads/2012/06/Bildschirmfoto-2012-06-05-um-11.04.54.png Sobald also die Spannung am Spannungsteiler über die Flusspannung ansteigt, wird diese Spannung von der Diode bei ca. 0,6...0,7V "festgeklemmt". Gruß Öletronika xyz schrieb: > Wieso setzten sich die 0,7V durch und nicht die Halbierung von den > Widerständen. Ganz einfach gesagt, weil der Strom immer den Weg des geringsten Widerstandes nimmt. Durch die BE-Diode kommt er mit nur 0.7V Abfall durch.
Gast
#3635180
> Wieso setzten sich die 0,7V durch und nicht die > Halbierung von den Widerständen. Weil die Basis-Emitter Strecke eine Silizium Diode ist, und bei diesen steigt der Strom sehr stark an, wenn die Spannung über 0,7 liegt. Der Innenwiderstand der Diode, die ab ca. 0,7 Wirksam wird, ist viel geringer, als der parallel dazu liegende Widerstand des Spannungsteilers. xyz schrieb: > Hier würde mich interessieren welche Art eher verwendet wird und wo der > Vorteil ist. Welche Art eher verwendet wird weiß ich nicht, ich nutze nach Möglichkeit immer den Spannungsteiler (relais.png). Vorteil davon ist, dass die Basis auch dann auf einem definierten Potential klemmt (bei BJT nicht ganz so wichtig wenn der µC seinen Ausgang auf High-Z (hochohmig) schaltet. Vorteil von nur Vorwiderstand (relais2.png) ist schlicht und ergreifend, dass man halt einen Widerstand spart. Das ist zum einem einfacher aufzubauen und zum andern, bei entsprechenden Stückzahlen, auch deutlich preiswerter. Warum sich die 0.7V durchsetzen und nicht der Spannungsteiler wurde ja schon gesagt. Ein PN-Übergang zeigt halt, zum Glück, ein nicht lineares Verhalten.
Gast
#3638189
Bei solchen Anwendungen bietet sich meist an, einen Transistor mit integrierten Widerständen zu verwenden. Das spart ein bis zwei Bauteile. ON hat dazu eine hübsche Application Note, die auch einige der schon genannten Punkte aufgreift: http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/AND9129-D.PDF Meine persönliche Quintessenz daraus: Bei geringen Systemspannungen <=3.3V beeinträchtigt der "Angstwiderstand" parallel zur BE-Diode die Performance. Marcus schrieb: > Meine persönliche Quintessenz daraus: Bei geringen Systemspannungen > <=3.3V beeinträchtigt der "Angstwiderstand" parallel zur BE-Diode die > Performance. Wenn man ihn falsch auslegt mit Sicherheit, da geb ich dir recht. Antwort schreiben |
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