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Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik REF50xx Langzeitdrift PCN? Announcement: there is an English version of this forum on EmbDev.net. Posts you create there will be displayed on Mikrocontroller.net and EmbDev.net.
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"Ursprüngliche" Spezifikation aus dem Datenblatt SBOS410E Juni 2010: Langzeitdrift
Aktuelles Datenblatt SBOS410F Dezember 2013
Hat zufälligerweise jemand die PCN falls es eine gab oder weiß was da passiert ist? Hallo, Wenn Du dir die Change History im Datenblatt anschaust dann ist bei Electrical Characteristics die Fußnote 3) hinzugekommen. Also hat sich vermutlich nur das Testverfahren von (vermutlich) gesockelten DUTs nach auf Test-Board gelötete (also praxisnäheres Testverfahren) für die Referenzen geändert. Ansonsten hätte ich vermutet: Die haben die Long term drift irgendwo bei einem TO-99 Gehäuse (REF102?) abgeschrieben und dann gemerkt daß es die REF5040 gar nicht im TO-99 Gehäuse gibt. 5ppm/khr für die 2. Kilostunde wäre für eine Referenz im MSOP-Gehäuse ja auch zu schön um wahr zu sein. Gruß Anja Anja schrieb: > Hallo, > > Wenn Du dir die Change History im Datenblatt anschaust dann > ist bei Electrical Characteristics die Fußnote 3) hinzugekommen. Die habe ich tatsächlich überlesen... > Also hat sich vermutlich nur das Testverfahren von (vermutlich) > gesockelten DUTs nach auf Test-Board gelötete (also praxisnäheres > Testverfahren) für die Referenzen geändert. Möglich, aber warum sinkt die Ausgangsspannung in den ersten 1000 h im neuen Datenblatt, wohingehen sie bei anderen Bandgaps wie LTC6655, LT1461, ISL21090 steigt? > Ansonsten hätte ich vermutet: > Die haben die Long term drift irgendwo bei einem TO-99 Gehäuse (REF102?) > abgeschrieben und dann gemerkt daß es die REF5040 gar nicht im TO-99 > Gehäuse gibt. Nach über drei Jahren? Im Datenblatt von 2009 sind noch überhauptkeine Aussagen zur Langzeitdrift enthalten... > 5ppm/khr für die 2. Kilostunde wäre für eine Referenz im MSOP-Gehäuse ja > auch zu schön um wahr zu sein. Es hält sich auch noch die Angabe im Datenblatt 1) zu den XFET-Referenzen ADR29x mit 0.2 ppm/kh bei 25 °C (ebenso in Walt Jungs "VOLTAGE REFERENCES AND LOW DROPOUT LINEAR REGULATORS" 2), die es afaik auch nicht in den dazu passenden Gehäusen gab... > Gruß Anja Gruß zurück p.s. falls jemand etwas Geld übrig hat... Micross hätte Bare Dies div. Hersteller und verpackt die auch in passende Gehäuse... dann könnten mal ein paar nette Vergleiche gemacht werden 1) http://www.analog.com/static/imported-files/data_sheets_obsolete/687927814ADR290.pdf (mittlerweile obsolet, in neueren Datenblättern steht auch was ganz anderes unter anderen Testbedingungen...) 2) http://www.analog.com/static/imported-files/tutorials/ptmsect2.pdf Hallo, Arc Net schrieb: > Es hält sich auch noch die Angabe im Datenblatt 1) zu den > XFET-Referenzen ADR29x mit 0.2 ppm/kh bei 25 °C Ich nehme an Du Kennst Die Antwort von LT auf diese Angabe: http://cds.linear.com/docs/en/design-note/dn229f.pdf "Figure 3 shows long-term drift of a competitive reference that specifies long-term drift of 0.2ppm/ kHr in its data sheet. Measured data shows this reference to have drift between 60ppm/kHr and 150ppm/kHr or 300 to 750 times worse than claimed." Die unbestritten beste Referenz (LTZ1000) hat ca. 2uV/month bei 7V initiale Drift. Arc Net schrieb: > Möglich, aber warum sinkt die Ausgangsspannung in den ersten 1000 h im > neuen Datenblatt, wohingehen sie bei anderen Bandgaps wie LTC6655, > LT1461, ISL21090 steigt? Die Richtung der Drift hängt nicht von der Technologie der Referenz ab. Die initiale Drift ist im wesentlichen eine Gehäuseeigenschaft. Hängt also davon ab welche Kräfte das Gehäuse und die Leiterplatte auf den Chip aufbringen. Am empfindlichsten dürfte der Spannungsteiler sein der die Ausgangsspannung bestimmt. (und die mechanische Orientierung innerhalb des Chips). Ferner bestimmt noch die Montagemethode (Leitkleber) die initiale und spätere Langzeitdrift. Wenn Du die Referenz im Plastikgehäuse auf eine Leiterplatte lötest verschwindet ein großteil der Restfeuchte aus dem Gehäuse und aus der Leiterplatte. Wenn die Alterungsmessung bei Raumtemperatur stattfindet nimmt das Epoxi wieder Luftfeuchtigkeit auf und "quillt auf". -> Drift. Wenn ich gute Alterungswerte haben will muß ich also nach dem Löten einen (zeitlich verkürzten) Alterungs-Test bei 125 Grad durchführen. (siehe ADR291). Hast Du dich auch schon gefragt warum bei den Diagrammen zur Langzeitdrift solche "synchronen Wellen" sichtbar sind -> Luftfeuchtigkeit? Bei Metall und Keramikgehäusen wirkt nur noch der Leitkleber (die attach) und je nach Pin-Anordnung ggf. die Leiterplattenkräfte (Luftfeuchtigkeit) auf den Chip. -> prinzipbedingt bessere Werte. Nach mehreren Jahren Alterung bleibt dann immer noch die Drift durch die Luftfeuchtigkeit. Bei 25-30% Luftfeuchtigkeitsänderung übers Jahr ergibt sich für Kunststoffgehause oder Referenzen die nicht mechanisch von der Leiterplatte entkoppelt sind so Größenordnung 10-12 ppm jahreszeitliche Drift. (und eine darin fast nicht sichtbare Alterungsdrift von 1-2ppm/Jahr für buried zener Referenzen). Gruß Anja Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
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