Hi, stehe gerade auf der Leitung und bin mir nicht sicher... Muss mit einer bestehenden Schaltung was testen und 3.3V Betriebsspannung statt 5V verwenden. Es sind IRLU024N verbaut, die 12V Magnetventile schalten. Wenn ich das angehängte U_ds / I_ds-Diagramm richtig verstehe, dann habe ich bei: - einer Last von max. 1A - V_gs von 3.3V in etwa eine V_ds von 0.15V. Also einen R_dson von 0.15 Ohm und eine P_diss von I x I x R = 1 x 1 x 0.15 = 0.15W. Also: ist nicht toll für den IRLU024N ihn mit 3.3V zu schalten, aber für diesen Test würde es gehen, weil ich meine <1A rausbekomme und keine relevante Verlustleistung habe? Was mich irritiert, dass im Datenblatt des IRLU024N das Miller-Plateau bei/über 3.3V liegt - muss mich das in dieser Anwendung stören? Danke & Grüße, Conny
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@ Conny G. (conny_g) >- einer Last von max. 1A >- V_gs von 3.3V >in etwa eine V_ds von 0.15V. >Also einen R_dson von 0.15 Ohm und eine P_diss von I x I x R = 1 x 1 x >0.15 = 0.15W. Das sind typische Werte. Wenn du Pech hast, liegt dein MOSFET weiter rechts auf der Kennlinie. >Also: ist nicht toll für den IRLU024N ihn mit 3.3V zu schalten, aber für >diesen Test würde es gehen, weil ich meine <1A rausbekomme und keine >relevante Verlustleistung habe? Kann funktionieren, muss nicht. >Was mich irritiert, dass im Datenblatt des IRLU024N das Miller-Plateau >bei/über 3.3V liegt - muss mich das in dieser Anwendung stören? Eben darum. http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte Siehe "Gate-Source Threshold Voltage "
@Falk > Eben darum. http://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Erkl.C3.A4rung_der_wichtigsten_Datenblattwerte > Siehe "Gate-Source Threshold Voltage " Ja... mmmh... wenn ich dann mal wieder rauskrame, was ich kürzlich über MOSFETs gelesen habe, Schaltvorgang in 4 Phasen: 1. Erreichen der Threshold-Spannung lässt den Ids zu fliessen beginnen 2. bei Erreichen des Miller-Plateaus ist der MOSFET ganz durchgeschaltet, aber V_ds ist noch beim Maximalwert, d.h. R_ds maximal 3. V_ds / R_ds sinken, bis zum Minimum von V_ds hohe Verlustleistung durch hohen R_ds 4. Gate voll geladen, Gatestrom sinkt auf Null Als Threshold-Spannung ist bei dem IRLU024N "max 2V" angegeben. Wenn nun das Miller-Niveau irgendwo bei 3.5V liegt, dann müsste ich also schon einen durchgeschalteten Zustand erreichen, der mir bis zu 1A hergibt, aber mit "höchstmöglichem" R_ds, also (relativ) großer Verlustleistung, weil V_ds bei der anfänglichen stehen bleibt. Wenn zu Beginn des Miller-Niveaus, dann wäre das sogar ein R_ds von 12V / 1A = 12 Ohm. Und damit 1A x 1A x 12Ohm = 12W Verlustleistung. Oops. Das ist allerdings schon eine Menge. Bei 110 K/W ohne KK erwärmt sich der MOSFET dann bis zum Exitus. Das würde also nicht funktionieren, wenn ich wirklich 1A brauche. Gerade nochmal ins DB des Ventils geschaut, 500mA muss ich auf jeden Fall vorsehen - wäre bei obigem Szenario auch noch zuviel.
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Diese Miller-Plateau Geschichte hab ich jetzt nicht geschnallt. Aber ich habe diesen Transistor schon einige male zum Schalten von etwas mehr als 1A ohne extra Kühlkörper verwendet. Das war allerdings keine PWM Anwendung, nur an/aus schalten.
@stefanus: z.B. hier, Seite 6ff, ist der Ein-/Ausschaltvorgang beschrieben. http://www.ti.com/lit/ml/slup169/slup169.pdf Der Knackpunkt ist, dass die Gate-Spannung für eine Weile auf einer bestimmten Schwelle hängenbleibt und in dieser Zeit wird sozusagen die Drain-Source-Spannung "abgebaut". Und die Drain-Source-Spannung bestimmt den Widerstand des MOSFET und seine Verlustleistung. Wenn ich also in meinem Fall mit der Gate-Steuerspannung nicht über das Miller-Niveau hinauskomme, dann bleibt ich beim höchstmöglichen Widerstand des MOSFET hängen und habe eine immens hohe Verlustleistung bei "windigen" 1A. Das ist also für mich hier der Dreh- und Angelpunkt, liegt das Miller-Niveau des IRLU024N unter oder über 3.3V. Bei "unter 3.3V" geht's für mich, sonst nicht, weil er sich in kürzester Zeit totheizt.
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