Hallo, ich habe nun viel über Halbleiterphysik(pn-übergang, n-dotierung, p-dotierunt etc.)gelesen und mir auch ein paar Videos angeschaut, trotzdem verstehe ich die Funktion des Transistors noch nicht so wirklich. Unter anderem habe ich mir auch folgendes Video angeschaut: https://www.youtube.com/watch?v=p8s_kkdKUgE Seht es auch ab 9:50 an bitte(1min. lang oder so). Er sagt hier, dass wenn Ube=0,7V ist, sich die untere Sperrschicth(zwischen Basis und Kollektor) abbaut, d.h. Elektronen von der unteren n-Zone rekombinieren mit den Löcher in der p-Zone, somit ist die p-Zone überflutet mit Elektronen(weil ja nun in den Löchern Elektronen sind). Und dann sagt er, dass ein Strom Ic fließt, aber er erwähnt nicht, warum die ober Sperrschicht auf einmal weggeht bzw. wie da nun Elektronen rüber fließen können. Das ist doch eine breite Sperrschicht, da der Pluspol von der Uce-spannungsqsuelle die Elektronen in der oberen n-Schicht anzieht. Meine Frage ist nun: Wie können Elektronen die obere Sperrschicht überqueren? mfg markus
Hm ok danke. Naja gut, d.h., weil einfach die Basis so dünn ist, werden je nach Stromstärke mehr oder weniger Elektronen in den Kollektor gelangen --> Ic wird von Ib gesteuert. Uce wird dabei nur geringfügig geändert. Richtig? 1. Uce braucht man doch nur, um einfach einen Pluspol bzw. Minuspol zu schaffen, d.h. um die Elektronen zum Pluspol zu ziehen, sodass der Strom Ic überhaupt fließen kann. Spannung ist ja sozusagen die "treibende Kraft" für den Strom. Richtig? 2. Ube(bei Si=0,7V) braucht man, um halt den Transistor in Gang zu bringen. Aber wie ist Ib von Ube abhängig? Das ist proportional zu einander, richtig? Weil wenn sich Ube ändert, dann ändert sich ja auch Ib. Z.b. schickt man ein signal hinein(das man verstärken will), das zwischen 0,6V und 0,9V schwankt. Dann schwankt halt Ib zwischen x1 und x2. Richtig?
markus schrieb: > Spannung ist ja sozusagen die "treibende Kraft" für > den Strom. Ja. Ich weiß nicht, ob es physikalisch 100%ig richtig ist, aber der Spruch aus dem Physikunterricht ist "Spannung ist stromantreibende Kraft". > 2. Ube(bei Si=0,7V) braucht man, um halt den Transistor > in Gang zu bringen. Hmmm... das ist in dieser Form nicht ganz richtig. Die 0.7V sind keine scharfe Grenze. > Aber wie ist Ib von Ube abhängig? Exponenziell. Das ist eine Diodenkennlinie; der Strom hängt nach einer Exponenzialfunktion von der Spannung ab. Ist bei Dioden genauso. (Die Basis-Emitter-Strecke ist ja eine Diode.) > Das ist proportional zu einander, richtig? Jein. Die Formel hat ungefähr die Gestalt I_B = I_0 * e^(U_BE / U_T) Wenn Du zu U_BE einen festen Betrag addierst (etwa 35mV), dann multipliziert sich der Strom etwa mit dem Faktor 2.7 > Weil wenn sich Ube ändert, dann ändert sich ja auch Ib. Ja. Allerdings ist das keine lineare Abhängigkeit, sondern ein exponenzielles Wachstum. > Z.b. schickt man ein signal hinein(das man verstärken > will), das zwischen 0,6V und 0,9V schwankt. ... dann ist der Transistor wahrscheinlich kaputt :-)
Possetitjel schrieb: >> Z.b. schickt man ein signal hinein(das man verstärken >> will), das zwischen 0,6V und 0,9V schwankt. > > ... dann ist der Transistor wahrscheinlich kaputt :-) Er ist dann kaputt? Echt?^^ Warum denn? Ab 7:00 bitte folgendes kurz anschauen: https://www.youtube.com/watch?v=P2Z5-U9g8vs Der sagt da das U1_wechsel auf den Eingang des Transistor geht, das ist doch Ube oder? Dann schwankt es zwischen 0,7V und 0,9V? Oder wie funktioniert das hier genau?
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emitterschaltung.jpg
140 KB
Ok, dann vergessen wir die vorigen Fragen. Ich habe hier eine Emitterschaltung(siehe Anhang) mit Reihengegenkopplung(den Ce bitte erstmal wegdenken!!). Aber laut ELKO hier ist es auch eine Stromgegenkopplung: https://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0204134.htm 1. Reihengegenkopplung = Stromgegenkopplung = Signalgegenkopplung? Ist eine Reihengegenkopplung, das was ich auf meinem bild habe? also Reihe meint --> R1 und R2 in Serien und Gegenkopplung, dass ich den Re drinnen habe? 1.1 Stromgegenkopplung(wir nennen es auch Signalgegenkopplung) bedeutet, dass man versucht den Temperaturänderungen, die Ic erhöhen(durch Erhöhung von Ib) und somit den Arbeitspunkt verschieben. Man baut einen Widerstand zwischen Emitter und Basis ein --> Re. Aber warum heißt es "Stromgegenkopplung" oder "Signalgegenkopplung"? Gegenkopplung = Eingang - Ausgang. Aber wo kann man das im Bild sehen? 1.1.1 Funktion des Widerstands Re: Wenn die Temperatur steigt, dann steigt Ib(Ube auch) und somit Ic. Ie steigt auch und somit steigt auch Ue. Weil Ue aber steigt, sinkt Ube wieder ---> Ib und Ic sinken. --> Arbeitspunkt bleibt stabil. Richtig? 1.1.2 Und wenn einen Kondensator Ce parallel schaltet, dann hat man keine Stromgegenkopplung, da der Re kurzgeschlossen wird. Richtig? 2. Mit den Widerständen R1 und R2 stellt man doch die Spannung Ube ein. Aber warum muss der Strom durch R1 2-5mal so groß sein wie Ib? 2.1 Du sagtest Ube hängt von Ib ab. Aber wie wird denn nun Ib mit einem Wechselsignal konfrontiert? 2.2 Bei meinem Bild liegt ja das Wechselsignal Uq an. Das darf ja nicht im negativen Bereich sein oder? Muss man jetzt auch die Widerstände so einstellen, dass das Wechselsignal nur im pos. Bereich ist? 2.3 Aber wie schafft man es ein Wechselsignal einen DC-Anteil hinzuzufügen? 2.4 Der Koppelkondensator trennt ja Gleichspannung von Wechselspannung, aber ich dachte man muss das Wechselsignal einen Gleichspannungsanteil hinzugeben? Ich verstehe es nicht ganz :/. PS: Ich habe mich schon vorher im ELKO eingelesen, aber leider sind diese Fragen über geblieben.
markus schrieb: > Er sagt hier, dass > wenn Ube=0,7V ist, sich die untere Sperrschicth(zwischen Basis und > Kollektor) abbaut, d.h. Elektronen von der unteren n-Zone rekombinieren > mit den Löcher in der p-Zone, somit ist die p-Zone überflutet mit > Elektronen(weil ja nun in den Löchern Elektronen sind). Also rekombinieren tut da nix, das ist leider nicht richtig verstanden. Ich versuchs mal in ein paar kurzen Sätzen zu erklären: In die Basis injiziert man ein paar Minoritätsladungsträger (bei einem p-Gebiet sind das n-Ladungsträger und in einem n-Gebiet als Basis sind es p-Ladungsträger). Dadurch verringert sich die Raumladungszone zwischen Basis und Emitter. Dies hat zur Folge, dass Ladungsträger aus dem Emitter in die Basis strömen können. Das Injizieren der Minoritätsladungsträger in die Basis hatte aber einen weiteren Effekt: Die Raumladungszone zwischen Basis und Kollektor wurde vergrößert. Alle Ladungsträger, die aus dem Emitter in die Basis strömten und nun in den Bereich der Raumladungszone Basis-Kollektor kommen werden von dieser in Richtung Kollektor beschleunigt (quasi abgesaugt wie ein Staubsauger). Dadurch entsteht dann der gewünschte Kollektorstrom. Das war jetzt sehr kurz und sollte eigentlich in einem Buch über Halbleiterphysik und Transistoren besser und ausführlicher erklärt sein.
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