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Transistor Sättigung
Gast
#3643664
Hallo uC Forum, meiner Meinung nach war ja die Sättigung beim Transistor im prinzip das gleiche wie der der Aktive Betriebsmodus, nur dass der Basisstom weitaus höher, und UCE kleiner wird. Aber ich hab eben erst gelesen, dass beim aktiven Modus der pn Übergang von Kollektor zur Basis gesperrt ist, bei der Sättigung aber nicht. Warum ist das so? Gibt es dann wesentliche Unterschiede beim berechnen der Stöme etc.? Soarin schrieb: > Warum ist das so? Weil die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannungen moderner Siliziumtransistoren in der Regel niedriger ist als die Flussspannung der Basis-Emitter-Diode. Wenn du zum Treiben des erforderlichen Basisstroms an der B-E-Strecke vielleicht 0,7 V anliegen hast, der Kollektor aber bis auf 0,2 V herunter durchgesteuert wird, dann wird die B-C-Diode nicht mehr wirklich in Sperrichtung betrieben.
Gast
#3643841
Ok, danke für die Antwort. Aber wenn ich mir das so überlege, würde ja dann an der Emitterdiode die 0,7V anliegen, und daraus folgt, dass die Collektordiode eine spannung von -0,5V hat? (weil -0,5V + 0,7V = 0,2V)
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Gast
#3643842
Aber kann man demnach nicht linear sagen dass die Kollektordiode in durchlassrichtung ist? (ist nähmlich für ein Referat gedacht) Soarin schrieb: > Aber wenn ich mir das so überlege, würde ja dann an der Emitterdiode die > 0,7V anliegen, und daraus folgt, dass die Collektordiode eine spannung > von -0,5V hat? (weil -0,5V + 0,7V = 0,2V) Eigentlich hat sie eher +0,5 V, denn für gewöhnlich würde man das negative Vorzeichen eher für die Sperrichtung benutzen. Soarin schrieb: > Aber kann man demnach nicht linear sagen dass die Kollektordiode in > durchlassrichtung ist? (Mit dem „linear“ in der Frage kann mein Parser nichts anfangen.) Sie ist in Durchlassrichtung vorgespannt, aber bei den angenommenen 0,5 V leitet sie nur vergleichsweise wenig. Praktisch ist das aber ziemlich irrelevant, denn es fließt in diesem Falle ein vergleichsweise hoher Basisstrom (zum Erreichen der Sättigung). Das Makromodell der zwei „nebeneinander her“ existierenden Dioden kann man ja hier ohnehin vergessen, denn die gesamte Transistorfunktion beruht auf Prozessen im atomaren Bereich. Wo hast Du den bescheuerten Begriff Aktivmode her, bei einem bipolaren Transistor im steuerbaren Modus? Betrachte mal die Polung der BC-Diode: Bis Ubc =0V ist die Diode BC in Sperrichtung gepolt. Sie leitet den Strom aber nur deswegen, weil sie von der benachbarten BE-Diode leitend gemacht wird. Bei Ubc = 0V setzt die Polung der Diode in Durchlassrichtung ein. Aber jede Diode hat eine Schwellspannung. Leiten würde die BC Diode aber dann noch nicht, es muss ja erst die Durchlassspannung 0,6V einer Diode erreicht werden. Im Bereich Ubc = 0V bis -0,6V, also bis UCE = 0V, ist die BC-Diode zwar schon in Durchlassrichtung gepolt, der Strom fließt aber beim Transistor nur wegen der von B her einstreuten Ladungsträger. Erst bei Polung der BC Diode mit mehr als ca.0,5V in Durchlassrichtung würde die Übernahme von Leitung durch injizierte Ladungsträger zum normalen Durchlassstrom erfolgen. Antwort schreiben |
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