Hallöchen, ich möchte mit meinem Atmega8 einen FET ansteuern und dann damit 9 Volt schalten. Irgendwie habe ich es heute schon mal hinbekommen - aber nach Anschluss des µC ging der FET nicht mehr. Folgendes Problem: Drain-Gate schaltet immer durch - ist das richtig? Ich möchte einfach nur wissen, wie ich Gate, Source und Drain schalten muss, damit der FET erst freigibt, wenn vom µC 3 Volt kommen? Habe gerade keinen Schaltplan zur Hand - das spielt prinzipiell auch keine Rolle :) Zwei Grundlegende Fragen: Masse von 3V und 9 V-Block kann ich zusammenstecken, richtig? Wie wird der Gate geschalten, dass Spannung drauf ist? Wenn ich den direkt an Masse schalte - wo kommen die 3 Volt hin? Wie werden die Massen geschalten? Ich finde immer Schaltpläne, aber direkt eine Beschreibung, wo welcher Teil hinkommt, bräuchte ich für die FETs :) Vielen Dank! Ich habe schon seit zwei Tagen gegoogelt und alles probiert - aber ich bekomme es einfach nicht hin :( Mein Mosfet: IRF 5305 Vielen Dank und einen schönen Montag!!! Dave
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Protip1: FET ist vieles(JFET, IGFET etc), MOSFET ist das was du hast und mit welchem all die Elektronikkiddies Probleme haben Protip2: Datenblatt lesen und sehen, dass mit 3V Gate-Source das Ding noch nicht wirklich durchsschaltet. Protip3: Mosfets mögen ESD überhaupt nicht. Wenn der Mosfet immer an ist, ist entweder statische Ladung auf dem Gate, was nicht gut ist, oder das MO des Mosfets wurde bereits durch ESD durchlässig gemacht. Protip4: Mit Voltmeter, Analogoszi, Signalgenerator und Labornetzgerät anfangen, erst wenn man die Basics verstanden hat, kommt der AVR, dann klapps nämlich
bitte lesen: http://de.wikipedia.org/wiki/Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor http://www.sprut.de/electronic/switch/pkanal/pkanal.html http://www.sprut.de/electronic/switch/nkanal/nkanal.html
Dave schrieb: > Folgendes Problem: Drain-Gate schaltet immer durch - ist das richtig? > Ich möchte einfach nur wissen, wie ich Gate, Source und Drain schalten > muss, damit der FET erst freigibt, wenn vom µC 3 Volt kommen? Habe > gerade keinen Schaltplan zur Hand - das spielt prinzipiell auch keine > Rolle :) Tja, Gate ist der Steuereingang, Source muss an das Bezugspotential (ein deinem Fall 9V, wenns n P-Kanal ist) und drain ist der geschaltene Eingang, in deinem Fall die Last. Das ist somit nicht sonderlich schwer. Aber es geht ja noch weiter: Dave schrieb: > Zwei Grundlegende Fragen: > Masse von 3V und 9 V-Block kann ich zusammenstecken, richtig? Solltest du sogar. Um eine Aktion in einem Schaltkreis auszulösen muss Strom fließen, das geht nur, wenn es eine geschlossene Leiterschleife gibt. Es gibt Mosfets, welche keine interne Verbindung von Substrat und Source haben, bei denen bräuchtest du das nicht. > Wie wird der Gate geschalten, dass Spannung drauf ist? Wenn ich den > direkt an Masse schalte - wo kommen die 3 Volt hin? Hier ist ein Problem: ein P-Kanal schaltet mit einer negativen Gate Spannung. d.h. du musst mindestens die Threashold Spannung unter den 9V sein. Ob dein Transistor mit 5,7V auskommt musst du aus dem Datenblatt lesen. Das Problem dabei ist: es wird dir nicht gelingen, die Gate-Source Spannung auf 0V zu bekommen, damit hast du keine Möglichkeit den Transistor wieder abzuschalten, sobald er einmal durchgesteuert ist. Du musst somit noch einen N-Kanal oder bipolartransistor zwischen Controller und MOSFET bauen. Aber Vorsicht: Der dreht dir ggf. die Ansteuerung logisch um. > Wie werden die Massen geschalten? Ich finde immer Schaltpläne, aber > direkt eine Beschreibung, wo welcher Teil hinkommt, bräuchte ich für die > FETs :) Welche Massen willst du denn schalten? Mit einem P-Kanal schaltet man üblicherweise nicht die Masse. Masse ist eh die falsche Bezeichnung, besser währe hier: Bezugspotential. Du musst dir über eines klar werden: die Spannung bezeichnet Potentialunterschiede. Vereinfacht kann man das als Füllhöhe eines mit Wasser gefüllten Bechers sehen. Du hast 2 Becher, einer ist bis 9cm gefüllt, der andere bis 3,3cm. Wenn du beide auf die selbe Oberfläche stellst, (d.h. die Bezugspotentiale gleich sind bzw. miteinander verbunden) kannst du die Differenzspannung messen. Diese beträgt nach Adam Ries in deinem Fall 5,7cm Äh, Volt. Ich hoffe, jetzt wird es etwas klarer.
>Ob dein Transistor mit 5,7V auskommt musst du aus dem Datenblatt >lesen. >damit der FET erst freigibt, wenn vom µC 3 Volt kommen? Ich glaube eher, er will von einem mit 3V3 gespeisten uC-Pin über einen IRF5305, also P_Kanal 9V als Hi-Side schalten. Das geht nur mit mind. einem weiteren Transistor. Etwa so: 9V ---------------------------o---------------o------ ¦ ¦ ¦ ¦ 4k7 ¦ ¦ G ¦ S o----------. ¦--o--. ¦ ¦ ¦>-' /¦\ ¦ ¦ ¦--o--' ¦/ C ¦ D 0V / 3V3 ---4k7-------¦ npn '------- OUT ¦\ E ¦ ¦ GND --------------------------o----------------------- GND
Guckst du hier: http://www.mikrocontroller.net/articles/Snippets#Wie_schlie.C3.9Fe_ich_einen_MOSFET_an_einen_Mikrocontroller_an.3F
http://www.sprut.de/electronic/switch/pkanal/pkanal.html Die Seiten sind mir klar und das habe ich auch schon alles gelesen, aber mir fehlt einfach irgendein Punkt, um das ganze komplett zu verstehen. @Tomate: wegen solchen Leuten wie dich hasse ich Forem und versuche diese zu meiden @Rest: Solche Antworten wünsche ich mir :) Laut Datenblatt schaltet mein PMOSFET ab 2 Volt durch - d. h. - ich denke, ich habe den richtigen gewählt. Wieso sollte ich zwingend einen N-MOS brauchen? @Lippy - du hast recht - mein µC soll die 9 Volt in dem zweiten Kreis auslösen. Wie soll ich vorgehen? Danke!
Ist er ganz, wenn zwischen DRAIN und SOURCE Spannung fließt? (Diodentest am Multimeter)
Dave schrieb: > Folgendes Problem: Drain-Gate schaltet immer durch - ist das richtig? Ja, denn zum Sperren musst du das Gate auf das Potential der Source bringen. Dein µC wird aber nur 3V für HIGH abgeben können, damit ist das Gate noch immer 9V-3V=6V unterhalb des Potential, wo er sicher sperrt. Selbst wenn du den Ausgangspin auf TriState schaltest, so wird die eingebaute Schutzdiode am µC das Potential für HIGH auf ca 3.5V begrenzen. Das reicht noch immer nicht ... a) Verwende die Schaltung von Matthias Lipinsky (lippy) b) Verwende einen nMOSFET und schalte den GND deines Verbrauchers. Dave schrieb: > Ist er ganz, wenn zwischen DRAIN und SOURCE Spannung fließt? (Diodentest > am Multimeter) Spannung fließt nicht. Strom fließt. Der Multimetertest ist erst dann vollständig, wenn du a) das Gate mit der Source verbunden hast b) dein Multimeter richtig herum angeschlossen hast: die Body-Diode kann auch Strom fließen lassen.
Verstehe ich das jetzt richtig? Der PMOSFET sperrt, wenn ich Spannung drauf gebe (Gate) und ist standardmäßig auf leitend? Kann er ja eigentlich nicht sein? Was ist mit einem NMOSFET anders? Und zuletzt: Kann mir jemand die Schaltung von Lippy erklären? Warum und wieso und überhaupt? :) Welcher Transistor würde sich eignen? Danke!!!
Ist die Spannung am Gate identisch mit der Spannung am Source, dann sperrt der Transistor. In der Schaltung von lippy hängt der PFET immer auf 9V durch den PullUp widerstand 4,7kOhm, solange der transistor unten nicht schaltet. Also sperrt er, weil Gate-Source Spannung 0V ist. Wenn der Transistor unten durch einen Strom (definiert durch die Spannung am UC pin geteilt durch den Vorwiderstand 4,7k) schaltet, zieht er quasi den Ground pegel auf das Gate. Die Gate Source Spannung ist dann ~9V, der Transistor schaltet. Es gibt viele Transistoren die dafür geeignet sind, solange der Strom ausreichend ist, um den Transistor zu steuern und die Spannungen eingehalten werden.
>Es gibt viele Transistoren di Wald und Wiesentyp BC547 zB. Die Schaltung funktioniert, aber nur für langsames Ein/Aus. Fèr PWM ist das so nicht geeignet.
Dave schrieb: > Verstehe ich das jetzt richtig? Der PMOSFET sperrt, wenn ich Spannung > drauf gebe (Gate) und ist standardmäßig auf leitend? Nein. Ein P-MOSFET leitet, wenn zwischen Gate und Source eine negative Spannung anliegt. Und sperrt, wenn die Spannung 0 ist. Im Prinzip genau wie ein n-MOSFET, nur alle Spannungen/Ströme mit umgekehrter Polarität. > Und zuletzt: Kann mir jemand die Schaltung von Lippy erklären? Warum und > wieso und überhaupt? Selber Denken macht schlau. Überleg dir einfach, was passiert, wenn der Eingang der Schaltung 0V sieht und was wenn er 3.3V sieht. Wie ändert sich die Kollektorspannung des Transistors? Wie die Gate-Source-Spannung des MOSFET? Aber die Schaltung ist nur eine Prinzipschaltung. Besser ist die Schaltung hier: Snippets - "Wie schließe ich einen MOSFET an einen Mikrocontroller an?" und da die Schaltung ganz unten "Indirekte Methode". XL
>Aber die Schaltung ist nur eine Prinzipschaltung. Besser ist die >Schaltung hier: >Indirekte Methode: Ansteuerungen mit Push-Pull-Transistoren Die Schaltung ist schon besser, aber die von mir gepostete Schaltung funktioniert solange kein PWM genutzt werden soll.
Axel Schwenke schrieb: > Aber die Schaltung ist nur eine Prinzipschaltung. Besser ist die > Schaltung hier: Snippets - "Wie schließe ich einen MOSFET an einen > Mikrocontroller an?" und da die Schaltung ganz unten "Indirekte > Methode". Was ist da besser?
Beim P-Kanal ist Masse "oben". Heist ja auch U_gs also Spannung über Gate Source. Sonst würde es ja heissen U_gg, also Spannung über Gate Ground. man kann hergehen und Masse "oben" einzeichnen. Dann muss man eben alles auf die Betriebsspannung, hier 9Volt, beziehen. Aber das setzt schon erhebliches Nerdpotenzial voraus. Dann kann man nämlich den µC sehr wohl mit (-)5Volt betreiben. Niemand zwingt dich, deine High-Low-Logik auf GND zu referenzieren. Vorwiderstand, Z-Diode: Von 9Volt kommend 5.1V-Z-Diode in Sperrrichtung. In Reihe Vorwiderstand gegen GND. Parallel zur Z-Diode kommt dein µC. Schaltet er nun HIGH Pegel sind es (gegen GND) 9 Volt. LOW Pegel hingegen sind es fünf Volt weniger als neun. Exakt das, was dein P-MOS "sehen" will. Problematisch ist hier nur die Anbindung an die Aussenwelt, weil DIE eben nicht gegen 9Volt referenziert, sondern gegen GND. Da kann man sich mit einem Optokoppler oä am Eingang behelfen. Mir fällt auf, das hier in letzter echte "Experten" unterwegs sind, die zwar sehr "schlau" daherkommen, aber erhebliche Defizite im theoretischen Fachwissen zu haben scheinen. Etweder zuhören, was die anderen schreiben oder gern Interesse an der Thematik bekunden und dabei nächstes Mal das fachliche aussen vor, oder sich ein Hintertürchen offen lassen. Viele "Jungnutzer" lesen hier mit und halten das geschriebene für bare Münze! Davon muss man immer ausgehen. Es ist überhaupt nicht schlimm, etwas nicht geanu zu wissen, dann kann man das ruhig dazu schrieben. Dann kann das der Anfänger aber auch entsprechend einordnen. ist nicht böse gemeint... Schimanski.
Martin Rox schrieb: > Axel Schwenke schrieb: >> Aber die Schaltung ist nur eine Prinzipschaltung. Besser ist die >> Schaltung hier: Snippets - "Wie schließe ich einen MOSFET an einen >> Mikrocontroller an?" > > Was ist da besser? Der MOSFET wird schneller abgeschaltet - weniger Schaltverluste. Wirklich relevant ist das freilich nur für PWM. XL
1 | 12V------------------------o------o---------------o------------- |
2 | | | | |
3 | | | | |
4 | .-. | | |
5 | | |2k2 | | |
6 | | |R2 | | |
7 | '-' |T2 | |
8 | | |BC338 | |
9 | | |/ | |
10 | o----| | |
11 | | |> P-FET | |
12 | | | ___ IRF4905| |
13 | o---|<-o---|___|----||-+ |
14 | .---------. | 1N4148 R3 10R ||-> |
15 | | | | ||-+ |
16 | | | ___ |/ | |
17 | | |---|___|-----| T1 o--------- |
18 | | | R1 2k2 |> BC338 | | |
19 | | µC | | .-. | |
20 | | | | | | | |
21 | | | | | | Last - 1N5819 |
22 | | | | '-' ^ |
23 | '---------' | | | |
24 | | | | |
25 | GND------------------------o----------------------o---------o--- |
26 | (created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05 www.tech-chat.de) |
ich habe diese Schaltung - allerdings mit einem PUMH11 - als PWM Schaltglied im Einsatz und bin sehr zufreieden
Danke für die zahlreichen Antworten. Ich habe nun alles durchgelesen und mich informiert - fühle mich aber genau so wie heute Morgen ;) Wo sehe ich im Datenblatt den Laststrom des o. g. Transistors (BC547) - es werden 980 mA durchgehen - und ich weiß nicht, welcher Wert im Datenblatt der richtige ist :( Wenn ich statt dem P-MOSFET einen BUZ11 nehme (N) - ändert sich doch an der Tatsache nichts oder? Wieso benötige ich dort plötzlich keinen Transistor mehr? Wenn ich eine Testschaltung baua - wie lege ich die Spannung an das Gate, wenn ich die Stromkreise getrennt voneinander haben möchte? Wie z. B. beim µC geht doch nur der Pin zum Gate, richtig? Der ist in einem eigenem Stromkreis, oder? Wenn ich den µC nun rauslasse - wie müsste ich anschließen? (Bspw. ein Schalter und einen Widerstand mit 3 Volt - soll Stromkreis mit 9 Volt ansteuern) Ich blick hier echt kaum durch - Transistoren waren nie mein Ding ;) Deswegen fragte ich auch, ob jmd. die Schaltung erklären kann, da ich bei aller Vorstellungskraft trotzdem zu keinem Ergebnis komme :) Danke!
Na wie man den Pkanal fet ansteuert. Zwei npn und eine kleine Diode habe ich verwendet. So wie im Link oben. Mit dem beiden Bildern wollte ich demonstrieren, das es auch tatsächlich funktioniert.
Der NPN Transistor brauch dann einen Kollektorstrom IC zulässig mindestens 980 mA. Dazu musst du so dimensionieren, dass der basisstrom multipliziert mit dem Verstärkungsfaktor min 980mA erreicht. Am besten etwas mehr auf die Basis (10% Sicherheit). hFE = Ic/Ib Der vorgeschlagene Transistor geht also nicht....
>Der NPN Transistor brauch dann einen Kollektorstrom IC zulässig >mindestens 980 mA. Wie kommt man auf 980mA ?
Dave schrieb: > Mein Verbraucher (Last) brauch 980 mA + 1 LED = 30 mA = >1 A Aber die Last wird doch vom P-MOSFET geschaltet und der BC547 ist 'nur' der Pegelwandler. Der braucht nicht viel Strom - es sei denn, Du willst/musst sehr schnell abschalten. Das gilt zumindest für diese Schaltung: Matthias Lipinsky schrieb: > > 9V ---------------------------o---------------o------ > ¦ ¦ > ¦ ¦ > 4k7 ¦ > ¦ G ¦ S > o----------. ¦--o--. > ¦ ¦ ¦>-' /¦\ > ¦ ¦ ¦--o--' > ¦/ C ¦ D > 0V / 3V3 ---4k7-------¦ npn '------- OUT > ¦\ E > ¦ > ¦ > GND --------------------------o----------------------- GND Oder redest Du inzwischen über eine andere Schaltung? Gruß Dietrich
Man kann ja den 4K7 im Kollektor durchaus auf 470R oder 330R verrrrringern. Dann fliessen eben 20-30mA durch den BC547 und dann ist auch das (fast) schnell genug. Sieht man ja in soo vielen Brushless Motor Steuerungen, die so im Netz rumgeistern.
Angehängte Dateien:
-
trans.PNG
3,4 KB
Hallöchen, kann ich nun den MOSFET eigentlich komplett weg lassen und nur mit einem Transistor schalten? Würde es erstmal ohne µC zum laufen bringen wollen. Könnte man das derart schalten? (Widerstände und Transistor sind nur ausgedacht). Ich versuche momentan erst einmal die Sache an sich zu verstehen :) Müste hier der Kollektor-Emitter-Strom >1 Ampere aushalten? Theoretisch ja nicht, oder? Auf welche Sachen muss ich bei der Wahl eines npn's achten? Ich kann nicht mit allen Angaben aus Datenblatt etwas anfangen, finde aber teilweise auch nichts bei Google.. UB ist also die Spannung, welche die Basis brauch, damit Transistor schaltet - IB der Strom. Danke!
Dave schrieb: > kann ich nun den MOSFET eigentlich komplett weg lassen und nur mit einem > Transistor schalten? Ja > Würde es erstmal ohne µC zum laufen bringen wollen. Könnte man das > derart schalten? (Widerstände und Transistor sind nur ausgedacht). > Ich versuche momentan erst einmal die Sache an sich zu verstehen :) Deine Schaltung ist sehr ungewöhnlich. 1. In der Schaltung hast Du eine potentialfreie 5V-Spannungsquelle eingezeichnet. Hast Du die auch? 2a. Muss die Last an Masse hängen und musst/willst Du +5V schalten? 2b. Oder darf die Last auch an +5V hängen und Du schaltest Masse? Im Fall 2b könntest Du mit nur 1 Transistor arbeiten. Im Fall 2a brauchst Du 2 Transistoren (einer zur Pegelanpassung 3V -> 5V und einer der +5V durchschaltet). Im Fall 1 (falls die 5V potentialfrei ist) muss die Schaltung anders aussehen. Aber ich vermute, dass der Fall nicht zutrifft ist. > Müste hier der Kollektor-Emitter-Strom >1 Ampere aushalten? Theoretisch > ja nicht, oder? Ja. Aber bei einen "normalen" Transistor brauchst Du auch einen entsprechend hohen Basisstrom zum durchschalten. Aber den wird der µC nicht liefern können. Alternative wäre ein N-MOSFET (mit entsprechend niedriger Gate-Source-Spannung). Da geht es direkt. Aber dann hast Du den Fall 2b (Last an +5V). Gruß Dietrich
Hallo, ja, die Last soll an 9 (nicht 5) Volt (+) hängen - ein Verbraucher und eine LED mit Vorwiderstand. Der Transistor soll später an meinen µC gekoppelt sein, und wenn der Controller 3 Volt gibt, soll er durchschalten und den zweiten Stromkreis aktiv schalten (Es müssen 9 Volt fließen). Wieso muss der Kollektor-Emitter-Strom so hoch sein? Ich dachte, wenn ich die Last parallel geschalten habe, teilt sich der Strom auf? (Und es dürften keine 1 A durch CE fließen?) Wenn ich ein N-Mosfet verwende, habe ich doch das Problem, dass ich dann nur 9-3 = 6 Volt zum arbeiten habe, oder? (Da die +-Pole am Gate beide Strom geben?) Danke
>(Es müssen 9Volt fließen) ... >(Da die +-Pole am Gate beide Strom geben?) Eigentlich hatte ich weiter oben vorgeschlagen, das Du Dich mit den Grundlagen der Transistoren beschäftigen sollst. Aber wenn wir in dem Satz das Transistor weglassen, ist es richtiger.
Das mache ich seit zwei Tagen - was ist jetzt wieder falsch :D Transistor ist für mich ein rotes Tuch... nochmal zum Thema: https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100%2FBD233-ISC.pdf Würde der nicht für mein Vorhaben gehen? (Als NPN ohne MOSFET)
Was ist daran jetzt aber falsch? Wenn ich nur einen N-MOSFET nehme und zwei Spannungsquellen (3 und 9 Volt) am am Gate zusammenmstecke, habe ich doch noch 6 Volt, mit denen ich arbeiten kann, wenn der MOSFET durchschaltet oder nicht? MOSFET ist nochmal ein wenig komischer als normaler NPN :(
>was ist jetzt wieder falsch : Spannung fliesst nicht. >Wieso muss der Kollektor-Emitter-Strom so hoch sein? Der C-E Strom ist der Laststrom. >ja, die Last soll an 9 (nicht 5) Volt (+) hängen Dann nimm einen N-Fet, welcher mit 3V3-Gatespannung klarkommt und schalte das so: .-------------. ¦ ¦ ¦ ¦ Last ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦¦-'D + G ¦¦>. N-Ch 9V 0V/3V3 vom uC ---o-----'¦-+ - ¦ ¦S ¦ 10k ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ GND -------------o--------o-------------o----- Das ist die einfachsr Lösung.
Danke :) Wieso sperrt der MOSFET, wenn der µC kein Signal gibt? Am Gate liegen demnach 0Volt an, und an Source GRND - dann sollte er sperren, da beides 0V, richtig? (rein von der Theorie her). Wenn der µC nun Spannung auf Gate gibt, sollte er anfangen zu Leiten und der zweite Stromkreis bekommt 9 Volt und Last geht an :) Klingt ja sehr gut. Und wieso geht das mit dem PMOS nicht? (nur wegen neg. Spannungen?) Danke
Und wenn ich den o. g. NPN statt den FET reinstecke? Wieso sollte das dann nicht gehen?..ich wills nur verstehen :)
Der sollte Funktionierenim Falle nMOSFET, richtig? https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100%2FIRF3205_IR.pdf :)
Dave schrieb: > ja, die Last soll an 9 (nicht 5) Volt (+) hängen - ein Verbraucher und > eine LED mit Vorwiderstand. Der Transistor soll später an meinen µC > gekoppelt sein, und wenn der Controller 3 Volt gibt, soll er > durchschalten und den zweiten Stromkreis aktiv schalten OK > (Es müssen 9 Volt fließen) Spannung fließt nicht, es liegt an. > Wieso muss der Kollektor-Emitter-Strom so hoch sein? Ich > dachte, wenn ich die Last parallel geschalten habe, teilt sich der Strom > auf? Was teilt sich da auf? Wenn die Last eingeschaltet ist, fließt 100% durch sie. Wenn sie abgeschaltet ist, dann 0%. Wenn nur ein Teil durch den Transistor fließt, fließt der Rest durch die Last und so ist sie nicht abgeschaltet. (Und es dürften keine 1 A durch CE fließen?) Wenn Du die Last parallel zum Transistor schaltest, schließt Du die +9V-Quelle kurz. Dann muss der Transistor noch mehr schalten und geht kaputt :-( Eine Last schaltet man durch Reihenschaltung von Quelle, Schalter (Transistor) und Last. Jetzt geht es nur darum, in welcher Reihenfolge die 3 Teile zusammenarbeiten. Also Dein Verständnis für Grundlagen muss noch sehr verbessert werden! > Wenn ich ein N-Mosfet > verwende, habe ich doch das Problem, dass ich dann nur 9-3 = 6 Volt zum > arbeiten habe, oder? (Da die +-Pole am Gate beide Strom geben?) ??? Das verstehe ich gar nicht. Ein Gate gibt keinen Strom, und hat auch keine +-Pole (was soll das sein?). Schaltung:
1 | 9V o----------------+ |
2 | | |
3 | Last |
4 | | |
5 | D | |
6 | ||--+ |
7 | G ||<-. |
8 | µC o----R-----'|--| N-MOSFET |
9 | S | ¦ |
10 | GND o---------------+ |
Angesteuert wird der MOSFET mit der Gate-Source-Spannung (U_GS). Ist sie 0V, ist der Transistor gesperrt. Ist sie groß genug (z.B. +3V), schaltet er durch und an der Last liegen ca. +9V. Damit der FET bei +3V auch durchschaltet, muss ein passender Typ gewählt werden, ein sogenannter "logic-level MOSFET". Siehe hierzu auch http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht In das Gate fließt kein Strom, da es sehr hochohmig ist. Lediglich beim Umschalten wird zum Laden oder Entladen der Gate-Kapazität ein Strom benötigt. Zur Strombegrenzung (d.h. zum Schutz des µC) kann daher der Widerstand "R" sinnvoll sein (z.B. 100-1000 Ohm). Gruß Dietrich PS: ich sehe gerade: einiges davon wurde schon vor mir geschrieben ;-(
Dave schrieb: > Und wenn ich den o. g. NPN statt den FET reinstecke? Wieso sollte das > dann nicht gehen?..ich wills nur verstehen :) Weil Du bei 1A Kollektorstrom (wahrscheinlich) mehr Basisstrom brauchst als der µC liefern kann. Ein MOSFEt braucht fast keinen Strom am Gate, s.o. Gruß Dietrich
Dave schrieb: > Der sollte Funktionierenim Falle nMOSFET, richtig? > https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100%2FIRF3205_IR.pdf > > :) Nein, der schaltet bei +3V am Gate noch nicht sicher durch. Siehe hier: Dietrich L. schrieb: > Damit der FET bei +3V auch durchschaltet, muss ein passender Typ gewählt > werden, ein sogenannter "logic-level MOSFET". Siehe hierzu auch > http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#N-Kanal_MOSFET Gruß Dietrich
https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/H100%2FIRLZ34N.pdf Dann der - der ist ein LL und schaltet ab 2 Volt durch :) Was verstehe ich nun an MOSFETs falsch? Wieso kann ich den P-Kanal nicht verwenden?
>Wieso kann ich den P-Kanal nicht verwenden?
Ein P-Fet schaltet durch, wenn das Gate gegenüber dem Source eine
negative Spannung bekommt. Allerdings muss aufgrund der Stromrichtung
der Source des P-Fets auf eine höhere Spannung geklemmt werden als das
Drain. Somit kann ein P-Fet nur dann direkt geschaltet werden, wenn die
Schaltspannung (deine 0/3,3V vom uC) dieselbe Spannungsversorgung haben
und diese am Source des P angeschlossen ist.
Mach dir nichts draus. Transistoren war Thema des kompletten zweiten
Ausbildungsjahres. Das lernst du nicht mal schnell durch Lesen zweier
FOreneinträge...
Danke :) langsam bekomme ich aber ein wenig Verständnis für die Materie - ich geh mit heute NPNs und nMOSFETs kaufen und probiere auf meinem brandneuen Steckbrett :) Immer schön messen und mehren, dadurch bekommt man das beste Verständnis :)
Dave schrieb: > Dann der - der ist ein LL und schaltet ab 2 Volt durch :) Nein! "Gate Threshold Voltage" heißt, dass der FET im ungünstigsten Fall (wegen Exemplarstreuung) gerade noch sperrt (I_D = 250μA). Der garantierte Wert zum Durchschalten steht hier: R_DS(ON) = 0,06 Ohm bei U_GS = 4V und I_D = 16A und 25°C. Bei 3V und 1A wird es aber wohl gehen. Dazu muss man das Datenblatt etwas "interpretieren". So richtig "garantiert" findest Du die Daten für Deine Arbeitsbedingungen aber nicht. Für ein Bastelprojekt wird das vermutlich reichen. Gruß Dietrich
Hallöle und Danke! Ich habe endlich den passenden Mosfet und einen Widerstand in mein Board gesteckt und siehe da - wenn 3 Volt kommen, werden die 9 Volt durchgeschalten :) DANKE!!!!! Damit wäre die erste Hürde überwunden. Nun gehts aber schonwieder mit der Programmierung weiter :( Schönen Tag wünsche ich! Dave
Nee :D Ich baue einen Geocache mit einem Kumpel und ich liebe es, irgendwelche Sachen zu basteln und µC zu progrmmieren - aber leider hatte ich 2 Jahre pause :( Und daher ziemlich viel Verlust im Kopf ;) Danke :)
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