Guten Abend, ich möchte demnächst eine LTZ1000 aufbauen und arbeite mich derzeit in die Thematik ein. Ich habe das Datenblatt aufmerksam gelesen und auch im Netz ein wenig recherchiert. Allerdings wird zum Teil mit widersprüchlich Werten für das Widerstandsverhältnis und der sich einstellenden Die-Temperatur gewürfelt. Das Datenblatt geht von einer LTZ1000(ohne A) aus, soweit ich das verstehe. Mit dem Widerstandsverhältnis von 13k:1K ergeben sich wohl normalerweise 60°C. Die Emitter-Basis-Spannung von Q1 weist 2mV/°C auf, demnach sollte ich 120mV bei 60° Die-Temperatur messen können? Ich habe die folgende Formel gefunden: T = 310 - 7*500*R5/(R4+R5) http://www.eevblog.com/forum/projects/ultra-precision-reference-ltz1000/msg380638/#msg380638 Der Formel nach ergeben sich 40° Die-Temperatur von 12k:1k und 60° für 13k:1k. Kann mir jemand erklären, wie die Formel zustande kommen soll? Was ist der Wert 310 (eine Temperatur in K würden immerhin 36.85°C entsprechen, machen für mich aber auch wenig Sinn) und woher kommen die 500? Wäre nett, wenn mir jemand beim Verständnis helfen könnte. Leider gibt es kein Diagramm Widerstandsverhältnis über Die-Temperatur im Datenblatt, ansonsten könnte man das direkt ablesen und ich müsste hier nicht fragen. Gruß Reffi
Reffi schrieb: > Wäre nett, wenn mir jemand beim Verständnis helfen könnte. Leider gibt > es kein Diagramm Widerstandsverhältnis über Die-Temperatur im > Datenblatt, ansonsten könnte man das direkt ablesen und ich müsste hier > nicht fragen. Ist ja leider nicht sooo genau wie Du dir das vorstellst. Die -2mV/K für eine Diodenstrecke (Basis/Emitter) dürften ja bekannt sein. Die 60 Grad aus dem Datenblatt für 13K+1K sind ja auch nur auf +/- 10 Grad genau. Und hängt dabei auch von der tatsächlichen Zenerspannung (ca 7.2V) der Referenz ab. Mit den Randbedingungen kann man dann auf andere Temperaturen interpolieren. Wobei man halt ausreichende Reserven einplanen muß. Also konkret: bei normaler Raumtemperatur bis ca 30 Grad. Für die A-Type nicht unter 12K5 und für die nicht A-Type nicht unter 12K gehen. Gruß Anja
Reffi schrieb: > demnach sollte ich 120mV bei 60° Die-Temperatur messen können? Eher 650mV (0 Grad) - 120 mV (-2mV/K x 60K) = 530mV oder ähnlich. das sind nicht +2mV/K sondern -2mV/K. Und messen kannst Du das auch nur wenn der Regler im Gleichgewicht ist. Gruß Anja
Okay, danke, allerdings kommen mit deinen Antworten neue Fragen bei mir hoch. > Mit den Randbedingungen kann man dann auf andere Temperaturen > interpolieren. Kannst du mal ein Beispiel geben wie du auf andere Werte interpolierst? Ich kann das noch nicht nachvollziehen. Wie kommst du auf die 650mV (0°C)? Das es -2mV/K sind verstehe ich, an der Stelle im Datenblatt nehmen es die Amerikaner sowohl mit dem Vorzeichen als auch mit der Einheit einfach nicht genau genug, da stehen 2mV/°C.
Reffi schrieb: > Das es -2mV/K sind verstehe ich, an der Stelle im Datenblatt nehmen es > die Amerikaner ... mit der Einheit einfach nicht genau genug ... Auch wenn es vielleicht nicht ganz SI-konform ist, macht es für den Tk keinen sonderlichen Unterschied, ob man die Steigung gegen die °C- oder die K-Skala bestimmt. Da im Differenzenquotienten wegen der Differenzbildung jeder Skalenoffset herausfällt und beide Skalen gleich geteilt sind, ist das fürs Ergebnis ziemlich Schnuppe.
Reffi schrieb: > Wie kommst du auf die 650mV (0°C)? Es sind irgendwas um die 700mV. Da der Strom durch die BE-Diode relativ gering ist 100uA Kollektorstrom / betha des Transistors liegt der Wert etwas darunter. Ist halt auch nur ein "Schätzwert" +/- ein paar mV. Genauer aus Datenblatt: Nominal 7.2V / 14 (13K+1K) = 514 mV bei 60 Grad nominal. Gruß Anja
Okay, aber an der Rechnung kann etwas nicht stimmen, Volt / Ohm kann nicht wieder Volt ergeben!? Soll das heißen der Wert 500 in der obigen Formel sind Ube?
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