Hallo Leute, ich bins wieder mal^^. Ich hab ja vor Wochen mich genau mit der Halbleitertechnik beschäftigt und mit eurer Hilfe und lesen in meinem Fachbuch habe ich es eig. ganz gut verstanden. Nun habe ich mir ein paar Arbeitspunkteinstellungen und -stabilisierungen angeschaut und bin bei der Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung hängen geblieben. Bei der Arbeitspunkteinstellung und -stabilisierung betrachtet man ja den Transistor bzw. die Schaltung in Ruhelage, d.h. ohne Kopplungskondensatoren Ck und ohne Eingangs- und Ausgangssignal. Das Ziel ist es den Arbeitspunkt so einzustellen, dass das entsprechende AC-Signal, am Eingang und später am Ausgang, auf einem bestimmten DC-Anteil gehoben wird, wobei nach oben und unten noch Platz(also nicht von 0V bis Versorgungsspannung aussteuern lassen) sein soll. Grundlegende Überlegungen: Also am Eingang muss die Gleichspannung am R1 und der Gleichstrom Ib so groß sein, dass sich die Eingangswechselspannung und der Eingangswechselstrom im pos. Bereich schwingen, nur so kann der Transistor damit arbeiten. Für den Ausgang gilt dasselbe. Gleichspannung ist da die Spannung am Kollektor-Emitter + Spannung am R4. Und Gleichstrom ist hier der Strom Ic. Um diese Punkte schwingen Wechselspannung bzw. -strom.(Verhalten sich ja proportional). Der Widerstand R3 begrenzt den verstärkten Strom Ic. Also der Spannungsteiler R1 und R2 stellt den Strom Ib und den Strom durch den Widerstand R1(I1) ein. R1 und R4 müssen ja so gewählt werden, dass Ube= ca. 0,7V ist, sodass der Strom Ib fließen kann. Also man wählt doch den Strom Ib z.b. mit 2uA, wenn nun Gleichstromverstärkung B=200 ist, dann ist Ic=0,4mA. Also müssen wir die Widerstände so dimensionieren, dass Ib=2uA, Ic=0,4mA und Ube=0,7V ist. Natürlich muss man auch auf die Spannung Uce und Ur3 achten. Sagen wir unsere Versorgungsspannung = 5V. Uce kann man doch aus dem Datenblatt auslesen. Und wenn dann Uce=2V und wenn man dann noch die Spannung am R4 = 1V wählt, dann haben wir auch 2V am Widerstand Rc. Also beträgt die Spannung am Punkt vor dem C2 3V und um diese schwingt, dann das verstärkte Wechselspannungssignal. Unser Strom da ist ~Ic, also schwingt unser Wechselstromsignal um den Wert Ic=0,4mA. Für den Eingang gilt dasselbe: Ib ist hier unser Wert, um den das unverstärkte Wechselstromsignal schwingt und um den Spannungspunkt nach dem C1(1,7V=spannung Ube + spannung am R1) schwingt unser Eingangswechselspannungssignal. Hätten wir jetzt keinen Emitterwiderstand R4, dann würde sich Temperaturschwankungen auswirken! Temperhöhung --> Ube steigt --> Ib steigt --> Ic steigt --> Arbeitspunkt verschiebt sich. Abhilfe ist nun dieser Widerstand R4: Temperaturerhöhung --> Ube steigt --> Ib steigt --> Ic steigt --> Emitterstrom Ie durch R4 steigt --> Spannung am R4 erhöht sich --> da Spannung am R1 konstant ist, sinkt Ube --> Ib sinkt --> Ic sinkt --> Ie sinkt --> spannung am R4 sinkt --> Ube steigt ein bisschen. Das ist im Prinzip ein bestimmter Regelmechanismus, der Ube auch bei Temperaturschwankungen möglichst konstant häl. (Wenn ich nur Spannung oder Strom geschrieben habe, dann ist von Gleichspannung/storm die rede, bei Wechselspannung/strom habe ich eh "wechsel" hinzugeschrieben) *Könnt ihr bitte alle falschen(ev. auch unschöne) Aussagen kommentieren? Ich möchte bitte wissen, ob ich das richtig verstanden habe.* Was mir noch nicht ganz klar ist: 1. Wie wählt man z.B. die Spannung am R4? Laut meinem Fachbuch wird Ur4 immer mit 1V gewählt. Warum gerade 1V? Was wäre, wenn sie größer wäre? Dann würde sich ja nur der Aussteuerbereich ändern. 2. Das Fachbuch sagt auch, dass der Strom durch R1 um 3-10mal größer sein soll wie der Basisstrom Ib. Er muss ja um so viel größer sein, dass man den Strom Ib halt genau einstellen kann. Der Strom durch R2 ist doch Ib+I1. Gibt es noch eine andere Begründung? mfg FK
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Den Strom druch R1 wählt man so groß, damit man den Basisstrom als Belastung für den Spannungsteiler mit R1 und R2 weitgehen vernachlässigen kann - zumindest ist der genaue Wert und damit die Verstärkung des Transistors nicht mehr wesentlich. Etwa 1 V für R4 ist eine grobe Faustregel - bei wenig Versorgungsspannung kann das aber auch weniger werden. Gegen die 1 V sind die typisch -2 mV/K an Temperaturkoeffizient von Ube nicht so dramatisch. Für 50 K Temperaturänderung gibt das dann 100 mV oder rund 10% für den Strom. Der andere Punkt ist das man für die Aussteuerung eine Gewisse Spannung an R3 benötigt - über die Verstärkung legt das dann die Spannung über R4 fest. Unabhängig wird man davon mit einem Kondensator prallel zu R4 bzw. einem Teil davon. Bei der Erklärung ist es ungünstig vom Basisstrom auszugehen - der wird in der ersten Näherung vernachlässigt, also der Grenzfall sehr hoher Verstärkung des Transistors betrachtet. Da sind auch noch einige Unschöne bis falsche Teile drin, etwa: "Der Widerstand R3 begrenzt den verstärkten Strom Ic." Richtiger ist das R3 den verstärkten Strom in eine Spannung umsetzt. " Temperhöhung --> Ube steigt " - das ist falech Ube sinkt, damit steigt dann Ib, sodass die folgerung schließlich die gleiche bleibt. Der Teil mit Stabilisierung durch R4 ist dann ganz wirr und falsch.
Danke dir! Ulrich H. schrieb: > Den Strom druch R1 wählt man so groß, damit man den Basisstrom als > Belastung für den Spannungsteiler mit R1 und R2 weitgehen > vernachlässigen kann - zumindest ist der genaue Wert und damit die > Verstärkung des Transistors nicht mehr wesentlich. Meinst du damit, wenn sich Ib ändert, dass die Spannung am R2 nahezu konstant bleibt? Ulrich H. schrieb: > Etwa 1 V für R4 ist eine grobe Faustregel - bei wenig > Versorgungsspannung kann das aber auch weniger werden. Gegen die 1 V > sind die typisch -2 mV/K an Temperaturkoeffizient von Ube nicht so > dramatisch. Für 50 K Temperaturänderung gibt das dann 100 mV oder rund > 10% für den Strom. Der andere Punkt ist das man für die Aussteuerung > eine Gewisse Spannung an R3 benötigt - über die Verstärkung legt das > dann die Spannung über R4 fest. Naja, was wäre denn wenn die Spannung am R4 zu klein oder zur groß wäre? Das wirkt sich doch nur auf den Aussteuerungsbereich aus oder? > Unabhängig wird man davon mit einem > Kondensator prallel zu R4 bzw. einem Teil davon. Unabhängig von was wird man? Also wenn ein C da ist, dann schließt er ja den R4 wechselstrommäßig kurz, d.h. es gibt keine großen Signalschwankungen. Ist das so gemeint? Ulrich H. schrieb: > Bei der Erklärung ist es ungünstig vom Basisstrom auszugehen - der wird > in der ersten Näherung vernachlässigt, also der Grenzfall sehr hoher > Verstärkung des Transistors betrachtet. Was meinst du damit genau? Ulrich H. schrieb: > " Temperhöhung --> Ube steigt " - das ist falech Ube sinkt, damit steigt > dann Ib, sodass die folgerung schließlich die gleiche bleibt. > Der Teil mit Stabilisierung durch R4 ist dann ganz wirr und falsch. Also wenn sich die Temperatur erhöht, dann sinkt der Widerstand von dem Halbleiter --> Ube sinkt --> Ib, Ic, Ie steigen --> Spannung am R4 steigt --> da die Spannung am R2 konstant ist, sinkt Ube So ist es doch richtig oder? Aber Ube sinkt ja noch weiter, also muss Ib doch steigen, oder? Wie kann es dann sein, dass die Gegenkopplung funktioniert? Ulrich H. schrieb: > Da sind auch noch einige Unschöne bis falsche Teile drin, etwa: Sind noch mehr falsche/unschöne Teile in meinem Beitrag?
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In der ersten Näherung wird angenommen dass Ib die Spannung an R2 nicht wesentlich verändert. Wenn man wert auf einen hohen Eingangswiederstand legt, kann man R1 und R2 aber auch größer wählen - im Extremfall auch ohne R1. Nur ist dann die Auslegung schwieriger weil man den Verstärkungsfaktor kennen muss. Wenn man R4 bzw. die Spannung an R4 zu groß wählt, reduziert man den Aussteuerungsbereich. Für eine gute Aussteurung will man etwa die halbe (oder etwas mehr) Versorgungsspannung am Ausgang als DC Pegel. Hat man zu viel oder zu wenig Spannung an R4, reduziert sich der Aussteuerungsbreich. Mit dem Kondensator zu R4 bzw. einem Teil von R4 kann man die Verstärkung für Wechselspannung höher wählen als die DC Verstärkung. Damit hat man mehr Freiheit bei der Auslegung von R4 - da passt dann auch die 1 V Faustregel ganz gut. Man sollte die Erklärung weitgehend ohne den Basistrom machen - es reicht die Annahmen einer nur von der Temperatur abhängigen Spannugn Ube. Die Dioden Spannung sinkt mit zunehmender Temepratur - das hat allerdings nicht mit dem abnehmenden Widerstand beim HL zu tun. Das ist eine Eigenschaft des PN Überganges. In den P und N Bereichen selber nimmt der Widerstand mit der Temperatur übrigens sogar zu. die letzte Schlussfolgerung "--> da die Spannung am R2 konstant ist, sinkt Ube" ist falsch - das ist keine Folge sondern das womit man anfängt. Der Logische Schritt ist IC steigt und damit sinkt die Ausgangsspannung. Ein Wirkliche Gegenkoplung gibt es hinsichtlich der Temperatur nicht. Man hat weiter den TK am Eingang von etwa -2 mV/K. R4 sorgt nur dafür das die Verstärkung auf etwa -R3/R4 reduziert wird. Und man am Ausgang entsprechend eine Drift von 2 mV/K * R3/R4 hat. Falsch ist etwa auch noch der Satz : "Das ist im Prinzip ein bestimmter Regelmechanismus, der Ube auch bei Temperaturschwankungen möglichst konstant häl." - da ist kein Regelnechanismus, und Ube ändert sich nun mal mit der Temperatur. Daran kann die Schaltung fast nichts ändern.
F. K. schrieb: > Ulrich H. schrieb: >> Etwa 1 V für R4 ist eine grobe Faustregel - bei wenig >> Versorgungsspannung kann das aber auch weniger werden. >> Gegen die 1 V sind die typisch -2 mV/K an Temperatur- >> koeffizient von Ube nicht so dramatisch. Für 50 K >> Temperaturänderung gibt das dann 100 mV oder rund >> 10% für den Strom. [...] > > Naja, was wäre denn wenn die Spannung am R4 zu klein > oder zur groß wäre? Das wirkt sich doch nur auf den > Aussteuerungsbereich aus oder? Jein... Du hast Recht damit, dass eine zu große Spannung an R4 den Aussteuerbereich unnötig einschränkt. Das ist korrekt. Der Emitterwiderstand hat die Besonderheit, dass er gleichzeitig sowohl für das Eingangssignal wie auch für das Ausgangssignal wirksam ist - er verkoppelt den Eingangs- und den Ausgangsstromkreis miteinander. Daher beeinflusst R_E nicht nur den Aussteuerbereich, sondern noch zahlreiche weitere wichtige Dinge: 1) Eine meiner ersten Entdeckungen an der Uni bestand in der Beobachtung, dass sich die Spannungsverstärkung der Transistorstufe aus V = R_C / R_E = R3 / R4 berechnen lässt. (Das ist so ähnlich wie beim invertierenden Verstärker mit OPV.) Das bedeutet: Man kann die Verstärkung einer Transistorstufe durch die passende Wahl von R_C und R_E ziemlich genau festlegen. Bei festem R_C wird die Verstärkung um so größer, je kleiner man R_E macht. 2) R4 hat Einfluss auf die Verzerrungen (den Klirrfaktor) der Stufe: kleiner R4 --> hohe Verstärkung --> hohe Verzerrungen, bzw. großer R4 --> niedrige Verstärkung --> niedrige Verzerrungen. (Anmerkung: Das ist eine Vereinfachung; der echte Zusammenhang ist etwas komplizierter.) 3) R_E (bzw. R4) beeinflusst außerdem den Eingangswiderstand der Verstärkerstufe: Je größer R4, desto größer der Eingangswiderstand. Es gilt ungefähr: R_ein = h_fe * R_E Die Wirkung von R4 auf Aussteuerbereich und Drift sind ja schon genannt worden. Alles in allem kann man grob sagen: Wenn man R4 vergrößert, nimmt der Aussteuerbereich ab (das ist fast immer ungünstig) und die Verstärkung sinkt (das ist manchmal ungünstig). Viele andere Eigenschaften (Drift, Verzerrungen, Eingangswiderstand) werden besser. Die 1V-Regel ist also nur ein SEHR GROBER Anhaltspunkt. Je nach konkretem Zweck der Transistorstufe können sich auch andere Werte ergeben.
Ich les hier gerade mit sehr viel Interesse an diesem Thread mit, da ich die klassische Emitterschaltung mit Basisspannungsteiler und Emitterwiderstand/Kondensator im (abgebrochenen) Studium schonmal zu behandeln hatte, da allerdings keinen richtigen Überblick bekommen hab, bzw. nie richtig durchgestiegen bin, da es ja in dem Fall nicht ganz wenige Parameter gibt, die voneinander abhängen und zu bedenken sind. Gibts sowas wie eine Schema F nachdem man jede Emitterschaltung abhandeln kann mit einigen gegebenen Parametern wie gewünschter Verstärkung, gewählter versorgungsspannung, Eingangswiderstand usw? Idealerweise mit Formeln und detailierter Erklärung die auch Ausgangskennlinienfeld des Transistors und solche Parameter nicht außenvor lässt? Gibts da Passende Fachliteratur in Buchform, schon was fertiges im Netz, was zu empfehlen ist? Würde es eventuell sinn machen, für die Berechnung einer solchen Schaltung mit einer Excel Kalkulation zu arbeiten?
Hm ok danke. Ich habe im Elektronik-Kompendium folgenden Satz gefunden: "Eine einfache Emitterschaltung leidet unter Temperaturabhängigkeit, was die Erwärmung des Transistors als Ursache hat. Die Erwärmung des Transistors führt zu einem Anstieg des Basisstroms IB. Das hat den Anstieg des Kollektorstroms IC zur Folge. Dabei erhöht sich auch der Emitterstrom IE. Das heißt, durch den Emitterwiderstand RE fließt ein größerer Strom IE. Nach dem Ohmschen Gesetz fällt dort eine größere Spannung URE ab. Dadurch wird die Basis-Emitter-Spannung UBE kleiner. Dadurch wird auch der Basisstrom IB kleiner. Wodurch sich auch der Kollektorstrom IC und der Emitterstrom IE verringern. Am Emitterwiderstand RE fällt eine kleinere Spannung URE ab. Die Basis-Emitter-Spannung UBE wird dadurch wieder etwas größer." Da steht ja: Erwärmung -> Ib größer --> Ic größer --> Ie größer --> Ure größer --> Ube wird kleiner --> Ib kleiner Das steht ja so da oder? Und da steht wenn Ure größer wird, dass Ube kleine wird. Ube = Ur1-Ur4 und wenn Ur4 steigt, dann wird ja Ube kleiner. Ist doch so gemeint oder? Warum wird Ib kleiner, wenn Ube kleiner wird?
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> Warum wird Ib kleiner, wenn Ube kleiner wird?
[Satire]
Böse Zungen behaupten, dieser Effekt wurde von Georg Simon Ohm erfunden.
Aber das sind nur Verschwörungstheorien. Ich würde dem keinen Glauben
schenken.
[/Satire]
Mal im Ernst: Warum nicht? Was erwartest Du sonst?
ahhhh^^. sorry, ich hatte da einfach nen aussetzer(hitze^^...). Ja ist doch klar, dass der Strom weniger wird, wenn die Spannung sinkt. Und dann ergibt es auch Sinn: Temp. steigt --> Ie steigt --> Ure steigt --> Ube sinkt --> Ib sinkt Danke Leute.
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Ulrich H. schrieb: > Die Dioden Spannung sinkt mit zunehmender Temepratur - das hat > allerdings nicht mit dem abnehmenden Widerstand beim HL zu tun. Das ist > eine Eigenschaft des PN Überganges. In den P und N Bereichen selber > nimmt der Widerstand mit der Temperatur übrigens sogar zu. Hmm eine Frage wäre mir noch wichtig bitte: Wenn die Diodenspannung mit zunehmender Temperatur sinkt, warum steigt dann Ib? edit: Naja, fakt ist doch, dass bei Erwärmung von Halbleitern einfach die Leitfähigkeit zunimmt, also fließt ein höhere Strom.
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Sebastian P. schrieb: > [...] nie richtig durchgestiegen bin, da es ja in dem > Fall nicht ganz wenige Parameter gibt, die voneinander > abhängen und zu bedenken sind. Ja, genau das ist das Problem. > Gibts sowas wie eine Schema F nachdem man jede > Emitterschaltung abhandeln kann mit einigen gegebenen > Parametern wie gewünschter Verstärkung, gewählter > versorgungsspannung, Eingangswiderstand usw? Ist mir in dieser Form nicht bekannt. Das Problem scheint mir zu sein, dass von Fall zu Fall verschieden ist, welche Zielwerte erreicht werden MÜSSEN und wo man Kompromisse eingehen kann. Wenn ich primär eine bestimmte Grenzfrequenz erzielen muss und freie Wahl der Betriebsbedingungen habe, sieht die Schaltung ja ganz anders aus, als wenn ich in einer batteriebetriebenen Schaltung maximalen Eingangswiderstand erreichen muss. Man müsste also mehrere Schemata F_x aufstellen - je eins für jeden Zielparameter. Hmmm. Ich frage mich, warum ich nicht schon viel eher auf diese Idee gekommen bin. > Idealerweise mit Formeln und detailierter Erklärung die > auch Ausgangskennlinienfeld des Transistors und solche > Parameter nicht außenvor lässt? Hmm... etwas Ähnliches ist vor einer Weile schon mal diskutiert worden. Merkwürdig ist ja, dass im Maschinenbau das Prinzip von Auslegungsrechnung und Nachrechnung lange Zeit etabliert war, während mir aus der Elektronik nichts Vergleichbares bekannt ist. Ist aber aus meiner Sicht sinnvoll, ja. Unbedingt. > Gibts da Passende Fachliteratur in Buchform, schon was > fertiges im Netz, was zu empfehlen ist? Ist mir nicht bekannt. > Würde es eventuell sinn machen, für die Berechnung einer > solchen Schaltung mit einer Excel Kalkulation zu arbeiten? Sofern man Excel einsetzt, ist das sicher sinnvoll :)
Ich habe nochmals über den Kondensator, der parallel zu R4 bzw. Re geschaltet wird nachgedacht und bin auf folgendes gekommen: Re wirkt ja jeder Stromänderung von Ic entgegen, also auch wenn das Eingangssignal sich ändert. Und Ce verhindert das. Wenn man einen Kondensator parallel zu Re schaltet, dann ist der Widerstand für Wechselstrom sehr klein, d.h. es fließt kein Wechselstrom rüber. --> mit Ce ist das Ausgangssignal größer als ohne Ce. 1. Aber kann man das genauer erklären? Was genau bedeutet "Ce schließt Wechselspannungen kurz"? 2. Aber bei welchen Frequenzen funktioniert das? Bei tiefen und hohen?
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F. K. schrieb: > Was genau bedeutet "Ce schließt Wechselspannungen kurz"? Sowas findet man oft, wenn die Funktionsweise des Kondensators für Laien verständlich erklärt wird. Für AC hat ein Kondensator der Kapazität C in Abhängigkeit von der Frequenz f den Blindwiderstand XC=1/(2*Pi*f*C) Mit zunehmender Kapazität oder Frequenz wird XC kleiner und umgekehrt. Gleiches gilt für die Welligkeit der Spannung über C (C parallel R4). DC wird gesperrt. Zu bedenken ist, daß ein entladenes C beim Anlegen einer Spannung zuerst einen Kurzschluß darstellt und eine Zeit lang bis zum Erreichen der Spannung aufgeladen wird, siehe Zeitkonstante Tau. Frage ist, was bei Einschalten zw. Teiler R1+R2 und R4||C passiert. > Re wirkt ja jeder Stromänderung von Ic entgegen, also auch wenn das > Eingangssignal sich ändert. Und Ce verhindert das. Wenn man einen > Kondensator parallel zu Re schaltet, dann ist der Widerstand für > Wechselstrom sehr klein, d.h. es fließt kein Wechselstrom rüber. Re (bzw. R4) ohne paralleles C würde einen Teil der Eingangsleistung in Wärme umsetzen (verbrauchen), der dann zur Verstärkung nicht mehr zur Verfügung stünde. Das wäre nicht zuletzt Verschwendung. Bei parallelem C fließt durch Re ein Strom entsprechend dem anteiligen Widerstand in der Parallelschaltung Re||XC.
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Rainer V. schrieb: > Bei parallelem C > fließt durch Re ein Strom entsprechend dem anteiligen Widerstand in der > Parallelschaltung Re||XC. Re||XC soll ja für Wechselstrom hochohmig sein. Also muss C immer niedrig sein, egal ob Hohe f oder niedrige f. Bei hohen Frequenzen muss man halt C im pF-Bereich oder noch kleiner wählen. Kann man das so sagen? Rainer V. schrieb: > DC wird gesperrt. Zu bedenken ist, daß ein entladenes C beim Anlegen > einer Spannung zuerst einen Kurzschluß darstellt und eine Zeit lang bis > zum Erreichen der Spannung aufgeladen wird, siehe Zeitkonstante Tau. > Frage ist, was bei Einschalten zw. Teiler R1+R2 und R4||C passiert. Hmm. Da stehe ich auf der Leitung. Du sagst ein Kurschluss ist nur kurz beim Einschalten da? Und sonst nicht? Was bringt das dann? Rainer V. schrieb: > Re (bzw. R4) ohne paralleles C würde einen Teil der Eingangsleistung in > Wärme umsetzen (verbrauchen), der dann zur Verstärkung nicht mehr zur > Verfügung stünde. Das wäre nicht zuletzt Verschwendung. Bei parallelem C > fließt durch Re ein Strom entsprechend dem anteiligen Widerstand in der > Parallelschaltung Re||XC. Also wenn Ic durch das Eingangssignal ansteigt, dann macht diese Gegenkopplung am Ende das Ib wieder kleiner, somit wird Ic auch kleiner --> Es wird nur eine kleine Strom bzw. Spannungsverstärkung erreicht. Stimmts?
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F. K. schrieb: > Re||XC soll ja für Wechselstrom hochohmig sein. Also muss C immer > niedrig sein, egal ob Hohe f oder niedrige f. Bei hohen Frequenzen muss > man halt C im pF-Bereich oder noch kleiner wählen. Kann man das so > sagen? Wie wäre es, wen du dich mal mit den hxx-Parametern anfreunden würdest. Eine Emitterschaltung mit R so einzustellen, das sie einigermaßen temperaturstabil und stromverstärkungsunabhängig ist, das ist besseres Standardwissen. Nein, einfach ist das nicht. Bei GE-Transis war das sehr wichtig. Bei SI-Transis ist die Temperaturabhängigkeit nicht so sehr wichtig. Da reichen oft Schaltungen ohne Emitterwiderstand. Aber AC-Eigenschaften kannst du nur richtig über die h-Parameter bestimmen.
ahh mist. Ich habe was falsches gesagt. Rainer V. schrieb: > Bei parallelem C > fließt durch Re ein Strom entsprechend dem anteiligen Widerstand in der > Parallelschaltung Re||XC. > Re||XC soll ja für Wechselstrom hochohmig sein. 1/unendlich ist ja 0. Und das will man erreichen(also einen kleinen Xc), wenn man in 1/jwC einsetzt. Bitte sagt mir doch, wie ich den C gut dimensioniere? Der NF-Bereich geht doch bis 100kHz oder? Und wenn ich 100000Hz habe. Dann muss der C=10000uF sein, sodass Xc dann klein ist oder? Wie ist des im HF-Bereich? Rainer V. schrieb: > DC wird gesperrt. Zu bedenken ist, daß ein entladenes C beim Anlegen > einer Spannung zuerst einen Kurzschluß darstellt und eine Zeit lang bis > zum Erreichen der Spannung aufgeladen wird, siehe Zeitkonstante Tau. > Frage ist, was bei Einschalten zw. Teiler R1+R2 und R4||C passiert. Hmm. Da stehe ich auf der Leitung. Du sagst ein Kurschluss ist nur kurz beim Einschalten da? Und sonst nicht? Was bringt das dann? Rainer V. schrieb: > Re (bzw. R4) ohne paralleles C würde einen Teil der Eingangsleistung in > Wärme umsetzen (verbrauchen), der dann zur Verstärkung nicht mehr zur > Verfügung stünde. Das wäre nicht zuletzt Verschwendung. Bei parallelem C > fließt durch Re ein Strom entsprechend dem anteiligen Widerstand in der > Parallelschaltung Re||XC. Also wenn Ic durch das Eingangssignal ansteigt, dann macht diese Gegenkopplung am Ende das Ib wieder kleiner, somit wird Ic auch kleiner --> Es wird nur eine kleine Strom bzw. Spannungsverstärkung erreicht. Stimmts? Michael_ schrieb: > Wie wäre es, wen du dich mal mit den hxx-Parametern anfreunden würdest. Ja ich kenne die h-Paramenter. Man kann damit r_be, r_ce, ß berechnen. Und somit Spannugnsverstärkung V_u, r_aus und r_ein.
Ja. Du solltest einmal praktische Experimente machen und auf ganz einfachem Niveau anfangen. Das sagte ich Dir schonmal in einem anderen Thread. Ich habe den Eindruck, dass Du nicht wirklich verstehst, was Du liest und was man Dir hier sagt. Du bist zwar in der Lage Aussagen aus Büchern und dem Internet grammatisch umzustellen, so das eine Paraphrase herauskommt, aber den Sinngehalt der Aussagen verstehst Du nicht. Das geht hier nun schon seit gut 2 Wochen so. Das liegt vielleicht an der Papierform, an dem wälzen von Gedanken im Kopf, die sich nie in der Realität zeigen. Darauf deuten auch einige Fragestellungen hin, wie diese: Rainer V. schrieb: >> ... daß ein entladenes C beim Anlegen >> einer Spannung zuerst einen Kurzschluß darstellt ... beim Einschalten da? Und sonst nicht? Was bringt das dann? Sie ist besonders deswegen bemerkenswert, weil die Frage nach dem Nutzen fast schon absurd ist, wenn man bedenkt, dass diese Eigenschaft eines Kondensators aus seinem Funktionsprinzip und Aufbau unmittelbar folgt - ein wesentlich primitives Element seiner Beschreibung ist. Das deutet entweder darauf hin, dass Du Lücken in den Grundlagen hast, oder eben, dass Dir die Praxis fehlt. Vielleicht hast Du aber auch grundlegende Schwierigkeiten, solche Sachverhalte geistig zu erfassen oder Dir fehlt einfach das Talent. Das ist möglicherweise verletzend für Dich. Es tut mir leid, wenn das so ist. Ich bin aber überzeugt, dass Dein Wert als Person davon nicht berührt wird.
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