Last an GND mit N-Kanal-MOSFET schalten?

für 2. muss die spannung am gate aber höher sein als +UB

Danke für die schnelle Antwort!

theguy schrieb:
> für 2. muss die spannung am gate aber höher sein als +UB

Mehr als 3,3V bis 5V werden dort nicht bereitstehen können.

Kann man alternativ einen P-Kanal-MOSFET benutzen und den Pegel am Gate 
invertieren (also H für aus und L für an)?

Wenn ja, gibt es so etwas wie einen Komplementärtypen zum IRLML2402?

Sicher: es gibt sogar welche, bei denen der N-Channel auch gleich dabei 
ist. Mit dem kannst Du das Steuersignal an den erforderlichen Pegel für 
den P-Channel anpassen.

SI5513?
FDMA1032CZ?
FDC6333C?

alles sowas könnte passen.

Danke für die Antworten!

Bei welchem Pegel geschaltet wird (ob bei H oder L) ist letztlich nicht 
so wichtig.

Der IRLML2402 hat eine Cg von ca. 110pF und einen R von 0,25 Ohm.
Ein P-Channel MOSFET, der bei gleichen Abmessungen ähnliche oder 
kleinere Werte hat, wäre mein Kandidat (es geht um eine PWM-Schaltung 
mit relativ hoher Frequenz)!

H.Joachim Seifert schrieb:
> Und wie hoch ist "relativ hoch"...

Irgendwo im unteren bis mittleren kHz-Bereich.

So etwas wie einen "echten" Komplementär-Typen zum N-Channel IRLML2402 
gibt es wohl nicht?!?

Habe einige ähnliche Exemplare gefunden, sie weichen allerdings im einen 
oder anderen Parameter ab.

Vor allem soll er auch zwischen GND und 5V (= +Ub) schon voll 
durchsteuern bzw. sperren.

Harald Wilhelms schrieb:
> Ein P-Kanal-FET hat, physikalisch bedingt, immer schlechtere Daten
> als ein gleich aufgebauter N-Typ. Das war auch schon bei den
> bipolaren Transistoren so.

Danke für die Info! Dann nehme ich jetzt einen von den P-Channels, die 
der Sache am nächsten kommen!

Danke an alle Poster!

z.B. der IRLML6402

von den Daten etwa gleich, geringerer RDSON

theguy schrieb:
> z.B. der IRLML6402
>
> von den Daten etwa gleich, geringerer RDSON

Jo, Danke! Der hat allerdings
Eingangskapazität typ. @ Vds  633 pF V @ 10V