Hallo community, dumme frage, und zwar hab ich mir einen IRF9510 p-channel mosfet gekauft und wollte damit leds schalten. als ich die schaltung vorher testen wollte hab ich gesehen (source spannung 5V) dass wenn ich 5volt an das gate anlege die spannung am drain anschluss ca 4.7V hat. sollten da nicht 0 volt sein ? kann mir wer erklären warum das so ist ? vlt hochohmig ?
mangels näherer Info kann ich nur raten: Am MOSFET wird mit der Gatespannug der DS-Widerstand eingestellt, aber nichtlineare Funktion. RDS=f(UGS) Bei 5V ist ein normaler FET ein Widerstand Bei 10V ist er offen. Bei 15V auch Bei >18V kaputt. Gegebenenfalls mal einen Logic-Level-FET probieren. Soweit die Ratestunde für heute.
Richard __ schrieb: > als ich die schaltung vorher testen wollte hab ich gesehen (source Ach ja, DIE Schaltung hast du gesehen ...
Hmm, du hast das so verschaltet +5V |S +5V ------|I IRF9510 | Vorwiderstand | LED | Masse und misst am Vorwiderstand 4.7V ? Das ist merkwürdig, denn der MOSFET sollte aus sein und damit, wie du richtig sagst, sollten 0V am Vorwiderstand anliegen. Da ist der MOSFET wohl kaputt und die LED leuchtet. Du erwartest, dass eigentlich so +5V |S 0V ------|I IRF9510 | Vorwiderstand | LED | Masse die LED leuchtet? Irrtum, der MOSFET ist erst eingeschaltet, wenn -10V UGS anliegen, steht in Datenblatt gleich oben RDSon @10V UGS Dazu brauchst du -5V +5V |S -5V ------|I IRF9510 | Vorwiderstand | LED leuchtet | Masse oder einen anderen MOSFET +5V |S 0V ------|I TPS1110 | Vorwiderstand | LED leuchtet | Masse
die led leuchtet aber nicht wenn ich 4.7V am Drain messe der pullup hat 10k
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Wenn an Vcc +5V sind Und am IC4 am QA 0V sind dann sollte bei ANODE0 auch +5V zu messen sein. Dann ist der Mosfet richtig angeschlossen.
Markus Müller schrieb: > Wenn an Vcc +5V sind > Und am IC4 am QA 0V sind > dann sollte bei ANODE0 auch +5V zu messen sein. > > Dann ist der Mosfet richtig angeschlossen. ja das stimmt auch nur warum sind bei anode0 +4.7V wenn ich am IC4@QA +5V habe ? check ich nicht
Richard __ schrieb: > die led leuchtet aber nicht wenn ich 4.7V am Drain messe Dann solltest du das andere Ende der LED über einen passenden Vorwiderstand an Masse legen. Entweder leuchtet dann die LED oder die zu hochohmig gemessene Spannung bricht zusammen. Deine MOSFETs können mangels -5V niemals ganz durchschalten, es sind die falschen, du brauchst LogicLevelPMOSFETs.
Richard __ schrieb: > die led leuchtet aber nicht wenn ich 4.7V am Drain messe Kein Wunder. Egal was du da mißt. Ist ja keine LED in der Schaltung.
warum sollte der nicht ganz durchschalten im datenblatt steht doch VGS MAX 4Volt
hab gerade alles nochmal getestet und nachgemessen es funktioniert alles und er schaltet super. 0V Drain bei gate +5V und +5V Drain bei Gate 0V. habe mich vermessen.
Richard __ schrieb: > VGS MAX 4Volt Nein, im Datenblatt steht UGS(th) maximal 4V. Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS, ID = - 250 μA - 2.0 - - 4.0 UGS(th) ist die Spannung, aber der er gerade eben nciht mehr sperrt, sondern in den linearen Bereich übergeht. Es beginnen 250uA zu fliessen. Voll durchgeschaltet ist er erst beim doppelten (Halbleiterphysik). Ich habe keine Ahnung, warum Anfänger immer aus UGS(th) entnehmen, daß ab dieser Spannung der MOSFET voll leiten würde, du bist da nicht der einzige, diese Fehlinterpretation ist extrem weit verbreitet. Die Datenblattngabe die sagt wie gut er durchschaltet steht hier RDS(on) (Ω) VGS = - 10 V 1.2 und da steht deutlich, daß UGS 10V betragen soll. Sicher, dein persönliches Exemplar kann auch bei 2V (UGS(th) MIN) schon zu leiten beginnen und bei 4V ziemlich viel Strom durchlassen, aber das hängt vom Exepmplar ab, so kann man Schaltungen nicht entwerfen, daß bei Ersatz gegen ein Bauteil gleicher Typennummer sie plötzlich nicht mehr geht weil die Bauteile am anderen Ende der Toleranz sind. Merke: UGS(th) ist die Spannung, UNTERHALB derer der MOSFET SICHER SPERRT.
MaWin schrieb: > Merke: UGS(th) ist die Spannung, UNTERHALB derer der MOSFET SICHER > SPERRT. aber ich bin immerhin 1Volt über max. UGS ^^ da gehen sich doch 420mA aus oder ? für das nächste mal merke ich mir das danke.
Richard __ schrieb: > aber ich bin immerhin 1Volt über max. UGS ^^ Ja, daher leitet dein MOSFET etwas , er ist halt halb abgewürgt. > da gehen sich doch 420mA aus oder ? Bei einem MOSFET der auch voll durchgeschaltet ohne Kühlkörper nur 800mA schafft, ist das nicht sicher.
4A bei 1,2Ohm ist ein Spannungsabfall von 4,8V, das sind 19,2Watt. Ohne Kühlkörper wird Dein Mosfet die 4A nicht lange überleben... Mein gezeigter Mosfet (IRLML6401) hat nur 0,05Ohm und das wären bei 4A 0,8W Der "Rdson" ist enorm wichtig für die Berechnung des Kühlaufwandes. Und da Dein Mosfet nicht ganz durch schaltet, hat der sicher mehr als 1,2 Ohm. Messe doch den Spannungsabfall und den Strom der durch deinen Mosfet fließt, dann weißt Du wie viel Leistung der verheizt.
Richard __ schrieb: > hä ich dachte mein MOSFET schafft 4A voll durchgeschalten Wenn du das Gehäuse auf 25 GradC hältst, also unter fliessendes Wasser. Ein Datenblatt hat auch WERBEaussagen die man wie Wahlwerbung zu behandeln hat. Ohne Kühlkörper ist ein TO220 bei 1 Watt heiss, und an 1.2 Ohm gibt es 1 Watt bei 900mA, seiner hat aber keinen 1,.2 Ohm weil du ihn nicht mit 10V sondern schlaffen 5V ansteuerst.
MaWin schrieb: > Wenn du das Gehäuse auf 25 GradC hältst, also unter fliessendes Wasser. Das weiß ich auch dass ein SOT23 keine 0,8W aushält. Der TO will auch nur 400mA für seine LED's treiben, dafür wäre dieser ausreichend. Es war nur als Beispiel gedacht weil er meinte er könne damit problemlos 4A schalten.
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Markus Müller schrieb: > Das weiß ich auch dass ein SOT23 keine 0,8W aushält. Wer bist DU denn jetzt und was mischt du dich in die Unterhaltung mit Richard __ ein ?
Sorry, dachte der Text bezieht sich auf auf den IRLML, aber egal, der passt für beide Mosfet-Typen.
Autor: Richard __ (synq1e) hat am Datum: 12.07.2014 um 10:16 geschrieben, dass er sich lediglich vermessen hat und jetzt alles läuft und ihr diskutiert hier noch stundenlang weiter...
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