Hallo. Wie kann ich die idealisierte Basis-Emitterdioden-Spannung aus dem Sättigungsstrom I_s berechnen? Ich kann die passende Formel nicht finden. In Spice kann man z.B. nur das I_s angeben. Wie schließe ich von diesem auf die Schwellspannung? Danke für die Hilfe. Mit freundlichen Grüßen Florian PS: und wenn wir schonmal dabei sind: Rechnerisch müsste der Sperrstrom fließen, wenn die Basisemitterspannung bei ca. 18 mV liegt? Wie kann ich diesen Sperrstrom interpretieren? http://de.wikipedia.org/wiki/Schwellenspannung
Gast
#3734539
Hi Florian, I_S bekommst du für gewöhnlich aus dem Datenblatt deines Transistors. Theoretisch kannst du aber auch die Formel
nach I_S umstellen. Da I_S aber von I_D abhängt und dieser beim Sperren des Transistors quasi I_D = 0 ist, ist somit auch I_S = 0.
Gast
#3734610
Florian R. schrieb: > In Spice kann man z.B. nur das I_s angeben. Wie schließe ich von diesem > auf die Schwellspannung? wie es schon der von dir verlinkte Wiki-Artikel beschreibt: die Schwellspannung ist ein willkürliches Konstrukt und keine echte Schwelle/kein Knick in der Diodenkennlinie. Wenn du I_d logarithmisch aufträgst siehst du, dass es nicht wirklich eine Schwellspannung gibt. Wenn du so etwas wie eine Schwelle definieren willst, dann lege (willkürlich) einen Strom fest, den du als Schwelle zählst (z.B. I_d = 2mA für eine Kleinsignaldiode). Dann kannst du mit den gegebenen Diodenparametern und der Shockley-Gleichung ausrechnen, welche Spannung sich idealerweise ergeben sollte. Florian R. schrieb: > Rechnerisch müsste der Sperrstrom > fließen, wenn die Basisemitterspannung bei ca. 18 mV liegt? Verwechsle nicht den Sperrstrom (den du an einer Diode im Sperrbereich messen kannst) mit dem Sättigungssperrstrom I_s der Shockley-Gleichung. I_s ist einfach ein Parameter, mit dem sich der Diodenstrom im relevanten Bereich der Durchlassspannungen sinnvoll modellieren lässt.
Danke! Das war aufschlussreich.