Gleichrichterbrücke mit MOSFET lowside

Schotter OP #3796237 
Hallo,

ich bin aktuell auf der Suche nach einer Gleichrichterbrücke deren 
lowside-Dioden durch MOSFETs ersetzt sind, damit das interne und das 
externe Ground nicht allzuweit auseinander liegen.

Der angehängte Simulationsaufbau kommt mit den beispielhaft gewählten 
Bauteilen auf eine Spannungsdifferenz (GND_ext - GND_INT) von gerade mal 
9mV also fast nichts.

Kopfschmerzen bereitet mir jetzt allerdings, dass es kaum fertige 
Bausteine für diese "Problem" gibt. Übersehe ich da etwas essentielles?

Schöne Grüße,
Thorsten
Angehängte Dateien:
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Hans Gast #3796262 
Ja!

Den Preis!

Ein paar dioden gibt es für Pfennige!

FETs sind teurer und erst recht die dazugehörige Ansteuerung. - Mal ganz 
von dem ggf. katastrophalen Folgen eines "Verschaltens" - was bei 
"einfachen" Dioden nicht möglich ist.
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Schotter OP #3796347 
Hans schrieb:
> FETs sind teurer und erst recht die dazugehörige Ansteuerung. - Mal ganz
> von dem ggf. katastrophalen Folgen eines "Verschaltens" - was bei
> "einfachen" Dioden nicht möglich ist.

Jupp, deswegen ja nur lowside. Die Anwendung ist rein DC, von daher ist 
die Ansteuerung auch sehr überschaubar. Beim Hochfahren kurz messen wo 
der Strom nun fließt -> MOSFET einschalten und gut ist's.

Chris schrieb:
> 
http://www.setron.de/de/ueber-setron/linear_technology_news/lt_news_archiv_2013/2013-11-LT4320-Aktiver-Brueckengleichrichter-vermindert-Leistungs--und--de

Den LT4320 habe ich schon gefunden, aber der ist natürlich viel zu 
hochpreisig, schießt er über's Ziel (nur lowside) und dann auch noch nur 
ein Controller. Wären die MOSFETs mit integriert, könnte man drüber 
nachdenken.
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Potibrutzler Gast #3796352 
Hi,

wenn man nur eine Seite der Brücke durch FETs ersetzen will, braucht man 
keine zweite Gleichrichterfunktion. Es reicht ein einfaches Schalten.
Gate von M1 mit VL und Gate M2 mit VR verbinden. Funktioniert bei 
Eingangsspannungen über Ugsth und unter Vgsmax.

Grüße
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MaWin Gast #3796356 
Thorsten S. schrieb:
> damit das interne und das externe Ground nicht allzuweit auseinander
> liegen.

Es git kein externes Ground.

Dort ist Wechselspannung.

Ein Gleichrichter mit aktiven Dioden im negativen Zweig verhindert 
nicht, dass du die Eingangsleitungen und die Ausangsspannung voneinander 
isolieren musst, egal wie klein die Spannung ist, die an den unteren 
Dioden abfällt.

Jeder Draht der Eingansleitung kann bis zu (Wechselspannungshöhe) 
Spannungsdifferenz haben zum internen Ground hinter dem Gleichrichter.
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Schotter OP #3796413 
Potibrutzler schrieb:
> Gate von M1 mit VL und Gate M2 mit VR verbinden. Funktioniert bei
> Eingangsspannungen über Ugsth und unter Vgsmax.

Der Hinweis ist gut. Danke! Allerdings liegt die Eingangsspannung bei 
bis zu 30 eher 36 V, reißt also Vgsmax.

Da war ich wohl zu voreilig...wenn ich die Dioden D5 und D6 über einen 
Draht brücke, schließe ich auch die Eingangsspannung kurz. War der Tipp 
so gedacht?

MaWin schrieb:
> Thorsten S. schrieb:
>> damit das interne und das externe Ground nicht allzuweit auseinander
>> liegen.
>
> Es git kein externes Ground.
> Dort ist Wechselspannung.
Nicht bei meiner Anwendung, rein DC.
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Potibrutzler Gast #3796538 
Hi,
mit kurzgeschlosenen D5 und D6 hast du keine Brücke mehr.
Den einzigen Sinn deiner Schaltung kann ich nur als Verpolschutz 
erkennen.
Wenn die Eingangsspanung verpolt angeschlossen wird, hast du deine 36V 
zwischen den GNDs.

Grüße
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Potibrutzler Gast #3796617 
Hi,

Potibrutzler schrieb:
> Wenn die Eingangsspanung verpolt angeschlossen wird, hast du deine 36V
> zwischen den GNDs.
 ne, sorry ist Falsch, gegen die angeschlossene Quelle entsteht nur der 
Spannungsabfall über dem FET. Die 36V liegen nur zwischen GND und dem 
Minusanschluss der Buchsen an.

Grüße
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