Leistungshalbleiter

Und was meint Gurgel zur Frage ? Zumindest zur diode sollte was zu 
finden sein...

Joell C. schrieb:

> Weißt vielleicht jemand welche Parameter Einflüsse auf den
> Durchlassspannungen der Diode (Vf) und des IGBT (Vce,Sat) und auf der
> Treshold-Spannung (Vge,th) des IGBT haben können...?
>
> Mit Parameter meine ich hier: die inneren Parameter (Struktur) und
> Parameter im Betrieb (beim Schalten) des Halbleiters
>
> 1- Treshold-Spannung: könnten es folgende Parameter sein???
> Gäte-Material, Gateisolationsdicke, Doping-Kanal, Verunreinigungen

Ja, die haben alle irgendwie Einfluß.
Aber ich versteh den Sinn der Frage nicht.

Hersteller von Halbleiterbauelementen versuchen Bauelemente mit Eigen- 
schaften herzustellen, die möglichst nahe an den idealen Bauelementen 
sind. Dabei sind sie eingeschränkt durch die verfügbare Technologie:

- verfügbare Materialien und deren Reinheit
- realisierbare Strukturgrößen
- Beherrschung der Prozeßparameter (Temperatur, Zeit)
- ...

und natürlich setzt auch die Physik ein paar Grenzen, z.B. bei der 
Strom- und Wärmeleitfähigkeit, Bandabstandsspannungen etc.

Oben drauf kommen noch wirtschaftliche Überlegungen. Denn auch wenn man 
bessere Bauelemente machen könnte, wären die wieder so viel teurer, daß 
sie nachher doch keiner kaufen würde.

Am Ende kommen Bauelemente mit spezifizierten (Datenblatt) Eigenschaften 
heraus. Selbst wenn eine bestimmte Eigenschaft durch nur einen Parameter 
bestimmt sein sollte (ist aber meist ein Mix) sagt der Hersteller das 
nicht. Detailwissen ist spezialisierten Angestellten vorbehalten.

Ändern kannst du daran nichts, du mußt das Bauteil nehmen wie es ist.


XL

Hi Axel,

ich hoffe ich kann dich duzen...?

Vielen Dank erstmal für deine Antwort. Dass es einen gewissen Kompromiss 
zwischen den physikalischen, technischen, geometrischen und 
wirtschaftlichen Aspekten zur Herstellung von Leistungshalbleitern 
angegangen wird, ist mir schon klar. Vielleicht habe ich meine Frage 
falsch gestellt. Ich versuche sie nochmal auszudrücken:

Vce(sat), Vge(th) und Vf haben einen Einfluss auf die Schaltverluste, 
-Zeiten, Rückstromspitze, Diodenspeicherladung usw.
Welche Parameter kann man bei Vce(sat), Vge(th) und Vf beeinflussen um 
eine Verbesserung der Schaltverluste, -Zeiten, Rückstromspitze, 
Diodenspeicherladung usw. zu erzielen..?

Ich hoffe ich konnte die Frage diesmal klar formulieren.

Vielen Dank nochmal

Gruß
Jo

MaWin schrieb:
> Axel Schwenke schrieb:
>> Ja, die haben alle irgendwie Einfluß. Aber ich versteh den Sinn der
>> Frage nicht
>
> Das sind Hausaufgabenfragen.

Ja, den Eindruck habe ich auch.

Joell C. schrieb:
> Welche Parameter kann man bei Vce(sat), Vge(th) und Vf beeinflussen um
> eine Verbesserung der Schaltverluste, -Zeiten, Rückstromspitze,
> Diodenspeicherladung usw. zu erzielen..?

Schau ins Datenblatt. Da steht alles drin. Wenn einer dieser Parameter 
von z.B. der Ansteuerung beeinflußbar ist, dann gibts da ein Diagramm.


XL