Hallo, für eine Ultra-Low-Power Anwendung überlege ich, die gesamte externe Peripherie des Mikrocontrollers mit einem MOSFET abzuschalten, wenn sie nicht gebraucht wird. Die Peripherie sollte nur wenige mA benötigen. Wichtig ist mir daher eigentlich nur, dass der MOSFET bei der Betriebsspannung von ca. 3V komplett durchschaltet und R_ds möglichst gering ist. Welche Transistoren könnt ihr für diesen Zweck empfehlen? Wie viel Spannungsabfall V_ds habe ich i.A. so zu erwarten?
U = I*R Für Lastströme im mA-Bereich und R_ds(on) im 100mΩ-Bereich kann man überschlagen: U = 10 [mA] * 100 [mΩ] = 1 [mV]
Naja. In Datenblätter kann ich selbst schauen. :) Die Frage bleibt für mich, ob das in der Praxis alles so hinhaut. Low Power hat ja so seine Tücken und ist "Neuland" für mich. Der PMV30UN sieht ja ganz gut aus (obwohl überdimensioniert), ist der empfehlenswert für diese Anwendung?
Womit möchtest du den Mosfet ansteuern? Du könntest auch einen Spannungsregler mit Enable Eingang nehmen damit du diesen auch abschalten könntest.
Thomas O. schrieb: > Womit möchtest du den Mosfet ansteuern? Es ist eine batteriebetriebene Anwendung, da gibt's nur 3V von einer Lithiumzelle. Ein Mikrocontroller soll dauerhaft versorgt werden und die meiste Zeit im tiefsten Schlaf verweilen. Der soll dann auch nach Bedarf die externe Peripherie kurz einschalten. Die Idee mit dem Spannungsregler klingt interessant, aber da habe ich dann wohl ernsthafte Probleme mit Spannungsabfall. Außer es ist ein magischer Super-LDO. ;)
Ultra Low Power und mA passen nicht zusammen....in dem Bereich kannst du jedes Wald und Wiesenteilen nehmen... Wenn es wirklich um uA und kleiner geht bekommst du mit anderen Bauteilen größere Probleme und der selbstentladung der Energiequelle. Also spezifizier einmal deine Anforderungen und stell dann die passenden Fragen ;)
drama schrieb: > Naja. In Datenblätter kann ich selbst schauen. :) Die Frage bleibt > für > mich, ob das in der Praxis alles so hinhaut. Low Power hat ja so seine > Tücken und ist "Neuland" für mich. > > Der PMV30UN sieht ja ganz gut aus (obwohl überdimensioniert), ist der > empfehlenswert für diese Anwendung? Ich verstehe ja nicht ganz was Du mit diesem Fet machen willst - alles abschalten indem Du GND von Deiner Peripherie schaltest? Na dann, viel Vergnügen bei den zu erwartenden Seiteneffekten... Das mit den uA oder gar nA ist nämlich nicht dann doch nicht sooooo trivial wie es auf den ersten Blick erscheint. Nimm - gerade bei ein paar mA Laststrom - einem P-FET und beachte dabe die Einschaltsituation (Batterie leer, neue einsetzen, was macht der uC und der FET mit der neuen Batterie...). Gibts mit entsprechenden brauchbaren Parametern auch wie Sand am Meer. Grüße MiWi
drama schrieb: > für eine Ultra-Low-Power Anwendung überlege ich, die gesamte externe > Peripherie des Mikrocontrollers mit einem MOSFET abzuschalten, wenn sie > nicht gebraucht wird Das ist handelsüblich, aber Achtung: Es fliesst auch Strom über die Schutzdioden der Ein- und Ausgänge, man muss also alle Ausgänge abschalten. Ausgeschaötete Ausgänge haben aber das Problem, daß der Eingang daraufhin floatet. Man sollte also mit Widerständen den Pegel dann festlegen. Und weil man keine externen Widerstände spendieren will, ein uC intern nur pull ups hat, sollte man nicht VCC, sondern Masse der Peripherie unterbrechen. Also: Zum Abschalten der Peripherie: Alle Ausgänge auf Eingang mit Pull Up umschalten. GND trennen. Das bedeutet, daß die Peripherie so getrickt sein sollte, daß ein Eingang, der auf HIGH ist, möglichst inaktiv bedeutet. Das ist glücklicherweise meistens auch der Fall, fast alle Enable-Eingänge sind aktiv low, also QUER. Als MOSFET tut es bei 3V problemlos ein 2.5V MOSFET wie IRLML2502 tut es problemlos. EIn BSS84 ist natürlich völliger Blödsinn bei der Anwendung, abgesehen von der falschen Polarität schaltet er auch erst bei -10V zuverlässig ein.
Test schrieb: > Ultra Low Power und mA passen nicht zusammen....in dem Bereich kannst du > jedes Wald und Wiesenteilen nehmen... Wie in vielen anderen Anwendungen schläft der Mikrocontroller und braucht dann nur kurz (vergleichsweise) hohe Ströme für sich selbst und Peripherie. Vielleicht ist das nicht mehr Ultra Low Power, aber Very Low Power? MiWi schrieb: > Ich verstehe ja nicht ganz was Du mit diesem Fet machen willst - alles > abschalten indem Du GND von Deiner Peripherie schaltest? Na dann, viel > Vergnügen bei den zu erwartenden Seiteneffekten... > Naja, ich bekomme nirgendwo die Spannung her, um einen N-Channel-MOSFET als High-Side-Schalter zu treiben... MaWin schrieb: > Es fliesst auch Strom über die Schutzdioden der Ein- und Ausgänge, man > muss also alle Ausgänge abschalten. Ausgeschaötete Ausgänge haben aber > das Problem, daß der Eingang daraufhin floatet. Man sollte also mit > Widerständen den Pegel dann festlegen. Und weil man keine externen > Widerstände spendieren will, ein uC intern nur pull ups hat, sollte man > nicht VCC, sondern Masse der Peripherie unterbrechen. Interessant. Und was ist mit den von MiWi erwähnten Seiteneffekten? Wenn man Eingänge mit Pullups hat sollten eigentlich allerdings keine Ströme fließen können.
greg schrieb: > Naja, ich bekomme nirgendwo die Spannung her, um einen N-Channel-MOSFET > als High-Side-Schalter zu treiben... Nimm einen P-Kanal Mosfet. Da findet sich schon was: http://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-Übersicht#P-Kanal_MOSFET Der IRLML6402PBF sieht doch recht hübsch aus...
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