Hi Team, ich wollte nachfragen, ob mir jemand folgende Parameter eines Lock-In Verstärkers kurz erklären kann: 1)Time Constant 2)Couple 3)Reserve 4)Display 5)Source Unter Punkt 4) und 5) kann ich mir noch etwas vorstellen, aber die ersten 3 Parameter verstehe ich nicht. Falls mal jemand schon mit einem Lock-In gearbeitet hat, wäre nett, wenn er was dazu schreiben könnte. Gruß
Was sagt denn das Manual zu diesem Teil. Lad dir doch mal das Manual zum SR830 oder so runter. Allgemein hat Stanford Research ein gutes Tutorial zum Thema
Habe das Manual runtergeladen, zwar in englisch, aber hat mir weitergeholfen. Besten Dank! Gruß
Ich habe eine weitere Frage: Kann mir jemand sagen, was die Funktion der einzelnen Trafos am Lock-In Verstärker sein könnten. Das rechts dient ja zunächst für die Runtertransformation der Spannung, die an der Probe anliegen soll, um die Probe vor einer eventuellen Zerstörung zu schützen. Wozu genau dient der Trafo am Eingang des Lock-Ins? Gruß
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Gast
#3923531
Ich hab obige Abbildung nicht gefunden. Man muss bei empfindlichen Messungen darauf bedacht sein, DC-maessig vom System getrennt zu sein. Dies erreicht man mit Trafos. Ich verwende gerne Datenleitungsdrosseln, welche eine Stufe kleiner als stromkompensierte Drosseln sind, aber physikalisch dasselbe. Die haben allerdings eine 1:1 Wicklung, erfordern von mir dafuer gar nichts. Ich arbeite meist einiges ueber 1kHz. Bei tieferen Frequenzen muss man sich Gedanken ueber die Dimensionierung der Trafos machen.
>Kann mir jemand sagen, was die Funktion der einzelnen Trafos am Lock-In >Verstärker sein könnten. Wenn du jetzt noch sagst, wo du das Bildchen her hast und welche Anwendung es zeigt, kannst du auch auf eine vernünftige Antwort hoffen. Im Manual des SR830 findet es sich jedenfalls nicht. Ist wahrscheinlich nur ein Prinzipschaltbild, das irgendetwas zeigen soll. Mit Übertragern läßt sich jedenfalls einen galvanische Trennung erzeugen, quasi rauschfrei der Signalpegel anheben oder absenken (bis auf die Kupferwiderstände der Wicklungen) und Impedanzen transformieren. Ohne genaue Spezifikationen der Übertrager ist das Bild aber ohne konkrete Aussagekraft. Jungs, knallt uns doch nicht einfach irgend so ein Bildchen hin ohne dazuzuschreiben, wo ihr es her habt. Und es ist wirklich lästig jedesmal danach fragen zu müssen!
думжвац schrieb: > Man muss bei empfindlichen > Messungen darauf bedacht sein, DC-maessig vom System getrennt zu sein. Ist aber bei einem Lock-In Verstärker, bedingt durch dessen Funktionsweise, meistens nicht nötig.
Gast
#3923912
Naja. Zum einen will man den zu messenden Prozess beeinflussen (modulieren), und denn moechte man nicht mit einem DC-LF offset saettigen oder stoeren. Zum anderen moechte man beliebig kleine Signal Messen, und dabei sollte der Eingnagsverstaerker nicht gleich wegen DC-LF saettigen. Wenn man Nanovolt messen will ist schon 1mV Brumm wahnsinnig viel.
Hi Leute, danke für die ersten Antworten und Anregungen und sorry, ich hätte etwas genauer sein sollen. In der Aufgabe geht es darum den quantisierten Leitwert in einem Elektronen Wellenleiter (bei 4,2K) zu messen (herkömmliche MODFETs). Die im Bild zu sehende Probe ist ein Transistor mit einem Quantenpunktpontakt mit einer Breit im Bereich von 100 bis 150 nm. Und die Aufgabe war es, den Aufbau so wie im Bild zu realisieren und im Anschluss die Bedeutung/Funktionen der jeweiligen Trafos zu beschreiben. Danke nochmals für die Antworten
Aha. Ok. Die Fusspunkte der (Trafo)Spulen wurden unklar bezeichnet. Der Fusspunkt, sprich GND der Spulen, die mit dem Lockin verbunden sind, sind mit dem GND des Lockin verbunden, waehrend die Fusspunkte der Spulen am Experiment mit dem GND des Experimentes verbunden sind. Auch wenn da nur jeweile mV zwischen den GND sind.