Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Ebers-Moll Modell Sättigung


von Paul Schmitz (Gast)


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Hallo,

ich habe eine Frage zum Bipolaren Transistor dargestellt mit dem 
Ebers-Moll-Modell und zwar im Sättigungsbetrieb. Kann ich mithilfe des 
Modells beschreiben, wie ich vom "forward-mode" in den "saturation-mode" 
komme?

Also aufgrund des Basisstroms fließt ja Strom aus die obere Stromquelle, 
der in dem Fall den gesamten Kollektorstrom darstellt. Wie bekomme ich 
denn so eine negative U_CB Spannung, damit die zweite Diode auch leitend 
wird? Was passiert denn dann mit der zweiten Stromquelle, die ja durch 
den Diodenstrom der oberen Diode Strom führt? Wirkt diese dem 
eigentlichen Emitterstrom entgegen und sorgt so dafür, dass die 
Stromverstärkung in der Sättigung abnimmt?

Viele Grüße
Paul

von Possetitjel (Gast)


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Paul Schmitz schrieb:

> ich habe eine Frage zum Bipolaren Transistor dargestellt
> mit dem Ebers-Moll-Modell und zwar im Sättigungsbetrieb.
> Kann ich mithilfe des Modells beschreiben, wie ich vom
> "forward-mode" in den "saturation-mode" komme?

Kurze Antwort: Nein.

Längere Antwort: Das Ebers-Moll-Modell besteht aus der
Ebers-Moll-Ersatzschaltung und dem dazugehörigen Satz
von Gleichungen.

Das Ebers-Moll-Modell beschreibt formelmäßig einige Aspekte
des technischen Verhaltens des Bipolartransistors. Es
erklärt aber nicht, wie der Bipolartransistor physikalisch
funktioniert .

> Also aufgrund des Basisstroms fließt ja Strom aus die
> obere Stromquelle, der in dem Fall den gesamten
> Kollektorstrom darstellt.

Hmm. Ja.

> Wie bekomme ich denn so eine negative U_CB Spannung,
> damit die zweite Diode auch leitend wird?

Gar nicht. Das geht nicht.

Das Ebers-Moll-Modell hat (mindestens) zwei physikalische
"Fehler":
Zum einen ist die Kollektor-Basis-Diode im Normalbetrieb
zwar in Sperr-Richtung gepolt, aber sie sperrt nicht(!).
Auf der veränderlichen "Leitfähigkeit" dieses pn-Überganges
beruht der Bipolartransistor!

Zum anderen ist es eigentlich nicht zulässig, von "der"
Basisspannung zu reden. Das, was wir am Basisanschluss des
Transistores außen messen, ist nicht unbedingt das, was in
jedem Punkt des Basis-Gebietes physikalisch vorhanden ist.

Das macht das Modell aber nicht wertlos, denn es ist ein
Berechnungsmodell - keine physikalisch korrekte Erklärung!

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