Kann man ein AT45-Dataflash parallel lesen und beschreiben? Da der Chip nach dem Start des Schreibvorgangs (vom SRAM-Buffer des Chips zu seinen Dataflash-Zellen) 35ms busy ist, ich aber alle 5ms andere Daten lesen möchte, wäre das nett. Im Datenblatt steht am Anfang "Two SRAM Data Buffers (256/264 Bytes) – Allows Receiving of Data while Reprogramming the Flash Array". Im Rest des AT45DB081D-Datenblatts ist davon aber keine Rede mehr: bei allen Operation wie Lesen (Dataflash-Zellen zum SRAM-Buffer) und Schreiben (SRAM-Buffer in 35ms zu Dataflash-Zellen) steht: "During this time, the status register will indicate that the part is busy". Verwirrt.
REceive bezieht sich dann vermutlich auf den AT45, und während des langsamen schreibvorganges können schon mal weitere Daten reingezogen werden. Kannst du nicht 2 so betreiben daß sie inhaltlich identisch gehalten werden durch und wechselseitig lesen und füllen? Ist halt noch mehr Verwaltung....
dmr schrieb: > Kann man ein AT45-Dataflash parallel lesen und beschreiben? Nein. dmr schrieb: > Im Datenblatt steht am Anfang "Two SRAM Data > Buffers (256/264 Bytes) – Allows Receiving of Data while Reprogramming > the Flash Array". Das gilt nur für das Schreiben. Während der Schreibbefehl abgearbeitet wird, können bereits neue Daten empfangen werden.
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