Hallo, ich habe ein Verständnisproblem zu Bipolartransistoren. Der obere Schaltplan in meinem Bild ist meiner Meinung nach ohne Probleme da keine Spannung zwischen C und B liegen kann da unterschiedliche Spannungsquellen. Der untere Schaltplan macht mir allerdings zu schaffen. Also ein Transistor ist ja kein Relais also keine richtige galvanische Trennung (oder irre ich mich da?). Deshalb verstehe ich nicht wie soviele Beispielschaltungen so aufgebaut sind bzw. nirgends steht das es nur mit unterschiedlichen Spannungsquellen funktionieren kann. Das ESB nach Ebers finde ich dahingehend auch irgendwie widersprüchlich. Ich hoffe jemand kann mir da ein wenig unter die Arme greifen. Danke schonmal!
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Grummel schrieb: > Der obere Schaltplan in meinem Bild ist meiner Meinung nach ohne > Probleme da keine Spannung zwischen C und B liegen kann da > unterschiedliche Spannungsquellen. Beide Spannungsquellen sind an ihrem Minuspol verbunden. Zwischen den Pluspolen besteht folglich eine Potentialdifferenz entsprechen der Differenz der Spannungen. > Ich hoffe jemand kann mir da ein wenig unter die Arme greifen. Wenn du mal dein Problem klar formulierst, gerne. > Das ESB nach Ebers ... Was soll das sein?
Phan Tom schrieb: >> Das ESB nach Ebers ... > > Was soll das sein? Vermutlich das Ersatzschaltbild nach Ebers-Moll. Spielt hier aber praktisch keine Rolle. Ich verstehe auch nicht, wo der TE ein Problem sieht.
Stimmt Phan Tom jetzt wo du es sagts sehe ich das auch ;). Okay erste konkrete Frage: Kann man da galvanische Trennung annehmen zwischen B und C? also Steuer und Laststromkreis sind galvanisch voneinander getrennt? Wenn ja, dann ist mein Verständnisproblem gelöst ansonsten ...das schauen wir am Besten dann.
P.S.: Grummel schrieb: > Also ein > Transistor ist ja kein Relais also keine richtige galvanische Trennung > (oder irre ich mich da?). Bei beiden Schaltungen besteht keine galvanische Trennung, da sie über die Minusleitung verbunden sind.
Okay mal angenommen RL ist nicht da. Wie groß ist dann UCB? bzw fließt dann nicht ein Strom in µC rein?
Grummel schrieb: > Kann man da galvanische Trennung annehmen zwischen B und C? Galvanische Trennung kann man nur annehmen, wenn man die Schaltung nicht kennt und hofft, das irgendjemand die Schaltungsteile galvanisch getrennt aufgebaut hat. Galvanische Trennung ist, wenn es überhaupt keine Gleichstromverbindung zwischen den Schaltungsteilen gibt. Und das bezieht immer auf ganze Schaltungen, nicht auf bestimmte Bauteile innerhalb einer Schaltung.
Es wäre völlig egal ob die Spannung aus einer gemeinsamen oder zwei unterschiedlichen Quellen stammt: wenn eine Potentialdifferenz besteht und die sonstigen Umstände es zulassen wird ein Strom fließen. (Es liegt also auch bei zwei Quellen eine Spannung zwischen C und B.) In diesem Fall lassen es die Umstände aber nicht zu, da die Kollektor-Basis-Strecke letztlich ein in Sperrrichtung gepolter pn-Übergang ist, also wie eine gesperrte Diode wirkt. Eine galvanische Trennung kann ein Transistor schon deshalb nicht leisten weil er nur drei Anschlüsse hat, Eingangs- und Ausgangskreis müssen sich also einen teilen. Eine galvanische Trennung ist hier aber gar nicht nötig einen Stromfluss vom Kollektor zur Basis zu verhindern.
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Grummel schrieb: > Das ESB nach Ebers finde ich dahingehend auch irgendwie widersprüchlich. > Ich hoffe jemand kann mir da ein wenig unter die Arme greifen. Transistor im Schaltplan durch Ebers Modell ersetzen, und mal für 1-2 Arbeitspunkte durchrechnen und sich die Spannunge/Ströme im Transistor anschauen. Du siehst dann es gibt keinen unterschied zwischen eins und zwei Spannungsquellen.
Grummel schrieb: > Der untere Schaltplan macht mir ... zu schaffen. Also ein > Transistor ist ja kein Relais also keine richtige galvanische Trennung Nein, da ist keine galvanische Trennung. Gegenfrage: warum glaubst du denn, daß da für die Funktion eine galvanische Trennung bestehen müßte? > Deshalb verstehe ich nicht wie soviele > Beispielschaltungen so aufgebaut sind bzw. nirgends steht das es nur mit > unterschiedlichen Spannungsquellen funktionieren kann. Na, weil es selbstverständlich auch dann funktioniert, wenn der Transistor eine Last gegen eine höhere Spannung als die Spannung an seiner Basis schaltet. Ich vermute, dir geht es darum, daß durch den Transistor Strom vom Kollektor zur Basis fließen könnte? Kann er nicht bei dieser Polung. Denn es ist ein npn-Transistor. Der Kollektor in ein n-Gebiet, die Basis ein p-Gebiet. Zwischen Basis und Kollektor liegt zwar schon eine Diode, aber eben mit der Kathode am Kollektor. Eine positive Spannung am Kollektor kann also nicht zur Basis "durchschlagen", weil die Diode da sperrt. Das Datenblatt enthält sogar eine Angabe über die maximale Sperrspannung die diese Diode aushält: U_cb_max (maximale Kollekor-Basis-Spannung).
Vielleicht einfach mal alle Bauteile durch ohmsche Widerstände ersetzen und das übrig bleibende Netz mit den Kirchhoffischen Regeln betrachten. Dann sieht man, dass sich der Strom einfach nur aufteilt und wieder zusammen fliesst.
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