Gast
#4055178
Hallo Leute, suche eine Z-Diode, oder eine Ersatzschaltung, die unterhalb der Durchbruchspannung wahrlich e x t r e m geringen Leckstrom aufweist. Dieser Strom müsste idealerweise z.B. 100nA unterschreiten, also übliche Nanopower-Bandgaps o.ä. scheiden vermutlich aus. Es soll das Gate eines Mosfets geschützt werden, wobei allerdings nur Mikro- oder noch besser Nanoampere zu dessen Ansteuerung zur Verfügung stehen. Umso weniger Strom zur Kompensation des Leckstroms der Diode zur Verfügung gestellt werden muss, desto besser. Bei Fragen nach dem Schaltplan stelle man sich ersatzweise einen Mosfet vor, dessen Gate über einen sehr hochohmigen Widerstand an z.B. 100V gelegt wird (wobei die "Diode" max. 20V zulassen soll). Diese 100V brechen allerdings beim Durchschalten des Mosfets zusammen, wobei der Fet so lange wie möglich nur aus seiner Gatekapazität weiter aufgesteuert bleiben soll. Und da liegt der Knackpunkt. Außer dem Leckstrom sind praktisch keine größeren Anforderungen gegeben. Kaum Leistungsvernichtungsvermögen der "Diode" nötig, Spannung fast egal (5-20V), keine harte Kennlinie nötig...Bei mininmal etwa 5V sollte der Leckstrom äußerst gering sein (nA), spätestens bei 20V sollte sich z.B. min. 100µA, besser 1mA oder mehr einstellen. Gibt es da was, evtl. einen Trick?