Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Warum keine rdson vs. Ugs Diagramme in FET-Datenblättern?


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von Paul H. (powl)


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Warum gibt es in MOSFET Datenblättern keine Diagramme über den rdson in 
Abhängigkeit zur angelegten Gate-Spannung?

Habe so was zumindest noch nie gesehen.

Das wäre jedoch für einige Anwendungen interessant. Wahrscheinlich ist 
der rdson zusätzlich auch noch Stromabhängig, aber es müsste doch bei 
gegebenem Strom ein Schaubild mit vielleicht mehreren Kennlinien geben?

von Marian  . (phiarc) Benutzerseite


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Uds vs Ids Diagramm zeigt dir genau das als Kurvenschar über Ugs.

von Paul H. (powl)


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Stimmt... hätte man auch selber drauf kommen können -_-
Danke für die Erleuchtung!

von Uwe B. (uwe_beis)


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Marian B. schrieb:
> Uds vs Ids Diagramm zeigt dir genau das als Kurvenschar über Ugs.

Genau genommen, zeigt dir die Steigung der Kurven RDS an, und zwar über 
alle Betriebszustände, in voller Schönheit der Nichtlinearität und nicht 
nur bei 0 V.

Wenn das zu ungenau aufgelöst ist (die Steigungen sind nicht so leicht 
zu erkennen), müsste man in der Tat ein separates Diagramm aufnehmen. 
Das ist aber wenig sinnvoll, weil die Schwellspannungen bei den FETs 
nicht übereinstimmen. Der eine kann sperren, wo der andere sehr 
niederohmig ist.

von MaWin (Gast)


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Paul H. schrieb:
> Warum gibt es in MOSFET Datenblättern keine Diagramme über den rdson in
> Abhängigkeit zur angelegten Gate-Spannung?
>
> Habe so was zumindest noch nie gesehen.

http://www.ic72.com/pdf_file/g/169180.pdf

Fig. 6

von Bodo (Gast)


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Vielleicht sollte man der Genauigkeit halber auch noch erwähnen, dass 
der RDSon nun mal der ON-Widerstand ist und dieser ist eben größtenteils 
unabhängig von der Gate-Source Spannung (da er üblicherweise bei UGS 
deutlich über der Einsatzspannung definiert wird). Alles andere ist dann 
einfach nur der Drain-Source Widerstand rDS.

von Falk B. (falk)


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@ Paul H. (powl)

>Warum gibt es in MOSFET Datenblättern keine Diagramme über den rdson in
>Abhängigkeit zur angelegten Gate-Spannung?

Weil das praktisch nicht brauchbar ist.

>Habe so was zumindest noch nie gesehen.

Hat seinen Grund.

>Das wäre jedoch für einige Anwendungen interessant.

Nein. Denn damit müsstest du jeden MOSFET einzeln ausmessen, u.a. weil 
U_GS_THR stark streut. Dazu kommt die Temperatur. Das wird ein 
Riesenhaufen von Daten. Darum gibt es meist nur 1 oder 2 GARANTIERTE 
RDSON Werte bei einer ganz bestimmten U_GS, die wird bei JEDEM MOSFET 
gemessen und damit sicher garantiert.

> Wahrscheinlich ist
>der rdson zusätzlich auch noch Stromabhängig,

Bei hohen Strömen im Sättigungsbereich.

> aber es müsste doch bei
> gegebenem Strom ein Schaubild mit vielleicht mehreren Kennlinien geben?

von Axel S. (a-za-z0-9)


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Marian B. schrieb:
> Uds vs Ids Diagramm zeigt dir genau das als Kurvenschar über Ugs.

Das ist nicht das selbe. Denn da sind ja nur Kurven für einige wenige 
Werte von U_gs. Und der Wert für den man es wissen will, ist natürlich 
wie immer nicht dabei. Die eher bescheidene Skalierung kommt noch dazu.

Falk Brunner schrieb:
>>Habe so was zumindest noch nie gesehen.
>>Das wäre jedoch für einige Anwendungen interessant.
>
> Nein. Denn damit müsstest du jeden MOSFET einzeln ausmessen, u.a. weil
> U_GS_THR stark streut. Dazu kommt die Temperatur. Das wird ein
> Riesenhaufen von Daten.

Kein Argument. Denn das gilt für andere vorhandene Diagramme wie etwa 
das o.a. I_d vs. U_ds mit U_gs als Parameter genauso. Tatsächlich zeigen 
so ziemlich alle Diagramme im Datenblatt die Werte von typischen 
Exemplaren. Daran ist auch nichts auszusetzen, solange es dabei steht.

> Darum gibt es meist nur 1 oder 2 GARANTIERTE
> RDSON Werte bei einer ganz bestimmten U_GS, die wird bei JEDEM MOSFET
> gemessen und damit sicher garantiert.

Das mit dem "bei jedem MOSFET gemessen" halte ich für ein Gerücht.

Aber davon mal abgesehen, wäre es ja durchaus möglich, in dem 
gewünschten R_ds_on vs. U_gs Diagramm ein Toleranzband einzuzeichnen.

von Falk B. (falk)


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@Axel Schwenke (a-za-z0-9)

>> Darum gibt es meist nur 1 oder 2 GARANTIERTE
>> RDSON Werte bei einer ganz bestimmten U_GS, die wird bei JEDEM MOSFET
>> gemessen und damit sicher garantiert.

>Das mit dem "bei jedem MOSFET gemessen" halte ich für ein Gerücht.

Ich nicht. Diese Messung dauert so oder so nur ein paar hundert us.  Da 
dauert das machanische Kontaktieren im Testautomaten deutlich länger.

von Zarathustra (Gast)


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Keine Ahnung von was Ihr redet. Das Verhältnis von Ugs zum Drainstrom 
ist doch meist gleich in drei Diagrammen detailliert dargestellt. Was 
will man da noch groß irgendwelche Rds-Diagramme anfertigen?

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