Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Probleme mit OPV Stromquelle


von Dexter (Gast)


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ich möchte eine spannungsgesteuerte Stromquelle mit einem OPV  aufbauen, 
allerdings funktioniert bereits die Simulation nicht.

Im Anhang ist einmal die LTspice datei, der OPV und der NMos zu finden 
den ich verwende.

Ziel ist ein 100mA Strom, dafür müssten ca. 2.45V am OPV Eingang liegen. 
Das passt auch soweit, jedoch wird der negative OPV Eingang nicht auf 
die 2.45V hochgezogen. Der NMOS müsste ja auch geschaltet sein.


Kann mir jemand helfen?

von Peter X. (peter_x)


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Welches Programm braucht man für deine Datei mit der Endung ".cir"?

von Dexter (Gast)


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Ltspice

das ist ein .SUBCKT

von andi (Gast)


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Also:

- mit realem MOSFET und LT1007 klappt es ungefähr, wahrscheinlich muss 
UGS höher sein (bzw das vom FET kleiner)

- mit LT1007 und npn Transistor gehts

von Helmut S. (helmuts)


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Hallo,

Das Mosfet-Modell benötigt ein Subcircuit-Symbol mit 4 Pins. Der 4. Pin 
ist der Temperatureingang.

.SUBCKT BSS138 20 10 30 50
*20=DRAIN 10=GATE 30=SOURCE 50=VTEMP

Dafür habe ich schon vor vielen Jahren ein Symbol für die LTspice Yahoo 
group gemacht und in den angehängten zip-File eingefügt.


Einfach den zip-File in dein Arbeitsverzeichnis kopieren und dort 
auspacken. Dann den Schaltplan öffnen und es kann losgehen.

Im Ordner [Misc] von LTspice gibt es auch einen EuropeanResistor 
(rechteckige Form) falls dir das mehr zusagt.

Gruß
Helmut

: Bearbeitet durch User
von Dexter (Gast)


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jo läuft lag wohl am mosfet modell. läuft jetzt wie erwartet.

Danke für die Hilfe Helmut, aber auch Danke an Andi für seine Mühe.

von MaWin (Gast)


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Dexter schrieb:
> Ziel ist ein 100mA Strom, dafür müssten ca. 2.45V am OPV Eingang liegen.

Ein BSS138 ist erst bei 4.5V voll aufgesteuert, er hat aber bei 5V 
Betriebsspannung und 2.45V am Source maximal (wenn der R2R OpAmp das 
liefert) 2.5V Gate-Spannung. Damit steuert er nicht ausreichend für 
100mA durch.
Das liegt nicht am MOSFET, sondern an zu niedriger Betriebspannung, bzw. 
falschem Schaltungsdesign (hohe 2.45V).

von Dexter (Gast)


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hm? soweit ich das sehe kann der bss138 schon knapp 0.2A bei 2V VGS. 
kannst du deine Aussage anhand des Datenblatts erläutern`?

danke

von Helmut S. (helmuts)


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Uds ist nicht so kritisch hier. Das regelt der Opamp.
Viel schlimmer ist die Verlustleistung von 250mW.

Chip-Temperatur = Tumgebung + 350°/W*0.25 = Tumgebung + 87.5°

von MaWin (Gast)


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Dexter schrieb:
> hm? soweit ich das sehe kann der bss138 schon knapp 0.2A bei 2V VGS.
> kannst du deine Aussage anhand des Datenblatts erläutern`?

Die Kurve des Datenblatt ist eine TYPISCHE Kurve, die dort gezeigte 
notwendige Spannung weicht aber ja nach Exemplar und Temperatur
um die angegebene Schwankung der
VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS = VGS, ID = 1 mA 0.8 1.3 1.5
ab.

Statt 2V können an der Stelle also auch 1.23V (2/1.3*0.8) oder 2.3V 
(2/1.3*1.5) erforderlich sein.

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