Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik Transistortester, N-E-MOS C71pF und Vt 1,97v Frage..


von Kulli (Gast)


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Hallo,

habe einen Transistortester fertig und habe gleich mal ein unbekanntes 
Bauteil getestet.

--> N-E-MOS C 71pF und Vt 1,97v

Sagt mir jetzt, ich habe hier nen N-Kanal Mosfet der (anreichernd) also 
selbstsperrend ist.

Meine Frage: Was kann ich aus der Kapazität 71pF schließen was mir 
nützen könnte und wie behandle ich die Vt 1,97V ? Ist das die Spannung 
die zwischen Gate und Source anliegen muss, das Drain nach Source 
leitend wird?

Danke euch

von Alexander S. (esko) Benutzerseite


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Lese mal hier: AVR-Transistortester: Darstellung auf dem LCD

Kulli schrieb:
> Vt 1,97V ? Ist das die Spannung die zwischen Gate und Source anliegen
> muss, das Drain nach Source leitend wird?

Ja, V_threshold. Bedenke, dass bei dieser Spannung erst ein sehr kleiner 
Strom fließen kann, ca. 1 mA.
https://en.wikipedia.org/wiki/Threshold_voltage

von Kulli (Gast)


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Ah ok, danke.

Die Kapazität sagt dann quasi was über die Schaltfrequenz das MOSFETS 
aus, also wie schnell geladen und entladen.

Seh ich das so richtig, dass mir die Angaben eigentlich überhaupt nix 
bringen, weil hier bei den knapp zwei Volt im Grunde kein verwendbarer 
Strom fließt sondern eben nur das Minimum bei dem er grade so ein 
bisschen durchschaltet?

Und die Gatekapazität sich eben auch auf die fast 2V bezieht und bei 
normaler Anwendung viel größer sein kann?


Also weiß ich im Grund nur dass das ein N-E-MOSFET ist aber weder ob 
Logiclevel oder wie auch immer?

von Alexander S. (esko) Benutzerseite


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Kulli schrieb:
> Die Kapazität sagt dann quasi was über die Schaltfrequenz das MOSFETS
> aus, also wie schnell geladen und entladen.

Die Umschaltzeit ergibt sich in Zusammenhang mit dem Treiber, ja.

> Seh ich das so richtig, dass mir die Angaben eigentlich überhaupt nix
> bringen,

Nein, dieses Werte sind durchaus wichtig.

> Und die Gatekapazität sich eben auch auf die fast 2V bezieht und bei
> normaler Anwendung viel größer sein kann?

Würde die Kapazität unabhängig von der Spannung sein, wie es bei einem 
Kondensator der Fall ist, dann stimmte deine Aussage nicht. Bei einem 
Mosfet ist sie in der Tat von der Spannung abhängig, aber man hat schon 
einen sehr guten Anhaltspunkt. Außerdem wird die Kapazität vermutlich 
bei 5V gemessen.

> Also weiß ich im Grund [...] weder ob Logiclevel oder wie auch immer?

Doch, genau das sagt dir Vt.

von Kulli (Gast)


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Wie berechnet sich denn dann die eigentliche Spannung ab der der Mosfet 
ganz durchschaltet aus den beiden Daten?

C 71pF und Vt 1,97v

von lrep (Gast)


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Kulli schrieb:
> Wie berechnet sich denn dann die eigentliche Spannung ab der der
> Mosfet
> ganz durchschaltet aus den beiden Daten?
>
> C 71pF und Vt 1,97v

Er schaltet ja überhaupt nicht, sondern durchläuft eine Kennlinie bei 
der er mit steigender Gatespannung immer besser leitet (...bis das 
Gateoxid kaputt geht).
Die Vt gehört zu einem willkürlich gewählten Betriebszustand "wo der 
Transistor gerade leitend wird".
Die zugehörige Definition steht im Datenblatt und kann durchaus von den 
Meßbedingungen deines Testers abweichen.

Die 71pF sagen lediglich aus, dass man es mit einem relativ kleinen 
MOSFET oder einem Hochfrequenztransistor zu tun hat.

Ansonsten kann man der Messung in lediglich einem Punkt der Kennlinie 
nicht viel entnehmen.

von Kulli (Gast)


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Also doch keine EierLegendeWollMilchSau,

aber eine WollMilchLegende.

R's L's und C's sind in so kurzer Zeit bestimmt, ohne 
Messbereichseinstellung am MG, perfekt!


Bei BIPO und MOSFET gibt es halt Anhaltspunkte,oder?!? NPN, PNP, H_fe 
hilft dann, wenn man schon nen groben Überblick und "bekannte" Bauteile 
vor sich liegen hat für ne entsprechende Schaltung.

Für unbekannte Typen aus der Restekiste wars das dann auch schon, oder?

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