Schottky-Diode (Hot-Carrier-Diode)

[Telx4 (Gast)]

Hi, kann mir jemand in Bezug zur Schottky-Diode bitte sagen wieso die 
Elektronen des n-Halbleiters zum Metall wandern ? Findet hier eine Art 
Rekombination statt oder wieso werden einfach Elektronen angezogen?

Eventuell ist die Metallschicht auch einfach nur positiv geladen, davon 
steht dort aber leider nichts...

Danke im voraus und schöne Feiertage euch allen. :-)

[F. F. (foldi)]

Werner Walter schrieb im Beitrag #4079846:
> Das geht dich doch nen Scheißdreck an...

Hahaha!

Aber Spaß beiseite!

Seite 15.
http://tietze-schenk.com/tsprben.pdf

und hier:
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201102.htm

[Felix W. (felixw)]

Hallo Telx,

Telx4 schrieb:
> wieso die
> Elektronen des n-Halbleiters zum Metall wandern

durch die thermische Eigenbewegung der Ladungsträger. Wie auch bei der 
PN-Diode / Transistor. Die Elektronen kommen wegen der erforderlichen 
Austrittsarbeit nicht mehr zurück.


Nur Elektronen mit genügend Geschwindigkeit schaffen es in das Metall, 
da durch die bereits gewanderten Elektronen (Verarmungszone) ein Feld 
entsteht, was die Elektronen vom Metall weg beschleunigt(das Metall ist 
jetzt quasi negativ geladen)

Die thermische Geschwindigkeit der Elektronen ist normalverteilt.
Die Chance genügend Geschwindigkeit zu haben ist für kleine 
Wahrscheinlichkeiten eine e-Funktion

$$P(E_{kin} > E_{Feld}) \sim e^{\frac{qU_d}{qkT}}$$