Hallo, ich würde gern für $projekt die Spannung über einem Highside-Shunt möglichst genau auf ein definiertes Bezugspotential bringen und dabei verstärken. Es gibt dafür natürlich spezielle OpAmps etc., aber die sind als Schüler einerseits schwer zu beschaffen, und andererseits macht es mit Einzeltransistoren einfach mehr Spaß. Ich würde die Spannung eines 0,2 Ohm Shunts gern über einen Bereich von 20mA bis 3A möglichst genau messen können - allerdings zeigt meine jetzige Schaltung in der Simulation noch relativ große Nichtlinearitäten ("relativ groß" im Bezug auf 20mA). Außerdem befürchte ich, dass die Schaltung in der Realität wegen schwankender Transistorparameter ziemlich schlecht funktionieren wird. Zur Funktion: Ein Strom durch R1 verursacht einen Spannungsabfall am Emitter von Q2. Dadurch sinkt auch die Basisspannung von Q2 und Q1 ab, weshalb Q1 aufsteuert und zusammen mit R2 einen Strom im linken Strompfad der Schaltung herab fließen lässt. Dieser Strom wird vom Stromspiegel Q5/Q6 auf den rechten Strompfad gespiegelt, wodurch der gleiche Strom auch durch Q2 fließt und dadurch strombedingte Unterschiede in der Ube von Q1/Q2 kompensiert werden. Somit entspricht die Spannung über R2 der Spannung über dem Shunt. Da der Strom im linken Strompfad proportional zur Spannung über R2 ist, stellt sich an R3 die um Faktor R3/R2 verstärkte Shuntspannung ein. Q3 bildet mit Q1 eine Kaskode, die zusammen mit Q4 die Kollektorspannung über Q2 und Q1 annähernd gleich hält. Q7 und Q8 tun das selbe beim Stromspiegel. Dass der Strom durch Q2 auch durch den Shunt fließt, ist mir bewusst. Aber das ergibt nur einen linearen Fehler, der leicht zu beseitigen ist. Das Hauptproblem sind nichtlineare Fehler. Meine Fragen dazu wären... 1. Werden mir Abweichungen der Transistorparameter in der Realität einen Strich durch die Rechnung machen? (Falls ja, werde ich damit fertig?) 2. Wie kann ich die Nichtlinearitäten verringern? Viele Grüße und schon mal vielen Dank Jonathan
Mit normnalen Einzeltransistoren wird das wohl nix werden, weil die ja genau gepaart werden müssten. Desweiteren müssten die Transistoren auch gut thermisch gekoppelt werden, weil deren Parameter ja stark temperaturabhängig sind. Durch die thermische Kopplung gleichen sich die Schwankungen innerhalb eines Paares aus. Es müssten also für jedes Paar mindestens Doppeltransistoren auf einem Chip sein, die aber wohl recht teuer sind. Noch mehr Transistoren auf einem Chip wären die Transistorarrays. Auf einem IC sind solche Schaltungen also viel besser aufgehoben. Was die Nichtlinearität angeht - da kann ich auf die Schnelle nicht viel dazu sagen.
Jonathan Strobl schrieb: > als Schüler einerseits schwer zu beschaffen Genauigkeit ist immer eine Frage des Geldes. Für den 11m-Punkt beim Fußball nimmt man auch keine Messuhr oder Mikrometerschraube. Man muß eben für die jeweilige Aufgabe eine große Tüte geeignete Teile besorgen und dann fleißig ausmessen und thermisch verbinden WENN die Genauigkeit für Dich so ausreicht.
man rechnet mit 2mV/K BE-Spannungsänderung. Das heißt, bei 1C Temperaturänderung des messenden Transistor ergibt sich eine Anzeigeänderung von 2mV/200mR = 10mA. Damit hast Du eine Hausnummer für die Genauigkeitsanforderungen.
Hallo, die Probleme bei einer solchen Schaltung mit diskreten Transitoren wurden ja schon genannt. Um das etwas zu entschärfen, solltest du wenigstens Transistoren aus einem Transistorarray benutzen. Da würde sich zunächst z.B. BCV62 anbieten. Schaue auch mal nach LM3086. Ansonsten solltest du mal ein anderen Konzept überlegen. Man kann einen Instrument-OPV auch mit einzelnen OPV basteln, z.B. ein Quad-Standard-OPV . Im einfachsten Fall geht das auch schon mit einem einzigen OPV: http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/diffamp.htm -> siehe Bild3. Wichtig ist dabei vor allem ein sehr guter Gleichlauf der Widerstände R1/r2 sowie R1'/R2'. Gruß Öletronika
U. M. schrieb: > Ansonsten solltest du mal ein anderen Konzept überlegen. > Man kann einen Instrument-OPV auch mit einzelnen OPV basteln, > z.B. ein Quad-Standard-OPV . Ein einzelner OP (TL062 für High-Side sensing) reicht schon wenn man einen P-Kanal FET oder einen NPN-Transistor zusätzlich spendiert: Siehe: Batteriewächter https://www.mikrocontroller.net/articles/Datei:BMON_1048_L200.PNG bzw. Innenschaltung von LTC6101 oder LT6106. Gruß Anja
Sorry muß natürlich PNP-Transistor heißen. Gruß Anja
Es gibt wie Anja schon sagte spezielle Shuntverstaerker (current sense amplifier), wie die LTC6101 und aehnlich. Deren schematische Darstellung zeigt wie's geht. Dabei ist zu beachten wie der Verstaerker gespiesen wird. Der untere Speisungs Anschluss kann ausserhalb dem Bereich eines normalen Opamps sein. Kriterien koennen die Geschwindigkeit, Spannungsvertraeglichkeit, Offset und Stromverbrauch sein.
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