Hallo alle zusammen, mir ist nicht ganz klar, welche Parameter den Frequenzverlauf eines Stromspiegels bestimmen. Anbei habe ich euch mal eine Zeichnung dazu gemacht. Ich habe auf IN einen 5ns Impuls gegeben von +5V auf GND und will am OUT den selben Puls von -5V auf GND. Somit in kurz gesagt, Impuls Invertieren und Level Shiften. Die Schaltung funktioniert bis auf ca. 20 ns danach nicht mehr. Die Transistoren reichen laut Datenblatt jedoch bis ca. 3 GHz. Kann mir das jemand erklären?? Mercy schon mal für eure Hilfe.
Sawyer Ma schrieb: > Ich habe auf IN einen 5ns Impuls gegeben von +5V auf GND und will am > OUT den selben Puls von -5V auf GND. Somit in kurz gesagt, Impuls > Invertieren und Level Shiften. Die Schaltung funktioniert bis auf ca. 20 > ns danach nicht mehr. Die Transistoren reichen laut Datenblatt jedoch > bis ca. 3 GHz. Kann mir das jemand erklären?? In der Schaltung arbeitet der rechte BFT93 im wesentlichen in Emitter- schaltung. Den linken kannst du genauso gut durch seine BE-Diode substituieren. Der begrenzt dann nur noch die Spannung die der rechte Transistor an seiner Basis sieht. Entscheidend für die Geschwindigkeit der Schaltung sind parasitäre Kapazitäten und die Widerstände über die diese (um)geladen werden. Ganz wesentlich ist dabei der Knoten an dem die beiden Basen der Transistoren hängen. Da wird nämlich vor allem die Miller-Kapazität des rechten Transistors wirksam. Die wird von dem 680 Ohm Widerstand nur eher langsam bedient. Deswegen mein Vorschlag: mach alle Widerstände um Faktor 10 kleiner und simuliere nochmal.
Müsstest die Übertreagungsfunktion mal aufschreiben. Es wird wohl an den (paraisitären) Kapazitäten liegen. zB B-E und B-C
Der Transistor sollte im linearen Bereich arbeiten. Mit niederen Impedanzen.
Sawyer Ma schrieb: > Ich habe auf IN einen 5ns Impuls gegeben von +5V auf GND und will am > OUT den selben Puls von -5V auf GND. Somit in kurz gesagt, Impuls > Invertieren und Level Shiften. Die Schaltung funktioniert bis auf ca. 20 > ns danach nicht mehr. Die Transistoren reichen laut Datenblatt jedoch > bis ca. 3 GHz. Kann mir das jemand erklären?? D.h. du willst den rechten Transistor von Ic=0 auf Ic=5mA schalten. Du weißt aber schon, dass die Transitfrequenz von 3GHz nicht bei Ic->0 erreicht wird? Diese Transitfrequenz wird nur bei entsprechenden Kollektorströmen erreicht und ft ist auch nicht die Grenzfrequenz in Emitterschaltung. Vereinfacht könnte man deine Schaltung (für einen mittleren Strom und nicht zu große Aussteuerung) so beschreiben: Wie von Axel schon gesagt arbeitet der linke Transistor als Diode und der rechte in Emitterschaltung (mit Stromgegenkopplung). Gesteuert wird der rechte duch einen Quellwiderstand von rbb+(680R//150R+rbe). An der inneren Basis (hinter rbb) ergibt sich eine Teilung mit rbe+RE. An diesem Punkt liegt auch die durch die Gegenkopplung mit RE reduzierte Diffusionskapazität der Basis-Emitter-Diode und die Millerkapazität. Die genannten Elemente bilden einen Tiefpass, der die eingangsseitige Grenzfrequenz der Stromverstärkung bestimmt.
Hallo zusammen Vielen Dank für die schnellen Antworten! Ihr habt mir sehr weitergeholfen. Die Messungen machen jetzt Sinn=) Grüsse
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