Hallo, ich beschäftige mich wieder mal mit Retro-Elektronik, insbesondere mit Germanium-Transistoren. Diese habe ich mir im LTSPICE definiert, die Modelle stammen teilweise aus dem Web, teilweise habe ich die Parameter selbst abgeändert. Leider verändert sich das Verhalten der Transistoren kaum bis garnicht. Die Ube liegt z.B. relativ konstant bei 800mV, was natürlich nicht passt. Kann mir jemand eine Seite mit brauchbaren praktischen Hinweisen nennen, die mir hier weiterhilft ? Meine Schaltung ist immer nur eine Grundschaltung mit Basis-Stromquelle und Kollektorspannungs-Quelle, und ich möchte halt einfach nur die Kennlinie dem Datenblatt angleichen. Gruß, Michael
Einfach in das Verzeichnis LTC\LTspiceIV\lib\cmp gehen und die Standard.bjt um dein Modell erweitern, dann kannst du es auswählen in LTSpice
Michael Appelt schrieb: > Die Ube liegt z.B. relativ konstant bei 800mV, was natürlich nicht > passt. Zeig mal deine Modelle.
Hallo, Danke für die Antworten. @martin: Genau so mache ich das im Moment. @hinz: Das hier ist ein GE-Transistor, der hier bereits schon mal diskutiert wurde.
1 | .MODEL AC128 PNP(IS=1.41f ISC=0 ISE=0 IKF=80m IKR=0 ITF=0.4 NC=2 NE=1.5 |
2 | +BF=70 BR=4.977 RB=10 RC=2.5 CJC=9.728p CJE=8.063p |
3 | +TR=33.42n TF=179.3p FC=0.5 EG=1.11 VJC=0.2 VJE=0.1 VTF=4 MJC=0.5776 |
4 | +MJE=0.3677 XTB=1.5 XTF=6 XTI=3 MFG=GERMANIUM-TYPE) |
Wenn ich die Parameter ändere sehe ich die Änderungen im LTSpice, es ändert sich aber nichts (wenig) in der Simulation. Welche Parameter sind den für die Substrateigenschaften zuständig ? Welche für den Ube-Knick ? Gruß, Michael
Den Ic(Ube)-"Knick" stellst du mit IS und NF ein. Der Default-Wert von NF ist 1. IS verschiebt die Kurve, NF macht sie flacher.
:
Bearbeitet durch User
Hallo Michael Auf der LTspice Wiki gibts eine erweiterte Bibliothek mit den Transistoren AC127 und AC128. Die scheinen auf den ersten Blick zu stimmen. http://ltwiki.org/?title=Standard.bjt .MODEL AC127 NPN(IS=5u ISC=5u ISE=600n IKF=300m ITF=300m NC=2 NE=2 BF=160 BR=5 RB=100 RC=1.5 vaf=50 var=50 CJC=200p CJE=60p TR=3u TF=600n FC=0.5 eg=0.72 VJC=0.4 VJE=0.4 VTF=4 MJC=0.333 MJE=0.333 XTB=1.5 XTF=6 XTI=3 Vceo=12 Icrating=300m MFG=GERMANIUM-TYPE) .MODEL AC128 PNP(IS=5u ISC=1u ISE=200n IKF=3 ITF=1 NC=2 NE=1.5 BF=90 BR=5 RB=7 RC=0.2 RE=0.1 vaf=40 var=40 CJC=250p CJE=80p TR=5u TF=1u FC=0.5 eg=0.72 VJC=0.4 VJE=0.4 VTF=4 MJC=0.333 MJE=0.333 XTB=1.5 XTF=6 XTI=3 Vceo=16 Icrating=1 MFG=GERMANIUM-TYPE) Gruß, Bernd
Hallo zusammen, dieser Thread ist zwar schon ein paar Jahre alt, aber vielleicht doch noch nicht gänzlich veraltet. Daher möchte ich hier noch eine aktuelle Information zu diesem 'historischen' Thema anhängen. Im vergangenen Jahr habe ich mir nämlich die Zeit genommen, wirklich gute SPICE-Modelle für ein paar dieser alten Germaniumtransistoren zu entwickeln. Nach einigen Wochen (!) CPU-Zeit auf meinem schon etwas älteren Mac hatte ich schließlich SPICE-Modelle für die folgenden Transistoren fertig: AC125, AC126, AC127, AC128, AC132, OC44 und OC45. Die Modelle habe ich erst kürzlich in einem anderen Forum veröffentlicht, zusammen mit einer einigermaßen detaillierten Beschreibung, wie ich zu diesen Modellen gekommen bin, alles auf Englisch. Der Link dorthin ist wie folgt: https://www.diystompboxes.com/smfforum/index.php?topic=78932.0 Meine beiden primären Posts zum Thema findet man dort unter "Reply #15" (Beschreibung der Modelle und wie ich zu den Modellen gekommen bin) und "Reply #28" (Beschreibung eines grundsätzlichen SPICE-Problems im Zusammenhang mit 1/f-Rauschen von solchen Transistoren). Außerdem gibt es noch ein paar Antworten meinerseits auf Fragen/Anmerkungen anderer Forumsteilnehmer. Jeder Interessierte kann die Modelle von dort herunterladen. Vielleicht hilft das ja dem einen oder anderen weiter... Grüße aus Stuttgart, Gert W.
...schön, bestimmt interessant für die Simulation älterer Schaltungen , Danke !! :-)
:
Bearbeitet durch User
Gert Willmann schrieb: > Im vergangenen Jahr habe ich mir nämlich die Zeit genommen, wirklich > gute SPICE-Modelle für ein paar dieser alten Germaniumtransistoren zu > entwickeln. Wunderbar, vielen Dank, obwohl ich an Ge-Modellen nicht so interessiert bin. Leider ist es nach meiner Erfahrung so, daß auch die Modellparameter für Si-Transistoren, JFets, Mosfets, OPVs, Leds usw. idR nicht korrekt sind. Man findet in Modellbibliotheken der Simulatoren bzw. auf den Herstellerseiten Modelle mit Earlyspannungen von 1kV, Basisbahnwiderstände von 10R für BC550, Stromverstärkungen von >1k...10k (keine Darlingtons!), positive Temperaturkoeffizienten der Durchlassspannung, fehlende Kapazitäten, usw.. Simulationen mit solchen Modellen zeigen nicht nur vollkommen falsches Rauschverhalten, auch das statische und dynamische Verhalten ist falsch. Das ansich extrem wertvolle Werkzeug Simulator wird dadurch zu einer stumpfen Waffe. Man kann sich oft nur noch auf "Primitvsimulationen" verlassen, die man auch ohne Simulator leicht überblickt. Feinere Analysen, in denen sekundäre Effekte (Early-Effekt, Miller-Effekt, Rauschen...) maßgeblich sind, sind mit unbearbeiteten Modellen meist unbrauchbar. Falls du also noch Zeit übrig hast ...
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.