Gast
#4151628
Hi, ich habe mich jüngst etwas mit dem Schalten von induktiven Lasten beschäftigt und ein paar Simulationen gemacht. Ich würde gerne eine fiktive Last mit einer Serieninduktivität von 1µH und 6Ohm mit 100KHz PWM schalten. Durch die Induktivität entstehen sehr hohe Spannungsspikes am Drain des MOSFETs, die ihn auf Dauer zerstören könnten, das will ich vermeiden. Erste Idee war eine Schottky Diode gegen VCC zu schalten somit ist die Drainspannung auf Vcc +0,x Volt begrenzt. Sieht in der Simu auch gut aus. Ich finde aber häufig ein RCD Clamp/Snubber Glied, bei dem zur Diode in Serie noch eine Kombination aus Kondensator und Widerstand parallel auftritt. (FYI http://electronicsbeliever.com/rcd-snubber-design-and-analysis/ ) Jetzt frag ich mich, was davon der Vorteil sein soll. Die Spannung wird auch auf ein erträgliches Maß am Drain begrenzt, oszilliert aber etwas. Wann kann ich nur D benutzen, wann RCD? TNX





