EMV auf Geräteebene

EMV Fragender Gast #4159660
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Hallo EMV Fachkundige,

Ich habe hier eine Baugruppe bei der GND auf der Platine
mit Schirm- und Chassismasse über Parallelschaltung RC verbunden ist.
R ist 1Meg, C ist 1uF.

DC mässig ist also eine hochohmige Verbindung da.
Der Ladungsaufbau, welchen Ursprungs auch immer, wird damit unterbunden.
Damit kann sich keine Potentialdifferenz aufbauen. Ist das korrekt?

AC mässig ist die Verbindung beinahe ein Kurzschluss.
Wenn jemand aufgeladen ist und berührt Chassis springt Störimpuls
auch auf GND. Welchen Sinn sollte das haben? Sollen damit mögliche
Signalverfälschungen eliminiert werden, weil von extern einlaufende
Signale und GND gemeinsam "springen".

Kann mich jemand bitte aufklären.
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Michael K. Gast #4159827
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EMV Fragender schrieb:
> Baugruppe

Uh, so viel Infos ..

Der Sek. GND einer eigentlich galvanisch getrennten Schaltnetzteilstufe 
ist über die Pri/Sek Kapazität des Übertragers mit dem Netz verbunden.

Läßt man den sich frei bewegen kann der erheblich abstrahlen, deswegen 
das C.
Bindet man den nicht DC mäßig an, kann der ein hohes Potential gegenüber 
Chassis (PE) annehmen, deswegen der R.

Man kann den auch direkt verknoten, ohne R||C, aber das kann wiederum zu 
Ausgleichströmen zwischen Geräten über PE statt GND führen.

Man findet oft noch Ferritperlen in der R||C um HF Abstrahlung über den 
PE Leiter zu unterbinden.
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Soul E. Gast #4160102
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EMV Fragender schrieb:

anders herum ist besser:

> AC mässig ist die Verbindung beinahe ein Kurzschluss.

Der leitet eingekoppelte hochfrequente Störungen ab, lässt keine Signale 
mit Netzfrequenz durch. Dies vermeidet "Brummschleifen" im 
Audio-Bereich.

> DC mässig ist also eine hochohmige Verbindung da.
> Der Ladungsaufbau, welchen Ursprungs auch immer, wird damit unterbunden.
> Damit kann sich keine Potentialdifferenz aufbauen. Ist das korrekt?

Der Parallelwiderstand verhindert, dass sich der Kondensator mit der 
Zeit auflädt. Für transiente Vorgänge (ESD) ist die Zeitkonstante viel 
zu hoch.
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