Ich pack's mal in diese Kategorie hier, weil es Memory nicht extra gibt... Ich hab nen Micron SLC NAND Flash MT29F8G08ADBDAH4. Der Chip hat eine interne ECC, die man ein/aussschalten kann. Erste Versuche zeigten, dass ohne ECC gelegentlich Bitfehler auftreten. Mit Einschalten sind die allerdings mehr geworden. Status 0x70 liefert beim Lesen + Schreiben immer = 0 (alles OK). Ich vermute also, dass schon beim Reinschreiben Murks passiert. Um das zu bestätigen, wollte ich herausfinden, ob die berechneten Korrekturdaten (64 Byte Spare Area) zu den fehlerhaften Nutzdaten (2048 Byte Page-Daten) passen. Weiß jemand, wie die interne ECC funktioniert? Die veröffentlichten Beispiele von Micron sind alle nur 1-Bit Correction. Intern wird aber eine 4-Bit Correction verwendet. Wer kann weiterhelfen? Knulli
Gast
#4190536
Knut E. schrieb: > Mit Einschalten sind die allerdings mehr geworden. Unsicherer Speicher ist immer großer Mist, da die daraus folgenden Fehler sehr verschieden sein können. Ohne jetzt Deinen Speicher persönlich zu kennen, würde ich erst mal überlegen ob der Takt evtl. zu hoch ist und die Signale sauber genug ankommen.
oszi40 schrieb: > Ohne jetzt Deinen Speicher persönlich zu kennen... Da isser... http://www.micron.com/parts/nand-flash/mass-storage/mt29f8g08adbdah4 µC läuft mit 8 MHz, kann max. bzw. min. auf 125 ns Impulse. Der Speicher braucht idR. so 10 ns breite Impulse, sollte also nicht überfordert sein. Waitstates haben denzufolge nix gebracht. Ich wollte halt erstmal sehen, ob Daten und Korrekturbytes zusammenpassen und ob ich mit C++ auf die selben Korrekturdaten komme wie Silizium. Knulli